BSS123NH6433XTMA1
Categoria de produto: Componentes Electrónicos
Description
Infineon OptiMOS? Small Signal MOSFETs
Parámetros
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Tipo de canal:
N
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Corriente máxima de drenaje continuo:
190 mA
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Voltaje máximo de la fuente de drenaje:
100 V
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Resistencia máxima de la fuente de drenaje:
10 Ω
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Voltaje máximo del umbral de la compuerta:
1.8V
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Voltaje mínimo del umbral de la compuerta:
0.8V
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Voltaje máximo de la fuente de la compuerta:
-20 V, +20 V
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Tipo de paquete:
SOT-23
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Tipo de montaje:
Surface Mount
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Recuento de pines:
3
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Configuración del transistor:
Single
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Modo de canal:
Enhancement
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Categoría:
Small Signal
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Disipación de potencia máxima:
500 mW
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Altura:
1mm
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Serie:
OptiMOS
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Temperatura de funcionamiento máxima:
+150 °C
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Longitud:
2.9mm
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Tiempo típico de retardo de encendido:
2.3 ns
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Temperatura de funcionamiento mínima:
-55 °C
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Cargo típico de puerta @ Vgs:
0.6 nC @ 10 V
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Capacitancia de entrada típica @ Vds:
15.7 pF @ 25 V
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Tiempo de retardo de apagado típico:
7.4 ns
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Anchura:
1.3mm
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Cantidad de elementos por chip:
1
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Material del transistor:
Si
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Dimensiones:
2.9 x 1.3 x 1mm
Tabla Bilingüe
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Channel Type:
N
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Maximum Continuous Drain Current:
190 mA
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Maximum Drain Source Voltage:
100 V
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Maximum Drain Source Resistance:
10 Ω
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Maximum Gate Threshold Voltage:
1.8V
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Minimum Gate Threshold Voltage:
0.8V
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Maximum Gate Source Voltage:
-20 V, +20 V
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Package Type:
SOT-23
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Mounting Type:
Surface Mount
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Pin Count:
3
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Transistor Configuration:
Single
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Channel Mode:
Enhancement
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Category:
Small Signal
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Maximum Power Dissipation:
500 mW
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Height:
1mm
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Series:
OptiMOS
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Maximum Operating Temperature:
+150 °C
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Length:
2.9mm
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Typical Turn-On Delay Time:
2.3 ns
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Minimum Operating Temperature:
-55 °C
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Typical Gate Charge @ Vgs:
0.6 nC @ 10 V
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Typical Input Capacitance @ Vds:
15.7 pF @ 25 V
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Typical Turn-Off Delay Time:
7.4 ns
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Width:
1.3mm
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Number of Elements per Chip:
1
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Transistor Material:
Si
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Dimensions:
2.9 x 1.3 x 1mm