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MODULE
Semikron
2019+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Rated Voltage VDSS - 1200 - V Maximum repetitive drain-to-source voltage Continuous Drain Current ID - - 600 A Continuous drain current at Tc = 2
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MODULE
Semikron
2012+
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Collector-Emitter Voltage V CES 1200 V Emitter-Collector Voltage V ECS 1200 V Gate-Emitter Voltage V GES -20 20 V Continuous Collector
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Mitsubishi
15+
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Forward Voltage VF IF = 20 mA 1.1 1.3 1.5 V Reverse Current IR VR = 5 V 10 nA Peak Pulse Current Ipp tp = 10 ms, duty ≤ 1% 100 mA Waveleng
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International Rectifier
12+
Parameter Description Part Number P405W Type Power MOSFET Configuration N-Channel Voltage (Vds) 500 V Current (Id) 4 A Rds(on) 0.6 Ω (Max at 25°C) Package TO-220 Operating Temp. -
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MODULE
Semikron
15+
Parameter Description Value Part Number Full part number of the device SKIIP81AC12IT1 Package Type Type of package IGBT Module Mounting Type Method of mounting Through Hole Collector-Emit
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Fairchild
14+
Parameter Description Value Unit Part Number Full Name FPDB30PH60 - Type Package Type DPAK - Maximum Drain Current (Id) Continuous Drain Current 30 A Peak Pulse Drain Current (Idm) Peak P
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Semikron
2020
Parameter Value Description Part Number SKD110/16 Product identifier Type Diode Type of electronic component Voltage Rating 110V Maximum voltage the diode can handle Current Rating 16A Ma
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Fuji Electric
16+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Blocking Voltage V_B - - 600 V Continuous Current I_C - - 20 A T_C = 25°C Pulse Current I_CM - - 100 A t = 10 ms Forward Voltage V_F - 2.0 -
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