≥1:
3260.91611 руб.
Здравствуйте, ! Войти или Зарегистрироваться сейчас
APP Справочник Прямая трансляция 290K likes UtsourceКупить(0)
Запрос цены(0)
Dear customers, due to the implementation of the GDPR policy in Europe, UTSOURCE has also made adjustment accordingly to meet the policy requirements. Please read the new privacy policy carefully and this window will no longer pop up after you accept it.
Delivery Address
+ Добавить адрес
Новый адрес для отправки грузов
* Пожалуйста, заполните номер мобильного телефона правильно, чтобы получить информацию об отслеживании вовремя.
Кодекс страныОтбор от поисковых итогов :
MODULE
Eupec
IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
Description: BSM50GB170DN2 is an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module manufactured by EUPEC. Features: Maximum collector-emitter voltage of 1700V Maximum collector current of 50A Maximu
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Description: The BSM50GD60DLC is an insulated-gate bipolar transistor module from EUPEC. It is designed for use in motor drives, UPS, and other industrial applications. Features: High power densit
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
SKM75GB063D is a three-phase bridge rectifier module manufactured by Semikron. It is designed for use in power converters, motor drives, and other power electronic applications. Features: Maximum
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Description: The SKM195GAL124DN is a three-phase bridge rectifier module from Semikron. It is designed for use in motor drives, welding machines, and other industrial applications. Features: 1200V b
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
MODULE
Toshiba America Electronic Components
TRANSISTOR 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
Description: The MG75J2YS40 is a 2GB DDR3 SDRAM module from Toshiba America Electronic Components. Features: - 2GB DDR3 SDRAM - 200-pin SO-DIMM - PC3-12800 (1600MHz) - Unbuffered - Non-ECC - 1.5V A
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Description: The CM200DY-12H is a power module manufactured by Mitsubishi. It is a 1200V, 200A, IGBT module with a built-in diode. Features: 1200V, 200A IGBT module Built-in diode Low induc
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
SKM50GB123D is a three-phase bridge rectifier module manufactured by Semikron. It is a 1200V, 50A module with a forward current of 50A and a reverse voltage of 1200V. It is designed for use in motor d
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
MODULE
Toshiba America Electronic Components
Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
Description: The MG15J6ES40 is a 15A, 600V IGBT module from Toshiba America Electronic Components. Features: High speed switching Low saturation voltage Low power loss High reliability Lo
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Description: SKM400GAL125D is a 1200V, 400A, 3-phase IGBT module manufactured by Semikron. It is designed for use in motor control, UPS, welding, and other high-power applications. Features: High-s
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Description: SKM150GB123D is a three-phase bridge rectifier module manufactured by Semikron. It is designed to be used in applications such as AC/DC power supplies, DC/DC converters, and motor drives.
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Description: The CM400HC6-24NFM is a 400A, 6-pulse, 24-pole, medium voltage motor drive module from Mitsubishi Electric. Features: Rated output current of 400A Rated input voltage of 690V 6-pulse
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Description: The FS50R06YE3 is a 6A, 50V, N-channel Power MOSFET from Infineon Technologies. Features: Low on-resistance Low gate charge Low input capacitance Low threshold voltage Fast switchi
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Description: The FF400R12KE3_S1 is an insulated gate bipolar transistor (IGBT) module from Eupec. It is a three-phase inverter module with a rated current of 400A and a voltage of 1200V. Features:
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
MODULE
Toshiba America Electronic Components
TRANSISTOR 15 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
Description: The MG15N6ES42 is a 15A, 600V, N-channel IGBT module manufactured by Toshiba America Electronic Components. Features: Low saturation voltage Low gate charge High speed switching
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
The CM150DY-24A is a module manufactured by Mitsubishi. It is a high power module that is designed for use in power supply applications. It has a maximum output current of 150A and a maximum output vo
Наличность:2000
Минимальное количество заказа:1
В избранное
Остановить производство экспертов, мы можем предоставить большое количество электронных компонентов, которые были остановлены производства и которые трудно найти, чтобы облегчить обслуживание компании