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Utsource
DO-214AA/SMB
Vishay Siliconix
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Reverse Standoff Voltage Vrwm 16 V Maximum Clamping Voltage Vc Ipp = 20.8A 34.7 V Peak Pulse Current Ipp Tp = 10/1000μs 20.8 A Reverse
Stock:10000
Minimo:17
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TO-247
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Collector-Emitter Voltage Vceo - 600 - V Collector-Base Voltage Vcbo - 650 - V Emitter-Base Voltage Vebo -1 - 5 V Continuous Collector Current Ic - 1
Stock:10000
Minimo:5
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TO-220
International Rectifier
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Continuous Drain Current ID - 60 - A Pulse Drain Current IDM - 120 - A (t = 10 μs) Gate-Source Voltage VGS -15 - 20 V Drain-Source Breakdown Voltage V(BR
Stock:10000
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TO-220F
Apec
09+
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Input Voltage VIN Continuous 2.7 5.5 V Output Voltage VOUT Fixed 3.3 V Output Current IOUT Continuous 1.0 A Quiescent Current IQ VIN = 5V
Stock:10000
Minimo:2
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TO-220F
11+
Parameter / Model 2SJ303 J303 2SJ303-AZ Type PNP Power Transistor PNP Power Transistor PNP Power Transistor Collector-Emitter Voltage (Vceo) 100 V 100 V 100 V Emitter-Base Voltage (Vebo) 5
Stock:10000
Minimo:5
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TO-247
Mospec
05+
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Input Voltage V_IN 2.7 - 5.5 V Output Voltage V_OUT - 3.3 - V Output Current I_OUT - 400 - mA Quiescent Current I_Q - 10 - μA Dropout Voltage V_DRO
Stock:10000
Minimo:1
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Parameter Value Unit Device IRLR8726PBF Type MOSFET Package SO-8 VDS (Drain-Source Voltage) 30 V RDS(on) @ VGS=10V 1.4 mΩ ID (Continuous Drain Current) 59 A PD (Power Dissipation
Stock:10000
Minimo:4
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to-247
Parameter Value Unit Part Number IKW08T120 - Package Type TO-247 - Status Original Stock - VDS (Max Drain-Source Voltage) 120 V ID (Continuous Drain Current) 8 A RDS(on) (On-State Res
Stock:10000
Minimo:2
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DO-214AA/SMB
Vishay Siliconix
19+
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Reverse Standoff Voltage VRWM - 5.0 - V Maximum Clamping Voltage VC - - 7.6 V Peak Pulse Current (8/20μs) IPP - - 14 A Reverse Leakage Current IR - -
Stock:30000
Minimo:37
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TO-220
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Input Voltage VIN 3.0 - 40 V Output Voltage VOUT 1.25 - 37 V Output Current IOUT 1.5 - 1.5 A Line Regulation - 0.01 - %/V Load Regulation - 0.1 -
Stock:10000
Minimo:8
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TO220
STMicroelectronics
18+
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Repetitive Peak Off-State Voltage V DRM T J = 25°C - 600 - V Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM T J = 25°C - 600 - V Non-Repetitive Peak Off-
Stock:10000
Minimo:10
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13+
The TK6A50D is a 600V, 6A N-channel MOSFET produced by Toshiba. It is a surface mount device with a TO-220F package. Description: The TK6A50D is a N-channel MOSFET with a maximum drain-source voltage
Stock:10000
Minimo:6
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TO-247
Parameter Description Part Number FDA50N50 Type N-Channel MOSFET VDS (Max) 500V VGS (Max) ±20V ID (Max) 50A (Pulsed) / 18A (Continuous) RDS(on) (Max) 0.035Ω @ VGS = 10V Power Dissip
Stock:10000
Minimo:5
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TO-247
Infineon Technologies AG
19+
Parameter Symbol Value Unit Maximum Drain-to-Source Voltage VDS 600 V Continuous Drain Current (Tc = 25°C) ID 34 A Continuous Drain Current (Tc = 100°C) ID 24 A Pulse Drain Current (Tc =
Stock:10000
Minimo:1
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TO-220F
Fairchild
14+
Description: FDPF51N25 is a N-channel MOSFET transistor manufactured by Fairchild Semiconductor. Features: - Low On-Resistance - Low Gate Charge - Fast Switching Speed - RoHS Compliant Applications
Stock:10000
Minimo:2
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to-247
Description: The MJH11021 is a NPN Darlington Transistor in a TO-247 package. It is designed for use in power switching applications. Features: NPN Darlington Transistor TO-247 Package High Curr
Stock:10000
Minimo:5
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to-126
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Supply Voltage Vcc 4.5 - 30 V Continuous Collector Current Ic - 1.5 3.0 A Peak Collector Current Icm - - 5.0 A Collector-Emitter Saturation Voltage Vce(s
Stock:10000
Minimo:13
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TO-220
On Semiconductor
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Condition Collector-Emitter Voltage VCEO - - -45 V IC = 0, TA = 25°C Emitter-Collector Voltage VEBO - - -5 V IE = 0, TA = 25°C Collector-Base Voltage V
Stock:10000
Minimo:5
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TO-220
On Semiconductor
20+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Collector-Emitter Voltage VCEO - - 100 V Collector-Base Voltage VCBO - - 100 V Emitter-Base Voltage VEBO - - 5 V Collector Current IC - - 1.5 A Base Cu
Stock:10000
Minimo:1
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to-247TO-247
International Rectifier
Description: The IRGP4750D is an N-channel enhancement mode power MOSFET with a low gate charge and low on-resistance. It is designed for use in high efficiency power supplies, DC-DC converters, and
Stock:5000
Minimo:1
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Ferma gli esperti di produzione, siamo in grado di fornire un gran numero di componenti elettronici che sono stati interrotti e che sono difficili da trovare, per facilitare la società di manutenzione
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+52 5515436028 Messico
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