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2SC3281 Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR

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2SC3281

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Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR

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ECAD Module
Código de fecha: 15+
Paquete / caja: TO-3PL

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ECAD Module

Atributos del producto

Features

● VCBO Collector-base voltage Open emitter 200V

● VCEO Collector-emitter voltage Open base 200V

● VEBO Emitter-base voltage Open collector 5V

● IC Collector current 15A

● IB Base current 1.5A

● PC Collector power dissipation TC=25℃ 150W

● Tj Junction temperature 150℃

● Tstg Storage temperature -55~150℃

Description

Transistor is a semiconductor device that is used for switching or amplification of electrical signals and have at least three terminals. Power transistors are devices which are designed to withstand large currents and are thus used in power intensive applications.

2SC3281 is a silicon NPN power transistor. Transistors are generally manufactured from pure silicon or germanium however IC 2SC3281 is manufactured using silicon, these type of transistors are called bipolar junction transistors because they can conduct using both types of charge carriers. IC under reference is in NPN configuration which means it has N-type emitter, collector and P-type base.

Pictorial View

A pictorial view of the IC 2SC3281 is shown in figure below

SupplierFile/202006/04/f_e5fc04237ba043c088da4cefcf239fad.png

IC 2SC3281 is available with TO-3PL package and it can complement to IC 2SA1302 which is a high power PNP silicon transistor.

Pin Description

Pin description of the IC 2SC3281 is given below

Pin	Description	Doping
1	Base	P- type
2	Collector	N-type
3	Emitter	N-type

IC Electrical Characteristics/ Specifications

IC 2SC3281 is available as single discrete electrical component (transistor), IC can be mounted on printed circuit boards in through hole configuration. Some core parameters of the IC are given below

Parameter	Description	Value
Transistor type	NPN	-
Material	Silicon	-
I_C	Collector current	15A
I_B	Base current	1.5A
Power	Max Power	150W
h_FE	DC current gain	55-160
f_T	Transition frequency	25MHz
VCBO	Collector-base voltage (Open emitter)	200V
VCEO	Collector-emitter voltage (Open base)	200V
VEBO	Emitter-base voltage (Open collector)	5V
Tstg	Storage temperature	-55~150

Working Principle

Since IC 2SC3281 is a NPN transistor, transistors can be used as switching device or as an amplifier depending upon the requirement of the user. To use the transistor as switch, it has to be operated in cut-off or in saturation region of its characteristic curve, which represents the OFF and ON switch accordingly. In order to use the transistor as an amplifier it has to be so biased that the operates in the active region of its characteristic curve.

Applications

IC 2SC3281 Silicon NPN power transistor IC is widely used for the following applications

● Power amplifier

● General purpose amplifier

● 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage

● Switching applications

As Switch

Transistors can be used as a switch, similarly IC 2SC3281 can also be used as a switch. As described earlier to use a transistor as a switch it has to be operated in cutoff and saturation region.

SupplierFile/202006/04/f_f60ac2d1f9a2440081d5f5fcce664da1.png

Transistor utilized as switch in grounded emitter configuration is shown in figure. When switch “S” is closed a signal is applied to base of the transistor and it begins to conduct, transistor will be operating in saturation mode. The load connected to the collector terminal of the IC 2SC3281 will being to operate. It is important to note here, since the maximum current rating of IC 2SC3281 is 15A, a load having current rating of more than 15A should not be directly used with transistor.

As Amplifier

SupplierFile/202006/04/f_6f3a823bd09346f5bc3e33a46e044256.png

IC 2S3281 is a power transistor, it is used in high power applications specially in high power amplifiers. A 100-watt power amplifier by MOTOROLA using IC 2SC3281 is shown in figure above. The input stage of the circuit consists of the complementary pair transistors, second stage provides the initial voltage gain also called trans conductance stage and finally IC 2SC3281 is employed to achieve the power gain of up to 100watts

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The chip is very good and there is no problem. I will continue to place orders in batches in the future, and I will like it when I am satisfied.

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11/23/2022

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2SC3281

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