2N7002PV
Categoria de producto: Componentes Eletrônicos
Description
Dual N-Channel MOSFET, Nexperia
Parâmetros
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Tipo de canal:
N
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Corrente de drenagem contínua máxima:
350 mA
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Tensão máxima da fonte de drenagem:
60 V
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Resistência máxima da fonte de drenagem:
1.6 Ω
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Tensão máxima do limite do portão:
2.4V
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Tensão mínima do limite do portão:
1.1V
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Tensão máxima da fonte do portão:
-20 V, +20 V
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Tipo de pacote:
SOT-666
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Tipo de montagem:
Surface Mount
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Contagem de Pin:
6
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Configuração do transistor:
Isolated
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Modo de canal:
Enhancement
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Dissipação máxima de energia:
390 mW
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Altura:
0.6mm
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Temperatura operacional máxima:
+150 °C
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Comprimento:
1.7mm
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Dimensões:
1.7 x 1.3 x 0.6mm
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Tempo típico de atraso de desativação:
10 ns
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Tempo típico de atraso de ativação:
3 ns
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Temperatura operacional mínima:
-55 °C
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Taxa típica do portão @ Vgs:
0.6 nC @ 4.5 V
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Capacidade típica de entrada @ Vds:
30 pF @ 10 V
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Largura:
1.3mm
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Número de elementos por chip:
2
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Material do transistor:
Si
Tabela Bilingue
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Channel Type:
N
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Maximum Continuous Drain Current:
350 mA
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Maximum Drain Source Voltage:
60 V
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Maximum Drain Source Resistance:
1.6 Ω
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Maximum Gate Threshold Voltage:
2.4V
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Minimum Gate Threshold Voltage:
1.1V
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Maximum Gate Source Voltage:
-20 V, +20 V
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Package Type:
SOT-666
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Mounting Type:
Surface Mount
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Pin Count:
6
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Transistor Configuration:
Isolated
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Channel Mode:
Enhancement
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Maximum Power Dissipation:
390 mW
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Height:
0.6mm
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Maximum Operating Temperature:
+150 °C
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Length:
1.7mm
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Dimensions:
1.7 x 1.3 x 0.6mm
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Typical Turn-Off Delay Time:
10 ns
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Typical Turn-On Delay Time:
3 ns
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Minimum Operating Temperature:
-55 °C
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Typical Gate Charge @ Vgs:
0.6 nC @ 4.5 V
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Typical Input Capacitance @ Vds:
30 pF @ 10 V
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Width:
1.3mm
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Number of Elements per Chip:
2
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Transistor Material:
Si