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Utsource
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Mitsubishi
15+
The PSS30S71F6 is a module manufactured by Mitsubishi. It is a power supply module designed for use in industrial automation systems. Features of the PSS30S71F6 include: Input voltage range of 100-
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Fuji Electric
22+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Rated Blocking Voltage V_R - 1200 - V Rated RMS Voltage V_RMS - 849 - V Peak Repetitive Forward Current (1s) I_FSM - 50 - A Continuous Forward C
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Niec
15+
PGH20016AM is a module manufactured by NIEC (Nippon Instrument Engineering Corporation). It is a power module used for power supply applications. It features a high-efficiency, low-loss design and is
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Semikron
2020+
Parameter Value Part Number SKKQ1200/14E Type Thyristor Maximum Repetitive Peak Off-State Voltage (VDRM) 1200 V Maximum RMS On-State Current (IT(RMS)) 14 A Maximum Non-Repetitive Peak O
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Fuji Electric
18+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Reverse Blocking Voltage V_R - - 600 V Maximum reverse voltage the diode can withstand Average Rectified Current I_F(AV) 20 - - A Continuous aver
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Mitsubishi
14+
Parameter Description Value Part Number Full part number QM150DY-H Type Component type MOSFET VDS (Max) Drain-Source Voltage 150V ID (Max) Continuous Drain Current 25A RDS(on) (Max) On-
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Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Forward Voltage Vf IF = 10A 2.5 - 3.0 V Reverse Breakdown Voltage VBR IR = 1mA 1200 - - V Total Power Dissipation PTOT TC = 25°C - 250 - W Jun
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Infineon Technologies AG
2020+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Rated Voltage VDSS 1200 V Maximum repetitive peak off-state voltage Continuous Drain Current ID 450 A (Tc=25°C) RMS output current Total Lo
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Semikron
18+
Parameter Description Part Number SKKT253/16E Type Thyristor Mounting Type Through Hole Package / Case TO-220-3 Operating Temperature -40°C to +125°C Maximum Repetitive Peak Off-State
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Semikron
1204
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Notes Rated Voltage (Collector-Emitter) VCES - 1200 - V Rated Current (Collector) IC - 400 - A Continuous Collector-Emitter Power Dissipation PCE - 3
Stock:2000
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Parameter Description Value Unit Part Number Component Identifier SEMIX703GB126V1 - Type Device Type IGBT Module - Technology Manufacturing Process Trench Gate Field Stop (FGFS) - Package
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Semikron
2020
SKKT162/12E is a module manufactured by Semikron. It is a three-phase bridge rectifier module with a maximum current rating of 162A and a maximum voltage rating of 1200V. It is designed for use in pow
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IGBT
IXYS
22+
Parameter Symbol Value Unit Notes Maximum Drain Voltage VDSS 800 V Maximum Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current ID 44 A TC = 25°C Pulse Drain Current IDM 176 A tp = 10
Stock:5000
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Semikron
2018+
Parameter Description Value Unit Device Type Description Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET - VDS Drain-to-Source Voltage 200 V VGS Gate-to-Source Voltage ±20 V ID Continuous Drain Cu
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SPM26
Fairchild
11+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Input Voltage VIN 4.5 - 60 V Operating input voltage range Output Voltage VOUT - 12 - V Fixed output voltage Output Current IOUT - 1.5 3 A Cont
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Module
Semikron
18+
Parameter Description Min Typ Max Unit VDC DC Input Voltage 500 - 800 V IC Continuous Collector Current - 1600 - A IC,peak Peak Collector Current (10 μs, 1% duty cycle) - 3200 - A Tj Junc
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Infineon Technologies AG
21+
Description: Infineon FF450R12KE4 is a three-phase inverter module with a maximum current rating of 450A. Features: Low switching losses Low EMI High efficiency Low thermal resistance High power
Stock:2000
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Semikron
15+
Parameter Value Unit Device Type IGBT Module Package Type 62mm x 140mm Max Collector-Emitter Voltage (Vce) 1200 V Max Collector Current (Ic) 800 A Max Gate-Emitter Voltage (Vge) ±20 V
Stock:2000
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Semikron
2012+
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Condition Collector-Emitter Voltage Vceo - - 1200 V Collector-Base Voltage Vcbo - - 1200 V Emitter-Base Voltage Vebo - - 7 V Continuous Collector
Stock:2000
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Parameter Description Value Unit Supply Voltage The range of supply voltage the device can operate within 2.7 to 5.5 V Output Current Maximum output current 300 mA Operating Temperature Ran
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