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Utsource
MODULE
International Rectifier
06+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Drain-Source On-Resistance RDS(on) - 40 - mΩ At VGS = 10V, ID = 2.5A Gate Charge Qg - 6.7 - nC Total gate charge Input Capacitance Ciss - 390 -
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MODULE
Semikron
Parameter Description Value/Range Part Number The specific identifier for the component SKKT132/14E Type Type of device MOSFET Package Housing type for the component TO-220 VDS (Max Drain
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Fuji Electric
18+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Reverse Blocking Voltage V_R - - 600 V Maximum reverse voltage the diode can withstand Average Rectified Current I_F(AV) 20 - - A Continuous aver
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MODULES
Sanyo
04+
The Sanyo STK4913 is a power amplifier module designed for use in audio applications. It is a two-channel, Class AB amplifier module with a maximum output power of 30 watts per channel. The module fea
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MODULE
Infineon Technologies AG
2020+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Rated Voltage VDSS 1200 V Maximum repetitive peak off-state voltage Continuous Drain Current ID 450 A (Tc=25°C) RMS output current Total Lo
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Sanken Electric
Description: The TG25C60 is a high-voltage, high-speed, N-channel power MOSFET module from Sanken Electric Co., Ltd. It is designed for use in high-power switching applications. Features: High volta
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TO-220
Infineon Technologies AG
Parameter Symbol Value Unit Maximum Drain-Source Voltage VDS(max) 600 V Maximum Gate-Source Voltage VGS(max) ±20 V Continuous Drain Current (TC = 25°C) ID 15 A Continuous Drain Current (T
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Infineon Technologies AG
18+
Parameter Description Value Unit Part Number Component Identifier 2A50HB12C1U - Type Component Type Inductor - Inductance Inductance Value 12 μH Tolerance Inductance Tolerance ±10% - DC
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Semikron
2020
SKKT162/12E is a module manufactured by Semikron. It is a three-phase bridge rectifier module with a maximum current rating of 162A and a maximum voltage rating of 1200V. It is designed for use in pow
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MODULE
Semikron
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Forward Voltage VF IF = 15A - 0.8 1.2 V Reverse Voltage VR - - 800 V Forward Current IF Tc = 25°C - 15 - A Peak Surge Current IFSM t = 10ms,
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TO-220F
Description: The 30F124 IGBT is a high power, high voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) with a TO-220F package. It is designed for use in high frequency switching applications. Features:
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Semikron
18+
Description: SKM100GB12T4 is a 1200V, 100A, IGBT module manufactured by Semikron. Features: 1200V blocking voltage 100A continuous current Low inductance Low switching losses High surge current c
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MODULE
STMicroelectronics
0517+
BYV255V200 is a 200V N-channel MOSFET module manufactured by STMicroelectronics. It is designed for use in high-power switching applications such as motor control, power conversion, and lighting. The
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MODULE
XP
15+
Parameter Description Value Part Number Integrated Hall Effect Sensor IH0515S Supply Voltage (Vcc) Operating Voltage Range 3.3V to 5.5V Output Type Digital Output Open Collector Operating
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Omron
18+
Parameter Value Description Part Number G6S-2F-TR-DC5V Relay Module Type SPDT (Single Pole, Double Throw) Relay Type Coil Voltage 5V DC Operating Voltage for the Relay Coil Coil Current 7
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Mitsubishi
16+
Description: This is a Mitsubishi RF amplifier module. It is designed for use in cellular base stations and other wireless communication systems. Features: * Frequency range: 890-960 MHz * Output pow
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Fuji Electric
19+
Description: Fuji 7MBR35VM120-50 is a 1200V, 35A, IGBT Module. Features: Low VCE(sat) Low switching loss High speed switching Low noise High reliability High surge capability High
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MODULE
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Collector-Emitter Voltage V CES 600 V Maximum voltage between collector and emitter Emitter-Collector Voltage V ECS 600 V Maximum voltage bet
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MODULE
Littelfuse
2002
The DSEI120-06A is a module manufactured by Littelfuse Inc. It is a high-speed, high-current, low-voltage, surface mount diode module. It is designed to provide fast switching performance and protecti
Rectifier Diode Switching 600V 126A 50ns 2-Pin(2+Tab) TO-247AD
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DIP4
SEP
18+
Description: GBJ3510 is a four-pin, single-phase, bridge rectifier with a maximum current rating of 35A and a maximum voltage rating of 1000V. Features: - High surge current capability - Low forward
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