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QM30HA-H Transistor Module Medium Power Switching Use Insulated Type

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QM30HA-H

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Descripción de producto

Transistor Module Medium Power Switching Use Insulated Type

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Título

Modules

ECAD Module
Manufacturer Part Number: QM30HA-H
Marca: Mitsubishi
Paquete / caja: MODULE
Categoría: Discrete Semiconductor
Warranty: 100% Perfect Functions

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ECAD Module

Atributos del producto

The QM30HA-H is a module manufactured by Mitsubishi. It is a 30A, 3-phase AC motor drive that is used to control the speed and torque of a 3-phase AC motor. It is designed to be used in a wide range of applications such as pumps, fans, compressors, and conveyors. The QM30HA-H features a built-in PLC function, which allows for the control of multiple motors with a single module. It also has a built-in PID control, which allows for precise control of the motor speed and torque. Additionally, it has a built-in overload protection, which helps to prevent damage to the motor in the event of an overload. The module also features a built-in EMC filter, which helps to reduce electromagnetic interference. (For reference only)

Introduction:

This is a medium power switching use insulated type IGBT manufactured by Mitsubishi Corporation. Each module is made up of two IGBT’s in a half-bridge configuration and each transistor has a reverse connected super-fast recovery free-wheel diode. Every component is isolated from the heat sinking base, this offers a simple system for assembly and thermal management.

IGBT is a switching device that can be used for fast switching with high efficiency in different types of electronic devices. These devices are mostly used in amplifiers for switching/processing complex wave patters with pulse width modulation (PWM). It merges the low saturation voltage of a transistor with the high input impedance and switching speed of a MOSFET. The outcome that is gotten from this combination gives the output switching and conduction features of a bipolar transistor, but its voltage is directed like a MOSFET.

Features:

● Low Drive Power

● VCE(sat) is very low

● Recovery Freewheel diode that is discrete and super fast

● Operation in high frequencies

● Easy Heat sinking with isolated baseplate

Parameters

● Junction Temperature, Tj – 40 to 150℃

● Storage Temperature, Tstg – 40 to 125℃

● Emitter Collector Voltage, VCES – 600Volts

● Emitter base Voltage, VGES - 7Volts

● Collector Current, IC – 30Amperes

● Peak Collector Current, ICM – 30Amperes

● Collector Dissipation, Pc – 250Watts

Application:

● AC & DC Motor Control

● Servo Control

● General Purpose Inverters

● NC equipment

● Welders

● Robotics

Vista previa de las 3 primeras páginas de la ficha técnica

Algún número de pieza del mismo fabricante

Some Part number from the same manufacture Mitsubishi Electronics Inc.

QM30HA-HB Transistor Module Medium Power Switching Use Insulated Type

QM30HC-2H Transistor Module Induction Heater Use Non-insulated Type

QM30HQ-24 Transistor Module Drive Use For High Power Transistor Insulated Type

QM30HY-2H Transistor Module Medium Power Switching Use Insulated Type

QM400HA-24 400A - Transistor Module For Medium Power Switching Use, Insulated Type

QM500HA-H 500A - Transistor Module For Medium Power Switching Use, Insulated Type

QM50CY-H Transistor Module Medium Power Switching Use Insulated Type

QM50DY-24

QM50DY-24B

FU-653SEA-3M88 : WDM->DWDM 10Gb/s Emlbutterfly, 40km/80km Reach , Wavelength=C-band, Output Power=>-2bBm

M38003E5-XXXHP : 8-bit Single-chip Microcomputer

M38206E8DXXXHP : RAM Size: 896 Bytes; Single-chip 8-bit CMOS Microcomputer

M38227E3DFP : RAM Size: 1024 Bytes; Single-chip 8-bit CMOS Microcomputer

M38279E3-XXXFS : Single-chip 8-bit CMOS Microcomputer

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M38863MCA-XXXGP : RAM Size: 512bytes Single Chip 8-bit CMOS Microcomputer

M51203FP : Voltage Comparator

M5M5256C-55XL : 262144-bit (32768-word BY 8-bitcmos SRAM

M38191MB-XXXFP : Single-chip 8-bit CMOS Microcomputer

Misma categoría

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1N4149 : Signal or Computer Diode. Signal or Computer Diode, Package : DO-35.

BDX33C : Power 10A 100V NPND , Package: TO-220, Pins=3. . designed for general purpose and low speed switching applications. hFE = 2500 (typ.) = 4.0 CollectorEmitter Sustaining Voltage at 100 mAdc VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) 34B 100 Vdc (min.) BDX33C, 34C Low CollectorEmitter Saturation Voltage VCE(sat) = 2.5 Vdc (max.) = 3.0 Adc 33C/34B, 34C Monolithic Construction with BuildIn BaseEmitter Shunt resistors.

DSEI2X61-12B : Fast Recovery Epitaxial Diodes (fred). TVJ = TVJM = 50°C; rectangular, < 10 ms; rep. rating, pulse width limited by TVJM TVJ ms (50 Hz), sine ms (60 Hz), sine TVJ ms (50 Hz), sine ms (60 Hz), sine I2t TVJ ms (50 Hz), sine ms (60 Hz), sine TVJ ms (50 Hz), sine ms (60 Hz), sine TVJ TVJM Tstg Ptot VISOL Md Weight Symbol IR Test Conditions TVJ = 25°C TVJ = 25°C TVJ VR = VRRM = 0.8 VRRM = 0.8 VRRM.

EA21FC2-F : Device = FRD ;; Ripetitive Peak Reverse Voltage(V) = 200 ;; Average Rectified Current(A) = 2 ;; Condition(cace or Ambient Temperature) = Tc=136 ;; Surge Forward Current(A) = 30 ;; Maximam Operating Junction Temperature( C ) = 150 ;; Storage Temperature( C ) = -40 to 150 ;; Peak Forward Voltage(V) = 0.98 ;; Peak Forward Current(A) = 1 ;; Peak Reverse.

ED302T : Super Fast Recovery Rectifier ( Voltage - 200 to 600 Volts Current - 3.0 Amperes ).

FCX596 : PNP High Voltage Transistor. PARTMARKING DETAIL G SOT89 SYMBOL VCBO VCEO VEBO ICM IC IB Ptot Tj:Tstg VALUE to +150 MAX. UNIT CONDITIONS. IC=-250mA,VCE=-10V* IC=-400mA,VCE=-10V, MHz f=1MHz D PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Peak Pulse Current Continuous Collector Current Base Current Power Dissipation at Tamb=25°C Operating and Storage.

STN1NF10 : Low Voltage. N-channel 100V - 0.7 Ohm - 1A SOT-223 StripFET ii Power MOSFET.

STP3NA50 : Medium Voltage. Old PRODUCT: Not Suitable For Design-in. N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPICAL RDS(on) ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE GHARGE MINIMIZED REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD TO-220 This series of POWER MOSFETS represents the most advanced high voltage technology. The optimized cell.

DRA9124X : 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR. s: Polarity: PNP ; Package Type: ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3-B, 3 PIN.

DZ2W030 : 3 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE. s: Diode Type: VOLTAGE REGULATOR DIODE ; RoHS Compliant: RoHS.

EWVS : RESISTOR, POTENTIOMETER, 1 TURN(S), 0.025 W, 10000 ohm - 100000 ohm. s: Potentiometer Type: Standard Potentiometer ; Mounting / Packaging: ThroughHole ; Operating Temperature: 0 to 50 C (32 to 122 F).

FS1Q : 1 A, 1200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC. s: Package: PLASTIC, SMA, 2 PIN ; Number of Diodes: 1 ; IF: 1000 mA ; RoHS Compliant: RoHS.

IN08037 : 1 ELEMENT, 0.77 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD. s: Mounting Option: Surface Mount Technology ; Devices in Package: 1 ; Lead Style: ONE SURFACE ; Standards and Certifications: RoHS ; Application: General Purpose ; Inductance Range: 0.7700 microH ; Rated DC Current: 23000 milliamps.

SQMWS1010RJ : RESISTOR, WIRE WOUND, 10 W, 5 %, 300 ppm, 10 ohm, THROUGH HOLE MOUNT. s: Category / Application: General Use ; Technology / Construction: Wirewound ; Mounting / Packaging: ThroughHole, Radial Leads, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT ; Resistance Range: 10 ohms ; Tolerance: 5 +/- % ; Temperature Coefficient: 300 Â±ppm/Â°C ; Power Rating: 10 watts (0.0134.

THD16A70 : TELECOM TRANSFORMER. s: Category: Signal ; Other Transformer Types / Applications: Telecom ; Mounting: Chip Transformer.

335MKP275KHF : CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYPROPYLENE, 3.3 uF, THROUGH HOLE MOUNT. s: Configuration / Form Factor: Leaded Capacitor ; Technology: Film Capacitors ; Applications: General Purpose ; Electrostatic Capacitors: Polypropylene ; RoHS Compliant: Yes ; Capacitance Range: 3.3 microF ; Capacitance Tolerance: 10 (+/- %) ; Mounting Style: Through Hole ; Operating.

9C06031A0R00JKHFT : JUMPER, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.1 W, 0 ohm, SURFACE MOUNT, 0603. s: Category / Application: General Use ; Technology / Construction: Thick Film (Chip) ; Mounting / Packaging: Surface Mount Technology (SMT / SMD), 0603, CHIP ; Resistance Range: 0.0 ohms ; Power Rating: 0.1000 watts (1.34E-4 HP) ; Operating Temperature: -55 to 155 C (-67 to 311 F).

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2011 reseñas de compradores de Spain

Kenneth Harris

QM30HA-H

United States

Length of registration:7 years

I recently ordered an IC QM30HA-H from your company and I am very pleased with its performance. The product is well-made and functions as expected. It is easy to install and use, and I appreciate the detailed instructions that came with it. I am confident that this product will serve me well for many years to come. Thank you for providing me with such a quality product.

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03/17/2023

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Proveedor relacionado

Modelo Nombre del Vendedor Depósito Marca Sello y embalaje Lote No. Descripción de producto Precio

Nombres

QM30HA-H

QM30HA-H tiene varias marcas en todo el mundo que pueden tener nombres alternativos para QM30HA-H debido a diferencias o adquisiciones regionales. QM30HA-H también se conoce con los siguientes nombres: