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Utsource certified used parts
As peças usadas certificadas pela Utsource fornecem as seguintes garantias:
1. A Utsource inspecionará as mercadorias, incluindo a inspeção da aparência (sem danos graves à aparência), selecionará fornecedores qualificados e honestos e garantirá uma taxa de qualificação de 98%.
2. Algumas peças são testadas pela máquina.
3. As peças certificadas pela Utsource podem ser devolvidas e reembolsadas incondicionalmente dentro de 60 dias.
Descrição do produto
Description = K6X4008C1F 512K X 8 Bit Low Power Full CMOS Static RAM
Organization = 512Kx8
Vcc(V) = 4.5~5.5
Speed-tAA(ns) = 55,70
Operating Temperature = I,a
Operating Current(mA) = 40
Standby Current(uA) = 20,30
Package = 32SOP,32TSOP2,32TSOPR
Production Status = Mass Product
Comments = Product
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Algum número de peça do mesmo fabricante
Some Part number from the same manufacture Samsung Semiconductor, Inc. |
K6X4008C1F-DF70 Description = K6X4008C1F 512K X 8 Bit Low Power Full CMOS Static RAM ;; Organization = 512Kx8 ;; Vcc(V) = 4.5~5.5 ;; Speed-tAA(ns) = 55,70 ;; Operating Temperature = I,a ;; Operating Current(mA) = 40 ;; Standby |
K6X4008T1F Description = K6X4008T1F 512KB 8bit Low Power And Low Voltage CMOS Static RAM ;; Organization = 512Kx8 ;; Vcc(V) = 2.7~3.6 ;; Speed-tAA(ns) = 70,85 ;; Operating Temperature = I,a ;; Operating Current(mA) |
K6X4016C3F Description = K6X4016C3F 256K X 16 Bit Low Power Full CMOS Static RAM ;; Organization = 256Kx16 ;; Vcc(V) = 4.5~5.5 ;; Speed-tAA(ns) = 55,70 ;; Operating Temperature = I,a ;; Operating Current(mA) = 50 ;; Standby |
K6X4016T3F Description = K6X4016T3F 256K X 16 Bit Low Power And Low Voltage CMOS Static RAM ;; Organization = 256Kx16 ;; Vcc(V) = 2.7~3.6 ;; Speed-tAA(ns) = 70,85 ;; Operating Temperature = I,a ;; Operating Current(mA) |
K6X8008C2B Description = K6X8008C2B 1Mx8 Bit Low Power And Low Voltage CMOS Static RAM ;; Organization = 1024Kx8 ;; Vcc(V) = 4.5~5.5 ;; Speed-tAA(ns) = 55,70 ;; Operating Temperature = C,i ;; Operating Current(mA) |
K6X8008T2B Description = K6X8008T2B 1Mx8 Bit Low Power And Low Voltage CMOS Static RAM ;; Organization = 1024Kx8 ;; Vcc(V) = 2.7~3.6 ;; Speed-tAA(ns) = 55,70 ;; Operating Temperature = C,i ;; Operating Current(mA) |
K6X8016C3B Description = K6X8016C3B 512Kx16 Bit Low Power Full CMOS Static RAM ;; Organization = 512Kx16 ;; Vcc(V) = 4.5~5.5 ;; Speed-tAA(ns) = 55,70 ;; Operating Temperature = C,i ;; Operating Current(mA) = 60 ;; Standby |
K3P4C1000E : 8M bit Description = K3P4C1000E 8M-Bit(1Mx8,512Kx16) CMOS Mask ROM ;; Organization = 1Mx8,512Kx16 ;; Voltage(V) = 5.0 ;; Speed(ns) = 100/30(Max.)@CL=50pF ;; Current (mA/uA) = 80/50 ;; Package = 44SOP,44TSOP2,42DIP ;; Production Status = Mass Production ;; Comments = - KM641003AJ : Fast SRAM Description = KM641003A 256K X 4 Bit (with Oe)high-speed CMOS Static RAM ;; Organization = 256Kx4 ;; Vcc(V) = 5.0 ;; Speed-tAA(ns) = 12,15,20 ;; Operating Temperature = C ;; Operating Current(mA) = 150 ;; Standby Current(mA) = 8 ;; Package = 32SOJ ;; Production Status = Eol ;; Comments = - KMM366S203CT-GH : Unbuffered DIMM Description = KMM366S203CT 2Mx64 Sdram Dimm Based on 2Mx8, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs With SPD ;; Density(MB) = 16 ;; Organization = 2Mx64 ;; Bank/ Interface = 2B/LVTTL ;; Refresh = 4K/64ms ;; Speed = G8,GH,GL ;; #of Pin = 168 ;; Power = G ;; Component Composition = (2Mx8)x8+EEPROM ;; Produc M53231600BJ0 : SIMM Description = M53231600BJ0 16MB X 32 DRAM Simm Using 16MB X 4, 4KB Refresh, 5V ;; Density(MB) = 64 ;; Organization = 16Mx32 ;; Mode = Edo ;; Refresh = 4K/64ms ;; Speed(ns) = 50,60 ;; #of Pin = 72 ;; Component Composition = (16Mx4)x8 ;; Production Status = Eol ;; Comments = Gold S5D2508A01 : Display & Video Description = S5D2508A01 Osd Processor For Monitor ;; Function = Osd ;; Features = 96MHz/16 Colors,256 Fonts ;; Package = 16DIP ;; Production Status = Mass Production M378T6453FG0-CD5 : DDR2 Unbuffered Sdram Module 240pin Unbuffered Module Based on 512mb C-die 64/72-bit Non-ecc/ecc K4M56323LE-ML1H : 2M x 32bit x 4 Banks Mobile Sdram in 90fbga KFH4G16D2M-DED5 : Flash Memory(54mhz) DS_K9F1208U0M : 64M x 8 Bit NAND Flash Memory AT-SC-A-M6-16-C : RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR, 20 dB INSERTION LOSS-MAX Specifications: Attenuator Type: Fixed ; Insertion Loss: 20 dB ; Attenuation: 1 dB K4H561638F-TLB00 : 16M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 Specifications: Memory Category: DRAM Chip ; Density: 268435 kbits ; Number of Words: 16000 k ; Bits per Word: 16 bits ; Package Type: FBGA-60 ; Pins: 60 ; Logic Family: CMOS ; Supply Voltage: 2.5V ; Access Time: 0.7500 ns ; Operating Temperature: 0 to 70 C (32 to 158 F) |
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466 comentários de compradores de Brazil
Nicole Nelson
Length of registration:7 years
The K6X4008C1F-DF55 integrated circuit is a powerful and reliable device that provides a wide range of features and functions. It is designed to provide high-speed data transfer and memory access, making it ideal for a variety of applications. The device is also designed to be low power, making it suitable for battery-powered systems. The K6X4008C1F-DF55 is an excellent choice for anyone looking f
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03/17/2023
Método de pagamento Europeu
Método de pagamento Ásia
Método de pagamento América
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Encomenda
Pagamento
Frete
Cupão de Presente/Serviço Plus
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K6X4008C1F-DF55
K6X4008C1F-DF55 tem várias marcas em todo o mundo que podem ter nomes alternativos para K6X4008C1F-DF55 devido a diferenças ou aquisições regionais. K6X4008C1F-DF55 também pode ser conhecido como os seguintes nomes:
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Seu atendimento dedicado, proporcionando a você o melhor atendimento a qualquer momento.
Especialistas em produção interrompida, podemos fornecer um grande número de componentes eletrônicos que foram interrompidos e são difíceis de encontrar, para facilitar a empresa de manutenção
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