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Description: The CS150N04A8W is a high-voltage N-channel MOSFET with a TO-220(TO-220-3) package. It is designed for high-speed switching applications. Features: Low on-resistance Low gate charge L
Depósito:562
Mínimo:5
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Depósito:5
Mínimo:1
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Depósito:1991
Mínimo:4
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Depósito:130
Mínimo:6
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Depósito:1075
Mínimo:5
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Depósito:17350
Mínimo:50
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Depósito:2734
Mínimo:2
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DIODES INCORPORATED FZT949TA is a PNP Bipolar Transistor in a SOT-223 package. It is designed for general purpose switching and amplification applications. Features: Low Collector-Emitter Saturation
Depósito:211
Mínimo:3
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Depósito:2380
Mínimo:10
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Depósito:1200
Mínimo:50
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Depósito:2455
Mínimo:6
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Description: The SI2369DS-T1-GE3 is a P-channel enhancement mode MOSFET with low on-resistance and fast switching speed. It is designed for use in low voltage applications such as load switching, batt
Depósito:2665
Mínimo:5
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Depósito:2305
Mínimo:5
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The 2SC5866TLQ is a NPN epitaxial planar silicon transistor manufactured by ROHM Semiconductor. It is designed for use in high-speed switching applications. Features: High speed switching Low
Depósito:70
Mínimo:5
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Depósito:751
Mínimo:6
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Description: The GOFORD 630A-252 is a TO-252-2(DPAK) package. It is a surface mount package with two leads. Features: - Low profile package - Lead-free and RoHS compliant - High temperature performa
Depósito:3006
Mínimo:6
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Depósito:390
Mínimo:7
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Depósito:1600
Mínimo:20
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Depósito:2620
Mínimo:5
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Description: The 2SC1815L-GR-T92-B is a NPN transistor in a TO-92 package. It is designed for use in switching and amplifier applications. Features: Low collector-emitter saturation voltage High
Depósito:3940
Mínimo:20
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