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Description du produit
135-175MHz 30W 12.5V MOBILE RADIO
Tous les noms de produits, marques commerciales, marques et logos utilisés sur ce site sont la propriété de leurs propriétaires respectifs. La description, la description ou la vente de produits comportant ces noms, marques, marques et logos est uniquement destinée à des fins d’identification et ne vise en aucun cas à indiquer une affiliation avec un détenteur des droits ou une autorisation de celui-ci.
Les paramètres et les indicateurs de performance de ce produit proviennent d'Internet. En cas de divergences, veuillez vous référer aux spécifications techniques du fabricant.！
Jeintroduiretion :
Le RA30H1317M fait partie de la famille d'appareils SiRF (Silicon Radio Frequency) pour l'amplification de puissance, par conception, il s'agit de Transistors MOSFET en mode renforcement produits par Mitsubishi electric, le module électronique a une puissance de sortie supérieure à 30 watts, adaptée à une forte dissipation de puissance. Le module fonctionne au mieux comme module de modulation FM non linéaire avec une plage de fréquence large bande de 135 à 175 MHz.
Certains paramètres de base:
·Mode
de fonctionnementMode de renforcement des transistors MOSFET (IDD ?0, VDD = 12,5V, VGG = 0V)
·Plage de fréquence large bande: 135-175MHz
·Puissance de sortie: 30W ηT > 40% @ VDD = 12,5V , VGG = 5V , Pin = 50mW
·Taille du Module Électronique : 66 x 21 x 9,88 mm
Le RA30H1317M est un module électronique à cinq broches nommé : broche d'entrée RF, broche de tension de porte (VGG), broche de contrôle de puissance, broche de tension drain (VDD), broche de sortie RF (Pout), broche de terre RF (Boîtier)
Unapplication:
Le RA30H1317M MOSFET est un élément important dans tous les systèmes embarqués de conception qui est principalement utilisé pour le réseau de communication radio, le contrôle de la sortie d'alimentation et le commutation rapide allumage/arrêt selon les exigences du concepteur. LeRA30H1317M MOSFET
<br>RA30H1317M MOSFETest un module électronique important dans tous les conceptions de systèmes embarqués qui est principalement utilisé pour le réseau de communication radio, le contrôle de la sortie d'énergie et le commutation rapide allumage/éteignement selon les exigences du concepteur. Beaucoup de projets électroniques sont développés en utilisant leRA30H1317M MOSFET
translates to
RA30H1317M MOSFETtelsur maritime, télématisation AMPS/GSM, radio professionnelle mobile (talkie-walkie), et contrôle de l'intensité lumineuse. Le MOSFET RA30H1317M est également un dispositif électronique à haute tension qui offre des fonctionnalités significatives aux concepteurs de circuits telles que le régulateur de tension, et l'alimentation par commutation (SMPS)
| QUANTITY | UNIT PRICE | PLUS UNIT PRICE | TOTAL PRICE |
|---|---|---|---|
| ≥1: | US $31.29750 | US $29.41965 | US $29.41965 |
| ≥2: | US $31.29750 | US $29.41965 | US $58.83930 |
| ≥5: | US $30.25425 | US $28.43900 | US $142.19500 |
| ≥10: | US $29.83695 | US $28.04673 | US $280.46730 |
| ≥20: | US $29.62830 | US $27.85060 | US $557.01200 |
| ≥30: | US $29.21100 | US $27.45834 | US $823.75020 |
| ≥50: | US $29.21100 | US $27.45834 | US $1372.91700 |
| ≥100: | US $29.00235 | US $27.26221 | US $2726.22100 |
| ≥500: | US $28.79370 | US $27.06608 | US $13533.04000 |
Produit de substitution
| Product Name | Description |
|---|---|
| RA30H1317M-TR | This is a high-performance MOSFET designed for switching applications. It features low on-state resistance and high current handling capability. |
| IRF540N | A popular N-channel MOSFET known for its robustness and reliability in power electronics. It offers a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 28A. |
| FQP16N10 | An N-channel MOSFET suitable for a wide range of applications including power supplies and motor control. It has a drain-source voltage rating of 100V and a continuous drain current of 16A. |
| STP55NF06L | A high-efficiency N-channel MOSFET with a low on-resistance, ideal for high-frequency switching applications. It supports a drain-source voltage of 60V and a continuous drain current of 55A. |
| 2SK3922 | A high-voltage, high-current N-channel MOSFET designed for demanding industrial applications. It features a drain-source voltage of 500V and a continuous drain current of 15A. |
Utilisation du produit
The RA30H1317M is a microcontroller unit (MCU) from Renesas Electronics, specifically part of the RX600 series. This MCU is designed for industrial and consumer applications that require high performance and low power consumption. It features a 32-bit RXv2 CPU core, up to 512 KB of flash memory, and 64 KB of RAM.
Circuits that might use the RA30H1317M include:
Industrial Automation:
Consumer Electronics:
Medical Devices:
Communication Systems:
Automotive Applications:
Energy Management:
The RA30H1317M is particularly suited for applications that require real-time processing, multiple communication interfaces (such as Ethernet, USB, CAN), and robust security features. Its wide range of integrated peripherals, including ADCs, DACs, and timers, makes it a versatile choice for complex embedded systems.
Liste des pays pour la logistique mondiale
| Drapeau | Pays | Délai de livraison estimé | Coût minimum du premier poids | ||
|---|---|---|---|---|---|
| Livraison express | Expédition standard | Livraison express (0.5kg) | Expédition standard (0.05kg) | ||
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Tous les achats effectués sur UTSOURCE bénéficient d'une politique de remboursement de 90 jours, en plus d'une garantie UTSOURCE de 100 jours pour tout défaut de fabrication. Cette garantie ne s'applique pas aux articles dont les défauts ont été causés par un assemblage incorrect par le client, le non-respect des instructions par le client, une modification du produit ou un usage négligent ou inapproprié du produit.
RA30H1317M
RA30H1317M possède plusieurs marques dans le monde entier qui peuvent avoir des noms alternatifs pour RA30H1317M en raison de différences régionales ou d'acquisitions. RA30H1317M peut également être connu sous les noms suivants
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