BSS123NH6327XTSA1
Categoria de producto: Componentes Eletrônicos
Description
Infineon OptiMOS? Small Signal MOSFETs
Parâmetros
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Tipo de canal:
N
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Corrente de drenagem contínua máxima:
190 mA
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Tensão máxima da fonte de drenagem:
100 V
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Resistência máxima da fonte de drenagem:
10 Ω
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Tensão máxima do limite do portão:
1.8V
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Tensão mínima do limite do portão:
0.8V
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Tensão máxima da fonte do portão:
-20 V, +20 V
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Tipo de pacote:
SOT-23
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Tipo de montagem:
Surface Mount
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Configuração do transistor:
Single
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Contagem de Pin:
3
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Modo de canal:
Enhancement
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Categoria:
Small Signal
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Dissipação máxima de energia:
500 mW
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Material do transistor:
Si
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Dimensões:
2.9 x 1.3 x 1mm
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Comprimento:
2.9mm
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Largura:
1.3mm
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Tempo típico de atraso de ativação:
2.3 ns
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Número de elementos por chip:
1
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Capacidade típica de entrada @ Vds:
15.7 pF @ 25 V
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Taxa típica do portão @ Vgs:
0.6 nC @ 10 V
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Tempo típico de atraso de desativação:
7.4 ns
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Temperatura operacional mínima:
-55 °C
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Altura:
1mm
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Series:
OptiMOS
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Temperatura operacional máxima:
+150 °C
Tabela Bilingue
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Channel Type:
N
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Maximum Continuous Drain Current:
190 mA
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Maximum Drain Source Voltage:
100 V
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Maximum Drain Source Resistance:
10 Ω
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Maximum Gate Threshold Voltage:
1.8V
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Minimum Gate Threshold Voltage:
0.8V
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Maximum Gate Source Voltage:
-20 V, +20 V
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Package Type:
SOT-23
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Mounting Type:
Surface Mount
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Transistor Configuration:
Single
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Pin Count:
3
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Channel Mode:
Enhancement
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Category:
Small Signal
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Maximum Power Dissipation:
500 mW
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Transistor Material:
Si
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Dimensions:
2.9 x 1.3 x 1mm
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Length:
2.9mm
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Width:
1.3mm
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Typical Turn-On Delay Time:
2.3 ns
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Number of Elements per Chip:
1
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Typical Input Capacitance @ Vds:
15.7 pF @ 25 V
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Typical Gate Charge @ Vgs:
0.6 nC @ 10 V
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Typical Turn-Off Delay Time:
7.4 ns
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Minimum Operating Temperature:
-55 °C
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Height:
1mm
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Series:
OptiMOS
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Maximum Operating Temperature:
+150 °C