MRF9030L MRF9030
TO-272
Freescale
06+
RF Power Field Effect TransistorN - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFET 945 MHz, 30 W, 26 V ni-360
Здравствуйте, ! Войти или Зарегистрироваться сейчас
APP Справочник Прямая трансляция 290K likes UtsourceКупить(0)
Запрос цены(0)
Dear customers, due to the implementation of the GDPR policy in Europe, UTSOURCE has also made adjustment accordingly to meet the policy requirements. Please read the new privacy policy carefully and this window will no longer pop up after you accept it.
Delivery Address
+ Добавить адрес
Новый адрес для отправки грузов
* Пожалуйста, заполните номер мобильного телефона правильно, чтобы получить информацию об отслеживании вовремя.
Кодекс страныОтбор от поисковых итогов :
Главная страница > Электронные Компоненты > Модули > RF-модули
TO-272
Freescale
06+
RF Power Field Effect TransistorN - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFET 945 MHz, 30 W, 26 V ni-360
В избранное
H2S
Mitsubishi
2017+
Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA55H3340M Remarks RoHS : Restriction of the use of certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment
В избранное
H2M
Mitsubishi
2018+
Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA30H3847M1 Remarks RoHS : Restriction of the use of certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment
В избранное
H2S
Mitsubishi
2017+
Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA30H4452M Remarks RoHS : Restriction of the use of certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment
В избранное
H46S
Mitsubishi
2013
Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA07M1317M Remarks RoHS : Restriction of the use of certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment
В избранное
H2M
Mitsubishi
2018+
Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA30H3340M Remarks RoHS : Restriction of the use of certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment
В избранное
H2M
Mitsubishi
2018+
Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA30H2127M1 Remarks RoHS : Restriction of the use of certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment
В избранное
H2S
Mitsubishi
2018+
Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA13H4047M Remarks RoHS : Restriction of the use of certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment
В избранное
SMD
Philips
00+
Triple video driver hybrid amplifie
В избранное
В избранное
H46S
Mitsubishi
2018+
Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA07H4047M Remarks RoHS : Restriction of the use of certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment
RA07H4047M is a power transistor manufactured by Mitsubishi. It is a NPN type transistor with a maximum collector current of 7A and a maximum collector-emitter voltage of 400V. It is used in power amp
В избранное
H2M
Mitsubishi
2017+
Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA30H4452M1 Remarks RoHS : Restriction of the use of certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment
В избранное
TO-272
Freescale
09+,07+
RF LDMOS Wideband IntegratedPower Amplifiers 1805-1990MHZ 15W 26V for cellular applications: GSM, GSM EDGE, PHS,TDMA, CDMA, W - CDMA and TD - SCDMA
В избранное
Остановить производство экспертов, мы можем предоставить большое количество электронных компонентов, которые были остановлены производства и которые трудно найти, чтобы облегчить обслуживание компании