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2DI200D-100

USED

Utsource certified used parts

As peças usadas certificadas pela Utsource fornecem as seguintes garantias:

1. A Utsource inspecionará as mercadorias, incluindo a inspeção da aparência (sem danos graves à aparência), selecionará fornecedores qualificados e honestos e garantirá uma taxa de qualificação de 98%.

2. Algumas peças são testadas pela máquina.

3. As peças certificadas pela Utsource podem ser devolvidas e reembolsadas incondicionalmente dentro de 60 dias.

Descrição do produto

Power Transistor Module

ECAD Module
Marca: Fuji Electric
Código de data: 00+
Pacote / Caso: MODULE

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ECAD Module

Atributos do produto

2DI200D-100 is a module manufactured by Fuji Electric. It is a 200A/600V IGBT module with a direct current busbar. It is designed for use in high power inverter applications such as motor drives, UPS systems, and renewable energy systems. It features a high power density, low switching losses, and a wide operating temperature range. It is suitable for use in high power applications such as motor drives, UPS systems, and renewable energy systems. (For reference only)

Algum número de peça do mesmo fabricante

Some Part number from the same manufacture Fuji Electric Corp.

2DI30D-050A Power Transistor Module

2DI50D-050A

2DI75D-050A

2FI100A Fast Recovery Diode Module

2FI100A-030C

2FI100F Fast Recovery Diode Module

2FI100F-030C

2FI100G Fast Recovery Diode Module

2FI100G-100C

2FI200A-060 Fast Recovery Diode Module

2FI200A-060C

2FI50A Fast Recovery Diode Module

2FI50A-030C

2FI50F Fast Recovery Diode Module

2FI50F-030C

2FI50G Fast Recovery Diode Module

2FI50G-100C

2KBP005G 2 Amp Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier

2KBP01G

2KBP02G

2KBP04G

2RI100E-060 : General Purpose Diode Modules

CS71SERIES : Standard Cell Standard Cell

FAR-F5CM-942M50-B270 : Saw Filter ( 700 to 1000 MHZ )

MBM29DL324BD-80PFTR : 32m ( 4m X 8/2m X 16 ) Bit Dual Operation

RY-4.5WFZ-K :

MB90387SPMT : 16-bit Proprietary Microcontroller CMOS

MB90F357EPMC1 : 16-bit Proprietary Microcontrollers

FCN-247D026-E : FOR Board-to-cable Connection

MB95F156JPMT-GE1 : Embedded - Microcontroller Integrated Circuit (ics) External Tray 2.4 V ~ 5.5 V; IC MCU FLASH 32K ROM 48LQFP Specifications: Program Memory Size: 32KB (32K x 8) ; RAM Size: 1K x 8 ; Number of I /O: 39 ; Package / Case: 48-LQFP ; Speed: 16MHz ; Oscillator Type: External ; Packaging: Tray ; Program Memory Type: FLASH ; EEPROM Size: - ; Core Processor: F²MC-8FX ; Data Converters: A/D 8x8/10b ; Core S

MB90F346ESPF : 16-BIT, FLASH, 24 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100 Specifications: Data Bus: 16 Bit ; Life Cycle Stage: ACTIVE ; Clock Speed: 24 MHz ; ROM Type: Flash ; Supply Voltage: 4.5 to 5.5 volts ; I/O Ports: 82 ; Package Type: LFQP, Other, PLASTIC, LQFP-100 ; Operating Range: Industrial ; Pin Count: 100 ; Operating Temperature: -40 to 105 C (-40 to 221 F) ;

MB90F952MDSPMC : 16-BIT, FLASH, 32 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100 Specifications: Data Bus: 16 Bit ; Life Cycle Stage: ACTIVE ; Clock Speed: 32 MHz ; ROM Type: Flash ; Supply Voltage: 3 to 5.5 volts ; I/O Ports: 80 ; Package Type: QFP, Other, 14 X 20 MM, 3.35 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, QFP-100 ; Operating Range: Industrial ; Pin Count: 100 ; Operating Temp

2MBI200UC-120 : 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT Specifications: Polarity: N-Channel ; Package Type: MODULE-7 ; Number of units in IC: 2

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2SC3284 : Amplifier. Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor. Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SA1303) Symbol ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) fT COB Conditions VCB=10V, f=1MHz .

2SC4020 : . Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage Switchihg Transistor) sAbsolute maximum ratings Symbol VCBO VCEO VEBO PC Tj Tstg +150 (Ta=25°C) Unit °C Symbol ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) VBE(sat) fT COB Conditions VCB=10V, f=1MHz Collector-Emitter Saturation Voltage V CE(s (V ) Base-Emitter Saturation Voltage B =5) 1 Without Heatsink.

ASAT25 : . The ASI ASAT25 is Designed for General Purpose Class Operations to 1.7 GHz. Internal Input/Output Matching Network 25 W/1.7 GHz OmnigoldTM Metalization System IC VCBO VCEO VEBO PDISS TJ TSTG °C 3.5 °C/W .

CPH3114 : . Applications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers. Adoption of MBIT processes. Large current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.9mm). High allowable power dissipation. s Parameter Collector-to-Base Voltage Collector-to-Emitter.

FX50SMJ-03 : for General Switching. Regarding the change of names mentioned in the document, such as Mitsubishi Electric and Mitsubishi XX, to Renesas Technology Corp. The semiconductor operations of Hitachi and Mitsubishi Electric were transferred to Renesas Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog and discrete devices, and memory.

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PBLS6022D : 60 V, 1.5 A PNP BISS Loadswitch PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN Resistor- Equipped Transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package..

PSMN034-100BS : N-channel 100 V 34.5 M„¦ Standard Level MOSFET In D2PAK. Standard level N-channel MOSFET in D2PAK package qualified to 175C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment..

08051A100BAT4A : CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 100 V, C0G, 0.00001 uF, SURFACE MOUNT, 0805. s: Configuration / Form Factor: Chip Capacitor ; Technology: Multilayer ; Dielectric: Ceramic Composition ; RoHS Compliant: Yes ; Capacitance Range: 1.00E-5 microF ; Capacitance Tolerance: 1 (+/- %) ; WVDC: 100 volts ; Temperature Coefficient: 30 ppm/Â°C ; Mounting Style: Surface.

DB2X415 : 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE. s: Rectifier Configuration / Technology: Schottky ; Package: HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI2-F4-B, 2 PIN ; Number of Diodes: 1 ; VRRM: 40 volts ; IF: 3000 mA ; trr: 0.0250 ns ; RoHS Compliant: RoHS.

M39018/03-0605 : CAP,AL2O3,3.3MF,7VDC,10% -TOL,30% +TOL. Type 105 °C Military Grade, Axial Leaded, Aluminum Type 057 capacitors are the commercial equivalent MIL-C-39018/03 (CU17) types and are ideal for high reliability, long life and high temperature applications. Long life High Ripple High Temperature s +105 °C Capacitance 10% ESR 125% of limit DCL 100% of limit +105 °C Capacitance 10% ESR 100% of limit.

PN5114 : P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92. s: Polarity: P-Channel ; rDS(on): 75 ohms ; Package Type: TO-92, TO-92, 3 PIN ; Number of units in IC: 1.

RCSCBK : RESISTOR, CURRENT SENSE, 0.05 ohm, SURFACE MOUNT, 1206. s: Category / Application: Current Sensing, General Use ; Mounting / Packaging: Surface Mount Technology (SMT / SMD), 1206, CHIP, ROHS COMPLIANT ; Resistance Range: 0.0500 ohms ; Operating Temperature: -55 to 125 C (-67 to 257 F).

1008HQ-10NXGBD : 1 ELEMENT, 0.01 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD. s: Mounting Option: Surface Mount Technology ; Devices in Package: 1 ; Core Material: Ceramic ; Lead Style: WRAPAROUND ; Application: General Purpose, RF Choke ; Inductance Range: 0.0100 microH ; Rated DC Current: 1600 milliamps ; Operating Temperature: -40 to 125 C (-40 to 257 F).

111SF180K100TT : CAP,CERAMIC,18PF,100VDC,10% -TOL,10% +TOL,-15,15% TC,0202 CASE. s: Dielectric: Ceramic Composition.

2SK3114B-S17-AY : 4 A, 600 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB. s: Polarity: N-Channel ; MOSFET Operating Mode: Enhancement ; V(BR)DSS: 600 volts ; rDS(on): 2.2 ohms ; PD: 2000 milliwatts ; Package Type: TO-220, LEAD FREE, TO-220, MP-45F, 3 PIN ; Number of units in IC: 1.

450MXC100M20X45 : CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 450 V, 100 uF, THROUGH HOLE MOUNT. s: : Polarized ; Capacitance Range: 100 microF ; Capacitance Tolerance: 20 (+/- %) ; WVDC: 450 volts ; Leakage Current: 636 microamps ; Mounting Style: Through Hole ; Operating Temperature: -25 to 105 C (-13 to 221 F).

50SQ060GPBF : 5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AR. s: Rectifier Configuration / Technology: Schottky ; Package: LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2 ; Number of Diodes: 1 ; VRRM: 60 volts ; IF: 5000 mA ; RoHS Compliant: RoHS.

82PF120PBF : 80 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB. s: Package: DO-5, PLASTIC, DO-5, 1 PIN ; Number of Diodes: 1 ; VRRM: 1200 volts ; IF: 80000 mA ; RoHS Compliant: RoHS.

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170 comentários de compradores de Portugal

JARED

MB85RC1MTPNF-G-JNERE1

Canada LANGLEY

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The part is working fine

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10/07/2022

ALEXIS GRUET

PI7C9X2G308GPANJE

Portugal CARCAVELOS - JUNQUEIRO

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Real part, fast service, highly recommended

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07/16/2021

carlos manuel silva ferreira

5M0365R

Portugal melgaco

Length of registration:1 years

pre?o e qualidade agradaveis

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02/01/2020

Carlos Gomes

HCPL7800A

Portugal Mangualde

Length of registration:12 years

Very satisfied with

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11/22/2017

jorge soares

UC3901N

Portugal GUIMARAES

Length of registration:9 years

Very satisfied with

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11/09/2017

Francisco Americano

OZ9966SN

Portugal MATOSINHOS

Length of registration:8 years

tudo ok

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03/17/2017

Virgilio Fernando Ferreira Moreno

70055AB

Portugal Viana do Castelo

Length of registration:1 years

Material completo

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02/23/2017

Vitrohm Portuguesa, Lda

PRME15003AB

Portugal S.Domingos de Rana

Length of registration:7 years

Good service

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11/16/2016

Bernardino Gon?alves

YPPD-J014A

Portugal Guarda

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goood

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11/14/2016

André Gomes

MR4040

Portugal Braga

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good quality

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10/21/2016

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