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Homepage > Elektronische Bauteile > Bipolartransistoren > Bipolare Transistoren
Utsource
TO-220
STMicroelectronics
Parameter Value Unit Output Voltage 12 V Input Voltage 7 to 40 V Output Current 1.5 A Line Regulation 0.01 % Load Regulation 1 % Dropout Voltage 2.5 V Quiescent Current 5 mA Opera
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TO-220F
STMicroelectronics
07+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Breakdown Voltage BVdss - 850 - V Drain-to-Source Breakdown Voltage Continuous Drain Current Id - 8 - A Continuous Drain Current at 25°C Pulse
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TO247
International Rectifier
15+
Description: The IRG4PH50U is an insulated gate bipolar transistor (IGBT) module with a maximum collector-emitter voltage of 600V and a maximum collector current of 50A. Features: Low saturation vol
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QFP-48
Qfp48
15+
Parameter Description Value Part Number Full Part Number AS19-F Type Component Type Switch - Tactile Actuator Actuator Style Dome Contact Form Contact Configuration SPST-NO (Single Pole,
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TO-220F
NEC
04+
Parameter UPC2933AHF / 2933A Device Type High-Speed Photodiode Wavelength Range 400 nm to 1100 nm Spectral Response Optimized for Visible and NIR Reverse Voltage (VR) 5 V Responsivity 0
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TO3PF
Sanyo
15+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Collector-Emitter Voltage V(BR)CEO - - 1500 V Emitter-Base Voltage V(BR)EBO - - 10 V Collector Current IC - - 2 A Power Dissipation Ptot - - 180 W Junc
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TO-247
Sanyo
03+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Supply Voltage VDD 2.0 3.3 5.5 V Operating supply voltage range Input Voltage VIN -0.3 VDD+0.3 V Maximum input voltage relative to supply Outp
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TO-247
Vishay Siliconix
13+
Parameter Symbol Value Unit Rated Current IR 60 A Maximum Voltage VMAX 3 V Operating Temperature Toper -40 to +85 °C Case Type APH03 Mounting Type Surface Mount Instructions for
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DIP6
1616
Parameter Description Value Unit Part Number Identifier for the component 77208C - Package Type Physical package of the component SOIC-8 - Operating Voltage Range of voltage where the devic
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SOP-8
14＋
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Switching Frequency fsw VCC = 5V 100 200 400 kHz Duty Cycle Range D 0.1 0.9 Input Voltage Range VIN 7 36 V Output Voltage Regulation Vout
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TO-220F
Sanyo
05+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Collector-Emitter Voltage VCEO - - 80 V IC = 150mA Collector-Base Voltage VCBO - - 80 V IC = 0 Emitter-Base Voltage VEBO -5 - -6 V IE = 150mA
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TO-247
Infineon Technologies AG
08+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Drain-Source On-State Resistance RDS(on) - 0.26 - Ω VGS = 10V, ID = 20A Gate Charge QG - 75 - nC VDS = 600V, ID = 20A Input Capacitance Ciss - 4
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TO-220F
STMicroelectronics
16+
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Conditions Drain-Source Voltage VDSS - 800 - V Gate-Source Voltage VGSS -20 - 20 V Continuous Drain Current ID - 13 - A TC = 25°C - 7.9 - A TC =
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TO-247
Vishay Siliconix
13+
Parameter Description Value Part Number Unique identifier for the component VS-60APH03 Type Type of device Power Module Input Voltage Range of input voltage the device can handle 18V to 72V
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WPAK8
14＋
Parameter Description Part Number RJK1028DNS-00-J5 Type Power Inductor Manufacturer Vishay Dale Package / Case 0805 [2012 Metric] Mounting Type Surface Mount DC Resistance (DCR) 0.076
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TO-220
International Rectifier
new cycle
Description: The IRFB4227PBF is a N-Channel MOSFET transistor manufactured by International Rectifier. It is designed for use in high current, high speed switching applications. It has a drain-source
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TO-220F-2
NXP Semiconductors
14+
Parameter Description Value Unit Part Number Device Identifier BYC20X600 - Type Component Type Diode - Material Semiconductor Material Silicon - Maximum Reverse Voltage (Vr) Max reverse v
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TO-3P
Sanyo
Parameter 2SC5669 (NPN) 2SA2031 (PNP) Type NPN Bipolar Transistor PNP Bipolar Transistor Collector-Emitter Voltage (Vce) 80 V 80 V Emitter-Base Voltage (Veb) 5.5 V 5.5 V Collector Current
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