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Descrição do produto
Transistor Module High Power Switching Use Insulated Type
Título
Modules
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Algum número de peça do mesmo fabricante
Some Part number from the same manufacture Mitsubishi Electronics Inc. |
QM100HA-H |
QM100HC-M 100A - Transistor Module For Medium Power Switching Use, Insulated Type |
QM100HY-2H |
QM100HY-H |
QM100TX1-H |
QM100TX1-HB |
QM10HA-HB Transistor Module Medium Power Switching Use Insulated Type |
QM10HB-2H Transistor Module Drive Use For High Power Transistor Insulated Type |
QM150CY-H 150A - Transistor Module For Medium Power Switching Use, Insulated Type |
QM150DY-24BK |
QM150DY-24K |
QM150DY-2HBK |
QM150DY-2HK |
QM150DY-3H |
QM150DY-HBK |
QM150DY-HK |
QM150HA-H |
QM150HY-2H 150A - Transistor Module For Medium Power Switching Use, Insulated Type |
QM150HY-H |
QM15DX-24 Transistor Module Medium Power Switching Use Insulated Type |
QM15DX-2H |
M38258M4-XXXGP : RAM Size: 1536 Bytes; Single-chip 8-bit CMOS Microcomputer M38270EDMXXXFP : Single-chip 8-bit CMOS Microcomputer M38276M3-XXXGP : Single-chip 8-bit CMOS Microcomputer M38279MDMXXXGP : Single-chip 8-bit CMOS Microcomputer M38508EA-XXXSS : RAM Size:1536 Bytes; Single-chip 8-bit Microcomputer M38748M4D-XXXGP : Single-chip 8-bit CMOS Microcomputer M5M417400B-7 : Asynchronous->5V FPM Fast Page Mode 16777216-bit (4194304-word BY 4-bit) Dynamic RAM M5M4V4265CJ-7 : RM20DA : Modules/Assembly Diodes Fast Recovery Diode Modules-high Speed Switching Use Insulated Type M52775 : VIF, SIF, Video, Chroma, Deflection FOR NTSC |
mesma categoria
Same catergory |
2SC4940 : . Storage Temperature Junction Temperature Collector to Base Voltage Collector to Emitter Voltage Emitter to Base Voltage Collector Current DC Collector Current Peak Base Current DC Base Current Peak Total Transistor Dissipation Dielectric Strength Mounting Torque Symbol Tstg Tj VCBO VCEO VEBO BP PT Vdis TOR Electrical Characteristics (Tc=25) Item Symbol. 2SJ229 : . Low ON resistance. Ultrahigh-speed switching. Low-voltage drive. Its height onboard is 9.5mm. Meets radial taping. s Parameter Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Drain Current (DC) Drain Current (Pulse) Allowable Power Dissipation Channel Temperature Storage Temperature Symbol VDSS VGSS ID IDP PD Tch Tstg PW10µs, duty cycle1% Conditions. AM27PS19175B3A : 16,384-bit ( 2048 X 8 ) Bipolar Prom. BAS16Q62702-A739 : Diode Switching Sot-23. Maximum Ratings Parameter Reverse voltage Peak reverse voltage Forward current Surge forward current, 1 µs Total power dissipation, 54 °C Junction temperature Storage temperature range Thermal Resistance Junction - ambient2) Junction - soldering point Rth JA Rth JS For detailed information see chapter Package Outlines. Package mounted on epoxy pcb mm/6. KSH30C : Epitaxial. PNP Epitaxial Silicon Transistor. General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, I" Suffix) Electrically Similar to Popular TIP30 and TIP30C Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted Symbol VCBO Parameter Collector-Base Voltage : KSH30C VCEO Collector-Emitter Voltage : KSH30C Emitter-Base. PHB130N03T : PHB130N03T; Trenchmos (tm) Transistor Standard Level Fet. N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting using 'trench' technology. The device very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications. SYMBOL VDS ID Ptot Tj RDS(ON). NTD6416ANL : Power MOSFET 100V 19A 74 Mohm Single N-Channel DPAK Logic Level Power MOSFET 100V 19A 74 mohm Single N-Channel DPAK Logic Level. IHM-22.2UH10% : 1 ELEMENT, 2.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR. s: Devices in Package: 1 ; Lead Style: Radial, PRINTED WIRING PIN ; Application: General Purpose, High Current ; Inductance Range: 2.2 microH ; Rated DC Current: 15000 milliamps ; Operating Temperature: -55 to 75 C (-67 to 167 F). PAP3 : RESISTOR, WIRE WOUND, 25 W, 5; 10; 20 %, 1000; 1500; 3000 ppm, 10 ohm - 400 ohm, CHASSIS MOUNT. s: Category / Application: General Use ; Technology / Construction: Wirewound ; Mounting / Packaging: Bolt-on Chassis, ROHS COMPLIANT ; Operating Temperature: -30 to 125 C (-22 to 257 F). PHP24N03LT127 : 24 A, 30 V, 0.056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB. s: Polarity: N-Channel ; MOSFET Operating Mode: Enhancement ; V(BR)DSS: 30 volts ; rDS(on): 0.0560 ohms ; Number of units in IC: 1. RJH60A01RDPD-E0J2 : IGBT. s: Transistor Type / Technology: IGBT. Reverse conducting IGBT with monolithic diode Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) 1.9 V typ. (at 5 A, VGE = 25°C) Built-in fast recovery diode (trr 100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching 85 ns typ. (at VCC 300 V, VGE = 25°C, inductive load) R07DS0803EJ0200. SQ4483EEY-T1-GE3 : 22000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET. s: Polarity: P-Channel ; MOSFET Operating Mode: Enhancement ; V(BR)DSS: 30 volts ; rDS(on): 0.0085 ohms ; Package Type: HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8 ; Number of units in IC: 1. TX1456 : TELECOM TRANSFORMER. s: Category: Signal ; Other Transformer Types / Applications: Telecom ; Mounting: Chip Transformer ; Operating Temperature: -40 to 85 C (-40 to 185 F). 555-8068-271-J-00 : 1 ELEMENT, 270 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD. s: Mounting Option: Surface Mount Technology ; Devices in Package: 1 ; Lead Style: ONE SURFACE ; Application: General Purpose, Power Choke ; Inductance Range: 270 microH ; Rated DC Current: 570 milliamps ; Operating Temperature: -30 to 100 C (-22 to 212 F). |
170 comentários de compradores de Portugal
JARED
Length of registration:1 years
The part is working fine
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10/07/2022
ALEXIS GRUET
Length of registration:2 years
Real part, fast service, highly recommended
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07/16/2021
carlos manuel silva ferreira
Length of registration:1 years
pre?o e qualidade agradaveis
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02/01/2020
Carlos Gomes
Length of registration:12 years
Very satisfied with
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11/22/2017
jorge soares
Length of registration:9 years
Very satisfied with
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11/09/2017
Francisco Americano
Length of registration:8 years
tudo ok
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03/17/2017
Virgilio Fernando Ferreira Moreno
Length of registration:1 years
Material completo
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02/23/2017
Vitrohm Portuguesa, Lda
Length of registration:7 years
Good service
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11/16/2016
Bernardino Gon?alves
Length of registration:8 years
goood
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11/14/2016
André Gomes
Length of registration:1 years
good quality
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10/21/2016
Método de pagamento Europeu
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Encomenda
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QM100DY-HK
QM100DY-HK tem várias marcas em todo o mundo que podem ter nomes alternativos para QM100DY-HK devido a diferenças ou aquisições regionais. QM100DY-HK também pode ser conhecido como os seguintes nomes:
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