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Utsource
SOT23-5
12＋
Parameter Value Part Number RN5RZ33BA-TR-FA Description 330Ω ±1% Thick Film Chip Resistor Resistance 330Ω Tolerance ±1% Power Rating 1/16W (0.0625W) Operating Temperature -55°C to +12
Stock:10000
Minimo:2
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TO-263
STMicroelectronics
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Output Voltage Vout - 12 - V Input Voltage Range Vin 14.5 - 35 V Output Current Iout - 1.5 - A Quiescent Current IQ - 5 - mA Dropout Voltage Vdo - 2.5
Stock:10000
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SOT23-6
10＋
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Input Voltage VIN 2.7 - 5.5 V Output Voltage VOUT - 1.8 - V Fixed Output Current IOUT - 600 - mA Quiescent Current IQ - 2.4 - μA Dropout Volta
Stock:10000
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TO220-2
APT
16+
Parameter Description Value Unit Part Number Device Identifier APT15D100KG - Type Device Type Diode - Package Physical Encapsulation TO-220 - Maximum Reverse Voltage (Vr) Maximum reverse
Stock:10000
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TO-263
International Rectifier
18+
Parameter Description Value Part Number Full part number F9530NS Type Type of device MOSFET P-Channel/N-Channel Channel type N-Channel VDS (Max) Drain-to-source voltage 60V RDS(on) @ VG
Stock:10000
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MSOP8
1533
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Collector-Emitter Voltage (Vce) Vceo - - 500 V Collector-Base Voltage (Vcb) Vcbo - - 500 V Emitter-Base Voltage (Veb) Vebo - - 5 V Continuous Collector C
Stock:10000
Minimo:8
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TO-252
Maplesemi
18+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Supply Voltage Vcc 2.7 - 5.5 V Operating Temperature Topr -40 - 85 °C Storage Temperature Tstg -55 - 150 °C Output Current Iout - 100 300 mA Quiescent
Stock:10000
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TO-247
International Rectifier
12+
Description: HFA30PA60C is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) module manufactured by International Rectifier (IR). Features: High speed switching Low saturation voltage Low gate charge H
Stock:10000
Minimo:1
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SMD
09＋
Parameter Description Value Part Number Component Identifier SMLE12BC7T Type Device Type Surface Mount Inductor Frequency Range Operating Frequency 10 MHz to 1 GHz Inductance Nominal Indu
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SOT-23
08＋
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Notes Supply Voltage Vcc 4.5 5.0 5.5 V Operating Temperature Toper -40 85 °C Storage Temperature Tstg -55 125 °C Output Current Iout 100 150 mA
Stock:30000
Minimo:110
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TO-220
Sanyo
06+
The 2SC2344E is a NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor manufactured by Sanyo. It is designed for use in audio frequency and general purpose amplifier applications. Description: The 2SC2344E is a N
Stock:10000
Minimo:6
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TO-263
STMicroelectronics
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Output Voltage Vout - 15 - V Input Voltage Range Vin 17 - 35 V Output Current Iout - 1.5 - A Dropout Voltage Vdo - 2.0 - V Quiescent Current Iq - 6
Stock:10000
Minimo:10
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SOT-223
11＋
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Supply Voltage Vcc 2.7 - 5.5 V Output Current Iout - 100 300 mA Continuous Quiescent Current Iq - 1.5 2.5 μA Typical at Vcc = 5V, Iout = 0mA Dropo
Stock:10000
Minimo:8
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TO-220F
International Rectifier
09+
Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Drain-Source Voltage VDS Continuous - 500 - V Gate-Source Voltage VGS Continuous -20 0 20 V Drain Current ID Continuous, VGS = 10V - 6.8 -
Stock:10000
Minimo:6
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TO-3PL
17+
Parameter 2SA1987 (PNP) 2SC5359 (NPN) Type PNP Bipolar Transistor NPN Bipolar Transistor Collector-Emitter Voltage (Vceo) 60 V 60 V Emitter-Base Voltage (Veb) 5 V 5 V Collector Current (I
Stock:5000
Minimo:1
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TO-220F-5
12＋
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Input Voltage VIN 2.7 - 5.5 V Output Voltage VOUT - 3.3 - V Fixed Output Current IOUT - 1 1.5 A Quiescent Current IQ - 20 - μA Dropout Voltage
Stock:10000
Minimo:2
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TO-247
Niec
03+
2SC4236 is a NPN silicon epitaxial transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in power amplifier and switching applications. Features: -High DC current gain -Low collector-emitter sat
Stock:10000
Minimo:2
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TO-247
International Rectifier
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Forward Voltage Drop V_F - 1.8 2.2 V At IF = 70A, T_J = 25°C Reverse Blocking Voltage V_R 1600 - - V Maximum reverse voltage Average Rectified
Stock:5000
Minimo:5
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TO-220
International Rectifier
17
Description: This is a N-Channel MOSFET transistor manufactured by International Rectifier. Features: Maximum Drain Source Voltage: 100V Maximum Gate Source Voltage: ±20V Maximum Continuous Drain C
Stock:10000
Minimo:2
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TO-263
International Rectifier
17+
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Conditions Input Voltage VIN 2.7 - 5.5 V - Output Voltage VOUT 1.8 - 3.3 V Adjustable Output Current IOUT - 500 1000 mA Continuous Quiescent Current
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Minimo:3
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Ferma gli esperti di produzione, siamo in grado di fornire un gran numero di componenti elettronici che sono stati interrotti e che sono difficili da trovare, per facilitare la società di manutenzione
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+52 5641347253 Messico
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