6DI50MB-050
Categoría: transistoresde tipo Darlington.
Descripción de producto: Power Transistor Module
Price range ($)
31.24157 44.57086
Pedido
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Pago
- UTSOURCE admite pagos globales, incluyendo US PAYPAL, tarjetas de crédito (VISA, MASTERCARD, AMERICAN EXPRESS, JCB), WEST UNION, Moneygram.
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- Oriente Medio: CashU, Onecard.
- Sudeste Asiático: MOLPay.
- Métodos comunes en Rusia: Qiwi, Yandex Money, WebMoney.
- Pago en Países Bajos: iDEAL, Polish Dotpay.
- Pago en Brasil: Boleto.
- Los métodos de pago mencionados cuentan con una alta participación de mercado en el área local y una gran satisfacción con los pagos; son métodos de pago fáciles de usar.
Transporte de mercancía
- Se pueden seleccionar USPS, FedEx, DHL y UPS.
- Exprés: (FEDEX, UPS, DHL, TNT). Envío gratis para los primeros 0.5kg en pedidos superiores a 200$. El soprepeso se cobra de manera separada.
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- El envío puede incluir costos adicionales si vive en un área remota.
- El precio del envío de su pedido se calcula automáticamente en el carrito de compra. Si tiene alguna pregunta sobre los gastos de envío, escríbanos y se los confirmaremos personalmente.
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- El número de seguimiento del envío puede enviarse por email o puede dirigirse a la App o página web, abrir el "Centro de cuenta" y revisar cuándo se envío su pedido.
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Cupón Regalo/Servicio Plus
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- Utsource ofrece un servicio al cliente profesional en todo el mundo, en Estados Unidos, México, Brasil, Italia, Francia, Alemania y muchos otros lugares.
Retorno de mercancías
Normalmente se aceptan devoluciones cuando se completan dentro de los 60 días a partir de la fecha de entrega del paquete.
Defectuoso (proporcione un informe de calidad de terceros de productos no conformes)
Los gastos de devolución deben ser prepagos; No aceptaremos envíos contra reembolso.
Politica de garantía
Todas las compras de UTSOURCE tienen una política de devolución de dinero de 60 días, más una garantía de UTSOURCE de 90 días contra cualquier defecto de fabricación. Esta garantía no se aplicará a ningún artículo donde los defectos hayan sido causados por un montaje incorrecto del cliente, el incumplimiento del cliente de seguir las instrucciones, la modificación del producto , operación negligente o inadecuada.
6DI50MB-050
6DI50MB-050 tiene varias marcas en todo el mundo que pueden tener nombres alternativos para 6DI50MB-050 debido a diferencias o adquisiciones regionales. 6DI50MB-050 también se conoce con los siguientes nombres:
All sellers
2
Para estrenar
2
Certificado preowned
2
Oficial
2
Parte tercero
2
Descripción de producto
6DI50MB-050
Depósito:0 |
Fuji Electric 03+ |
Power Transistor Module |
|
Sin existencias |
6DI50MB-050
Depósito:9999 |
Fuji Electric 10+ |
Power Transistor Module |
≥1: €44.57086 €41.89661 ≥2: €44.57086 €41.89661 ≥5: €43.08517 €40.50006 ≥10: €42.49089 €39.94143 ≥20: €42.19375 €39.66212 ≥30: €41.59947 €39.10350 ≥50: €41.59947 €39.10350 ≥100: €41.30233 €38.82419 ≥500: €41.00519 €38.54488
Más:
Pida su cotización
|
6DI50MB-050
Depósito:10000 |
Fuji Electric 15+ |
Power Transistor Module |
≥1: €36.88636 €34.67318
Más:
Pida su cotización
|
Introduction:
The Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is an essential component of what makes a VFD (Variable Frequency Drive).it has a lot of features then any other module. When dismantling a VFD, another easy way to analyze it is to think about the three main components: the bridge converter, the DC link, and what we're going to talk about today, the inverter.
Core Parameters:
● RoHS compliant
● It has a few frequency controlled inverter devices
● Switching is optimized
● Switching is easy and helpful
Circuit Diagram:
Working:
In the first phase of IGBT growth, all researchers have tried to add a current latch-up itself to suppress the parasitic thyristor constipation. However, all these efforts have failed because the IGBT is capable of doing so far. Successful latch-up compression is done by limiting the large collector, which can run the IGBT, under the latch-up handle by controlling / reducing the current MOSFET rating. This has been the idea of IGBT not using latch. "Becke's device" was made possible by an educational IGBT. IGBT is characterized by its ability to simultaneously handle high voltage and high speed. The electrical output and current density that the IGBT can reach is greater than 5 x 105W / cm2, [17] [18], which is more than 2 x 105W / cm2, of existing power devices such as bipolar transistors and MOSFET. This is the result of a large and secure working environment for the IGBT.
Applications:
● Active front end
● Standalone drives
● Welding
● Solar central inverter
● Solar etc.
E-catalog
Cálculo de flete
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