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Beschreibung
SEMITRANS IGBT Modules New Range
Alle auf dieser Website verwendeten Produktnamen, Warenzeichen, Marken und Logos sind Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber. Die Darstellung, Beschreibung oder der Verkauf von Produkten mit diesen Namen, Marken, Marken und Logos dient nur zu Identifikationszwecken und soll nicht auf eine Zugehörigkeit zu oder Autorisierung durch Rechteinhaber hinweisen.
Parameter | Symbol | Bedingungen | Min | Typ | Max | Einheit |
---|---|---|---|---|---|---|
Kollektor-Emitter-Spannung | V CES | 1200 | V | |||
Emitter-Sammler Spannung | V ECS | 1200 | V | |||
Schiefer-Emitter-Spannung | V GES | -20 | zwanzig | V | ||
Kontinuierlicher Sammlerstrom | Ich C | Tc = 25°C | 75 | A | ||
Tc = 80°C | 60 | A | ||||
Puls Sammler Strom | Ich CM | tp = 10 ms, Tc = 25°C | 150 | A | ||
Leistungsverlust | Ptot | Tc = 25°C | 2500 | W | ||
Temperatur der Verbindung | Tj | -40 | 150 | °C | ||
Speichertemperatur | Tstg | -55 | 150 | °C |
Installation und Handhabung:
Elektrische Verbindungen:
Betriebsbedingungen:
Wärmemanagement:
Schalterspannungserfordernisse:
Schutzmaßnahmen:
Speicherung und Umgebung:
Für detaillierte Anwendungshinweise und genauere Leitlinien siehe das Datenblatt oder die technische Dokumentation des Herstellers.
(Für Referenzzwecke nur)Introduction:
The 7th generation IGBTs represent the latest IGBT chip technology. This new generation is specifically designed to match the needs of motor vehicle applications. The IGBTs come with the lowest voltage drop and deliver the optimized flexibility. Due to the small 25% chips, high frequency streams can fit into existing module packages. This module also reduces power losses and provide maximum output density.
Core Parameters:
● High voltage capability
● Low on-resistance
● Zero gate drive
● Moderate running and testing speed
Circuit Diagram:
Working:
The IGBT exerts a significantly reduced voltage drop compared to the standard MOSFET that blocks most closed voltage devices, although the MOSFETS show a lower voltage at lower current levels due to the absence of the diode Vf at the IGBT output. As blocking voltage levels on both MOSFET and IGBT devices increase, the depth of the n- drift circuit must increase and the depth should decrease, leading to a decrease in the square relationship to the pre-voltage reduction. By injecting a few carriers (holes) from the p + region into the entry region during activation, the circuit resistance can be significantly reduced.
Applications:
● Induction heating
● Traction motor control
● Uninterruptable supply
● Switch mode power supplies
QUANTITY | UNIT PRICE | PLUS UNIT PRICE | TOTAL PRICE |
---|---|---|---|
≥1: | US $110.58450 | US $103.94943 | US $103.94943 |
≥2: | US $110.58450 | US $103.94943 | US $207.89886 |
≥5: | US $103.21220 | US $97.01947 | US $485.09735 |
≥10: | US $103.21220 | US $97.01947 | US $970.19470 |
≥20: | US $103.21220 | US $97.01947 | US $1940.38940 |
≥30: | US $103.21220 | US $97.01947 | US $2910.58410 |
≥50: | US $103.21220 | US $97.01947 | US $4850.97350 |
≥100: | US $102.47497 | US $96.32647 | US $9632.64700 |
≥500: | US $101.73774 | US $95.63348 | US $47816.74000 |
Ersatzprodukt
Substitute Product | Description |
---|---|
SKM75GB12T4 | A high-power IGBT module designed for high-frequency switching applications. |
SKM75GD12T4 | This IGBT module offers low loss and soft-switching, suitable for various inverter applications. |
SKM75GB128D | Features advanced IGBT technology for efficient and reliable power conversion. |
SKM75GD128D | Equipped with advanced thermal management, ideal for high-performance inverter systems. |
SKM100GB128D | Provides higher power capacity with robust performance for demanding applications. |
SKM50GB123D | Offers similar specifications with a lower current rating, suitable for medium-power applications. |
SKM75GD126D | Optimized for low power loss and efficient energy use, perfect for industrial motor drives. |
SKM75GD124D | Combines high efficiency with compact design, ideal for space-constrained applications. |
Produktnutzung
The SKM75GD123D is an IGBT module (Insulated Gate Bipolar Transistor) produced by Semikron, which is widely used in power electronics circuits due to its efficiency and capability to handle high currents and voltages. Here are some typical applications and circuits that utilize the SKM75GD123D:
Inverters for Renewable Energy Systems:
Motor Drives:
Power Supplies:
Electric Vehicles:
HVAC Systems:
Industrial Automation:
Traction and Transportation:
The IGBT module within these applications typically serves the function of switching and controlling electric power with higher efficiency and lower heat dissipation compared to other types of transistors. The specific usage in a circuit involves the integration of the SKM75GD123D either in the design of a half-bridge, full-bridge, or as part of more complex topologies like multi-level converters, considering features like gate drive circuits and thermal management are designed according to the specific requirements of the application.
Liste der Länder für globale Logistik
Flagge | Land | Voraussichtliche Lieferzeit | Mindestkosten für das erste Gewicht | ||
---|---|---|---|---|---|
Express | Standardversand | Express (0.5kg) | Standardversand (0.05kg) |
Bestellung
Zahlung
Fracht
Geschenkgutschein/Plus-Service
Rückgabe
Rücksendungen werden normalerweise akzeptiert, wenn sie innerhalb von 90 Tagen nach der Lieferung des Pakets erfolgen.
Defekt ( Bitte legen Sie einen Qualitätsbericht eines Dritten über nicht
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Für alle UTSOURCE-Käufe gilt eine 90-Tage-Geld-zurück-Garantie sowie eine 100-Tage-Garantie von UTSOURCE gegen Herstellungsfehler. Diese Garantie gilt nicht für Artikel, deren Mängel durch unsachgemäßen Zusammenbau durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikationen, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden.
SKM75GD123D
SKM75GD123D hat mehrere Marken auf der ganzen Welt, die aufgrund von regionalen Unterschieden oder Akquisitionen alternative Namen für SKM75GD123D haben können. SKM75GD123D kann auch unter den folgenden Namen bekannt sein:
KAUFMÖGLICHKEITEN
Vorratzustand: 5000
Mindestbestellmenge: 1
Preis gesamt:
Kostenloser Versand der ersten 0,5 kg für Bestellungen über US $300.00(Außer den Vereinigten Staaten)
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
Standardlieferung: Voraussichtliche Ankunft {0}
Land:
United States
Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Kostenloser Versand der ersten 0,5 kg für Bestellungen über 300$, Übergewicht wird separat berechnet (Außer den Vereinigten Staaten)
Utsource Original Store
Gesamt Produktanzahl: 18363Gesamtumsatz: 155586
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Standardlieferung
Express: Voraussichtliche Ankunft {0}
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