Klicken Sie hier um zur Utsource -Website zu gelangen.
Guten Tag! anmelden oder jetzt registrieren
APP Datenblatt 380K likes Utsource
1 Million+ Like Utsource
Dear customers, due to the implementation of the GDPR policy in Europe, UTSOURCE has also made adjustment accordingly to meet the policy requirements. Please read the new privacy policy carefully and this window will no longer pop up after you accept it.
Delivery Address
+ Adresse hinzufügen
neue Frachtadresse
* Bitte geben Sie die Handynummer korrekt ein, um sicherzustellen, dass Sie die Tracking-Informationen rechtzeitig erhalten.
LändercodeSuchergebnisse filtern:
Utsource
MODULE
Semikron
2012+
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Collector-Emitter Voltage V CES 1200 V Emitter-Collector Voltage V ECS 1200 V Gate-Emitter Voltage V GES -20 20 V Continuous Collector
Lagerbestand:2000
Mindestbestellmenge:1
Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Blocking Voltage V(BR)DSS - 1200 - V Drain-Source Breakdown Voltage Continuous Drain Current ID - - 75 A Continuous Drain Current at Tc=25°C Po
Lagerbestand:2000
Mindestbestellmenge:1
Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
MODULE
Fuji Electric
18+
2MBI200U2A-060-50 is a 200A/600V IGBT module manufactured by Fuji Electric. It features a low saturation voltage, high speed switching, and high reliability. This module is suitable for use in motor c
Lagerbestand:2000
Mindestbestellmenge:1
Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
MODULE
Mitsubishi
15+
Below is the parameter table and instructions for the CM100TU-24H Thyristor: Parameter Table Parameter Symbol Value Unit Rated RMS Voltage VDRM 1000 V Repetitive Peak Off-State Voltage VDRM 1
Lagerbestand:2000
Mindestbestellmenge:1
Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
TO-247
International Rectifier
Parameter Value Unit Part Number IRG4PC40W - Package TO-247 - Maximum Drain-to-Source Voltage (VDS(max)) 600 V Continuous Drain Current (ID) at 25°C 27 A Pulsed Drain Current (IDM) at 2
Lagerbestand:5000
Mindestbestellmenge:1
Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
TO-247
International Rectifier
Parameter Value Unit Part Number IRG4PC40W - Package TO-247 - Maximum Drain-to-Source Voltage (VDS(max)) 600 V Continuous Drain Current (ID) at 25°C 27 A Pulsed Drain Current (IDM) at 2
Lagerbestand:5000
Mindestbestellmenge:1
Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
MODULE
Fuji Electric
23+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Blocking Voltage V_B - 600 - V Maximum repetitive peak off-state voltage On-State Voltage V_T 1.7 - 2.0 V On-state forward drop at specified curr
Lagerbestand:2000
Mindestbestellmenge:1
Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
DIP25
STMicroelectronics
134
Parameter Description Value Part Number Unique identifier for the component GIPS10K60T Type Type of device IGBT Voltage Rating Maximum voltage the device can handle 600V Current Rating Ma
Lagerbestand:2000
Mindestbestellmenge:1
Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
MODULE
Fairchild
14+
Parameter Description Value Unit Part Number Full Name FPDB30PH60 - Type Package Type DPAK - Maximum Drain Current (Id) Continuous Drain Current 30 A Peak Pulse Drain Current (Idm) Peak P
Lagerbestand:2000
Mindestbestellmenge:1
Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
TO-247
Infineon Technologies AG
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Collector-Emitter Voltage VCEO - 600 - V Maximum voltage between collector and emitter with the base open. Collector-Base Voltage VCBO - 650 - V
Lagerbestand:10000
Mindestbestellmenge:10
Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
MODULE
IXYS
15+
The IXYS DSEI2X101-12A is a dual SCR module with a blocking voltage of 1200V and a current rating of 10A. It is designed for use in power control applications such as motor control, power supplies, an
Lagerbestand:2000
Mindestbestellmenge:1
Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
TO-264
FSC
n/a
Parameter G60N90 G60N90DG3 Type N-channel MOSFET N-channel MOSFET Voltage (Vds) 600 V 600 V Current (Ids) 90 A 90 A Power Dissipation (Ptot) - - Rds(on) - - Gate Charge (Qg) - - Pac
Lagerbestand:10000
Mindestbestellmenge:1
Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
MODULE
Fuji Electric
18+
Parameter Description Value Part Number 7MBP50RA120-55 - Type IGBT Module - Voltage Rating (Vces) Collector-Emitter Breakdown Voltage 1200 V Current Rating (Ic) Continuous Collector Curre
Lagerbestand:2000
Mindestbestellmenge:1
Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
MODULE
Semikron
15+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Collector-Emitter Voltage V CES 1250 V Emitter-Collector Voltage V ECS -5 V Gate-Emitter Voltage V GES -20 20 V Continuous Collector C
Lagerbestand:2000
Mindestbestellmenge:1
Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
MODULE
Parameter Description Value Unit Device Type Description Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET - VDS Drain-to-Source Voltage 200 V VGS Gate-to-Source Voltage ±20 V ID Continuous Drain Cu
Lagerbestand:2000
Mindestbestellmenge:1
Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
module
Semikron
23+
Parameter Symbol Value Unit Test Conditions Rated Voltage VDRM 1200 V - Rated Current IC 200 A Tj = 25°C Continuous Forward Current IF(AV) 200 A TC = 80°C Peak Forward Current IFSM 600 A
Lagerbestand:2000
Mindestbestellmenge:1
Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
MODULE
Infineon Technologies AG
2018+
Description: Infineon IGBT Module Features: Low switching losses Low conduction losses Low gate charge Short circuit withstand capability Very fast switching High temperature operation Low indu
Lagerbestand:2000
Mindestbestellmenge:1
Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
TO-220
Infineon Technologies AG
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Description Breakdown Voltage V(BR)DSS - 600 - V Drain-to-Source Breakdown Voltage Drain Current ID - 15 - A Continuous Drain Current at Tc = 25°C Puls
Lagerbestand:10000
Mindestbestellmenge:10
Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
MODULE
Fuji Electric
15
Parameter Description Part Number 2MBI900VXA-120P-50 Type IGBT Module Voltage Rating (VDC) 900 V Current Rating (IC, AV) (A) 120 A (Average RMS Current) Switching Frequency Optimized fo
Lagerbestand:2000
Mindestbestellmenge:1
Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
MODULE
Eupec
Below is the parameter table and instructions for the BSM50GX120DN2, a high-performance IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) from Infineon Technologies. BSM50GX120DN2 Parameter Table Parameter
Lagerbestand:2000
Mindestbestellmenge:1
Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
Stoppen Sie die Produktionsexperten. Wir können eine große Anzahl elektronischer Komponenten bereitstellen, deren Produktion eingestellt wurde und die schwer zu finden sind, um das Wartungsunternehmen zu unterstützen
Lagerbestand
Kostenloser Anruf
(888) 766 5577 USA & Kanada
+52 5515436027
+52 5515436028 Mexiko
+49 6931090199 Deutschland
GLOBALER ZAHLUNGSVERKEHR
Globale logistik
Required
