BSS138PS
Categoria de producto: Componentes Eletrônicos
Description
Dual N-Channel MOSFET, Nexperia
Parâmetros
-
Tipo de canal:
N
-
Corrente de drenagem contínua máxima:
320 mA
-
Tensão máxima da fonte de drenagem:
60 V
-
Resistência máxima da fonte de drenagem:
1.6 Ω
-
Tensão máxima do limite do portão:
1.5V
-
Tensão mínima do limite do portão:
0.9V
-
Tensão máxima da fonte do portão:
-20 V, +20 V
-
Tipo de pacote:
SOT-363 (SC-88)
-
Tipo de montagem:
Surface Mount
-
Contagem de Pin:
6
-
Configuração do transistor:
Isolated
-
Modo de canal:
Enhancement
-
Dissipação máxima de energia:
320 mW
-
Largura:
1.35mm
-
Número de elementos por chip:
2
-
Temperatura operacional máxima:
+150 °C
-
Altura:
1mm
-
Comprimento:
2.2mm
-
Dimensões:
2.2 x 1.35 x 1mm
-
Material do transistor:
Si
-
Tempo típico de atraso de ativação:
2 ns
-
Temperatura operacional mínima:
-55 °C
-
Taxa típica do portão @ Vgs:
0.72 nC @ 4.5 V
-
Capacidade típica de entrada @ Vds:
38 pF @ 10 V
-
Tempo típico de atraso de desativação:
9 ns
Tabela Bilingue
-
Channel Type:
N
-
Maximum Continuous Drain Current:
320 mA
-
Maximum Drain Source Voltage:
60 V
-
Maximum Drain Source Resistance:
1.6 Ω
-
Maximum Gate Threshold Voltage:
1.5V
-
Minimum Gate Threshold Voltage:
0.9V
-
Maximum Gate Source Voltage:
-20 V, +20 V
-
Package Type:
SOT-363 (SC-88)
-
Mounting Type:
Surface Mount
-
Pin Count:
6
-
Transistor Configuration:
Isolated
-
Channel Mode:
Enhancement
-
Maximum Power Dissipation:
320 mW
-
Width:
1.35mm
-
Number of Elements per Chip:
2
-
Maximum Operating Temperature:
+150 °C
-
Height:
1mm
-
Length:
2.2mm
-
Dimensions:
2.2 x 1.35 x 1mm
-
Transistor Material:
Si
-
Typical Turn-On Delay Time:
2 ns
-
Minimum Operating Temperature:
-55 °C
-
Typical Gate Charge @ Vgs:
0.72 nC @ 4.5 V
-
Typical Input Capacitance @ Vds:
38 pF @ 10 V
-
Typical Turn-Off Delay Time:
9 ns