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MIT
The CM600DU-24FA is a 600V, 24A, IGBT Module manufactured by Mitsubishi. It is designed for use in power conversion applications such as motor control, UPS, and inverters. Features: 600V, 24A IGBT
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Semikron
Description: The SKM500GA123D is a three-phase, insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module from Semikron. It is designed for use in motor control, welding, and other applications. Features: Max
Semitrans(r)m Igbt Modules
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Infineon Technologies AG
04+
The Infineon BSM100GB120DN2E3256 is a 1200V/100A IGBT module designed for high power switching applications. It features a high power density, low switching losses, and a high current carrying capacit
IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
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Semikron
SKM400GB12T4 is a module manufactured by Semikron. It is a three-phase bridge rectifier module with a voltage rating of 400V and a current rating of 12A. It is designed for use in AC-DC power conversi
IGBT4 Modules
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Eupec
Description: The BSM50GD60DLC is an insulated-gate bipolar transistor module from EUPEC. It is designed for use in motor drives, UPS, and other industrial applications. Features: High power densit
High Voltage Rectifer Diodes
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Parameter Description Part Number CM300HA1-24H Type Power Module Package Type DIP (Dual Inline Package) Input Voltage 8V to 36V Output Voltage Adjustable, typically set by external resi
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
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Semikon
Parameter Symbol Value Unit Test Conditions Rated Voltage VDRM 1200 V - Rated Current IC 200 A Tj = 25°C Continuous Forward Current IF(AV) 200 A TC = 80°C Peak Forward Current IFSM 600 A
IGBT4 Modules
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Others
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Input Voltage VIN 4.5 - 20 V Operating range Output Voltage VOUT 1.8 - 5.0 V Adjustable Output Current IOUT - 1.5 3.0 A Continuous Quiescent Curren
Catalog Scans - Shortform Datasheet
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Semikron
SKM50GB123D is a three-phase bridge rectifier module manufactured by Semikron. It is a 1200V, 50A module with a forward current of 50A and a reverse voltage of 1200V. It is designed for use in motor d
SEMITRANS IGBT Modules New Range
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Toshiba America Electronic Components
Description: The MG15J6ES40 is a 15A, 600V IGBT module from Toshiba America Electronic Components. Features: High speed switching Low saturation voltage Low power loss High reliability Lo
Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
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The CM300DXD-24A is a power module manufactured by Mitsubishi Electric. It is a three-phase inverter module with a rated output of 300A and a maximum output of 400A. It is designed for use in motor co
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MIT
Parameter Description Part Number CM10MD1L-12H Type Power MOSFET Package TO-220AB Drain Current (Id) 12A at 25°C, 8.4A at 60°C Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 100V Gate Charge (Qg) 79nC
MEDIUM POWER SWITCHING USE FLAT-BASE TYPE, INSULATED TYPE
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Eupec
Description: This is an EUPEC module made by Infineon Technologies. It is an insulated gate bipolar transistor (IGBT) module with a maximum current rating of 600A and a maximum voltage rating of 1200V
IGBT-Modules
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Eupec
Description: The FF400R12KE3_S1 is an insulated gate bipolar transistor (IGBT) module from Eupec. It is a three-phase inverter module with a rated current of 400A and a voltage of 1200V. Features:
IGBT-inverter
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Eupec
Description: The FF200R12KE3 is an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module from EUPEC. It is a three-phase, full-bridge module with a maximum collector-emitter voltage of 1200V and a maximum c
IGBT-Module
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MIT
Description: The CM150DU24F is a module manufactured by MIT. It is a single-phase bridge rectifier with a maximum current rating of 150A and a maximum forward voltage drop of 2.4V. Features: High cu
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Eupec
FS25R12W1T4 is an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module manufactured by Eupec. It is a three-phase inverter module with a maximum collector-emitter voltage of 1200V and a maximum collector c
EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
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Eupec
Description: The BSM300GA120DLS is an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module manufactured by EUPEC. It is a three-phase inverter module with a rated current of 300A and a voltage of 1200V. F
IGBT-Modules
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