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Semikron
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Collector-Emitter Voltage V CES 600 V Maximum voltage between collector and emitter Emitter-Collector Voltage V ECS 600 V Maximum voltage bet
Power MOSFET Modules
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Eupec
BSM20GP-60 is a module manufactured by EUPEC. It is an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module with an integrated diode. It has a voltage rating of 600V and a current rating of 20A. The BSM20
IGBT-Modules
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HIT
The FD1056A is a HIT module manufactured by FUJITSU. It is a high-performance, low-power, single-chip, CMOS microcontroller with a 16-bit CPU core. It is designed for use in embedded systems and is su
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Infineon Technologies AG
Description: The FF300R12KS4 is a three-phase inverter module manufactured by Infineon. It is designed for use in motor drives, solar inverters, and other power conversion applications. Features: 12
IGBT Modules up to 1200V Dual ; Package: AG-62MM-1; IC max: 300.0 A; VCEsat typ: 3.2 V; Configuration: Dual Modules; Technology: IGBT2 Fast; Housing: 62 mm;
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Hatachi
Parameter Description Min Typ Max Unit Supply Voltage Operating voltage range 2.0 - 5.5 V Output Current Continuous output current - 60 100 mA Peak Current Peak output current (pulsed, 1% d
FR08C
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Semikron
SKM150GB12T4 is a module manufactured by Semikron. It is a three-phase bridge rectifier module with a voltage rating of 1200V and a current rating of 150A. It is designed for use in motor drives, UPS
IGBT4 Modules
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Semikron
SKM800GA126D is a three-phase bridge rectifier module manufactured by Semikron. It is designed for use in motor control applications. Description: The SKM800GA126D is a three-phase bridge rectifier
Trench IGBT Modules
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Fairchild
Description: This is a 600V, 20A, N-Channel MOSFET from Fairchild Semiconductor. Features: Low On-Resistance Low Gate Charge Low Input Capacitance Low Threshold Voltage Fast Switching RoHS Compl
16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
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Infineo
The FF400R33KF2C is a module from Infineon Technologies. It is a three-phase inverter module designed for use in motor drives. The module is capable of delivering up to 400A of continuous current and
IGBT Modules up to 3300V Dual; Package: A-IHV130-3; IC max: 400.0 A; VCEsat typ: 3.4 V; Configuration: Dual Modules; Technology: IGBT2 Standard; Housing: IHV 130 mm;
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Mitsubishi
Description: The CM400DU-24NFH is a Mitsubishi power module designed for use in motor control applications. It is a 400A, 24V DC, three-phase, insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module. Feature
HIGH POWER SWITCHING USE
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Semikron
SKM150GB12V is a module manufactured by Semikron. It is a thyristor/diode module with a blocking voltage of 1200V and a current rating of 150A. It is designed for use in high-power switching applicati
Target Data
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MIT
Description: The CM400YE2P-12F is a 1200V, 400A, IGBT module from Mitsubishi Electric. Features: Low conduction loss Low switching loss High speed switching High surge capability Low noise High
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Eupec
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV VBRCES | 1.8KA IC
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Description: The CM30TF12H is a 30A, 1200V, IGBT module with a fast recovery diode. It is designed for use in motor control, UPS, welding, and other power conversion applications. Features: 30A,
122 x 32 pixel format, LED Backlight available
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Network Hub; Approval Categories:IEEE 802.3af Compatibility; Data Rate Max:100Mbps RoHS Compliant: Yes
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