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Home page > Componenti Elettronici > Transistor > Transistor bipolari
Utsource
TO-3PL
XHW
Description: The BTA100-1200B is a 100A 1200V Silicon Controlled Rectifier (SCR) manufactured by China. It is a three-terminal, three-phase, gate-controlled thyristor with a TO-3PL package. Features:
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TO-220F
Fuji Electric
Description: K2645 is a TO-220F package transistor manufactured by Fuji. Features: K2645 has a collector-emitter voltage of 600V and a collector current of 4A. It also has a power dissipation of 40W
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TO-3P
Parameter Description Value Part Number Part number of the component FDA59N30 Type Type of component MOSFET Polarity Polarity of the MOSFET N-Channel VDS (Max) Maximum Drain-Source Voltag
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TO-220F
STMicroelectronics
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Drain-Source Voltage VDSS - - 600 V - Gate-Source Voltage VGSS -15 - 15 V - Continuous Drain Current ID - 10 - A TC = 25°C Continuous Drain Cu
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TO-252
Alpha & Omega Semiconductor
15+
Package Type: TO-252 Manufacturer: AOS Description: AOD256 is a N-Channel Enhancement Mode MOSFET produced by AOS. Features: - Low on-resistance - Low gate charge - Low input capacitance - High spee
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TO-247
Parameter Value Part Number FGH60N60SFD Type MOSFET Brand Fairchild (ON Semiconductor) Package TO-220 VDS (Max Drain-Source Voltage) 600 V RDS(on) (On-State Resistance) 0.60 Ω @ 25°C,
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TO-126
Fsc/on
Parameter KSE340STU KSE350STU Type Hall Effect Sensor Hall Effect Sensor Output Type Digital Digital Supply Voltage (V) 4.5 to 24 4.5 to 24 Operating Temperature (°C) -40 to 150 -40 to 15
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TO-126
Fsc/on
Parameter KSE350STU KSE340STU Type Hall Effect Sensor Hall Effect Sensor Operating Voltage 4.5V to 24V 4.5V to 24V Output Type NPN Open Collector NPN Open Collector Maximum Load Current 2
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TO-3P
Parameter Description Value Part Number Device Identifier FQA70N10 Type MOSFET Type N-Channel Voltage (Vds) Drain to Source Voltage 100 V Current (Id) Continuous Drain Current 7.0 A Pow
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TO-252
Infineon Technologies AG
13+
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Conditions/Notes Drain-Source On-State Resistance RDS(on) - 380 - mΩ VGS = 10V, TJ = 25°C Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 2.0 4.0 6.0 V ID = 250μA,
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TO-247
Infineon Technologies AG
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Collector-Emitter Voltage V CES Continuous - 600 - V Collector Current I C Pulse - - 140 A Power Dissipation P T Ta = 25°C - - 200 W Junction
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TO-3P
04+
Below is the parameter table and instructions for the 2SK2057 MOSFET. Parameter Table Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Drain-Source Voltage ( V_ ) - 300 - V Gate-Source Voltage (
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TO-247
The HY4306W is a high-speed, high-efficiency, low-power, low-voltage, 3-phase brushless DC motor driver IC from Hystou Technology. It is designed to drive 3-phase brushless DC motors with a maximum ou
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TO-263
On Semiconductor
03+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Input Voltage VIN 4.5 - 40 V Output Voltage (Fixed) VOUT - 5.0 - V Output Current IOUT - 3.0 - A Switching Frequency fSW - 52 - kHz Efficiency η - 84 -
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TO-252
International Rectifier
10+
Parameter IRFR4105ZTRPBF IRFR4105ZPBF Device Type MOSFET MOSFET Package TO-220FP-3 TO-220FP-3 Mounting Type Surface Mount Through Hole VDSS (V) 55 55 RDS(on) (Ω) 6.5 mΩ (max) at VGS = 1
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TO-252
STMicroelectronics
10+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Breakdown Voltage V(BR) 5.1 V Breakdown voltage at specified test current Test Current IT 5 mA Current at which breakdown voltage is measured
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TO-220
Parameter Value Part Number L7824CV Type Voltage Regulator Output Voltage 24V Input Voltage 27V to 40V Output Current 1.5A Package TO-220 Operating Temp. -40°C to 125°C Storage Te
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TO-220
Parameter Value Part Number L7824CV Type Voltage Regulator (Linear) Output Voltage 24V Input Voltage Range 27V to 40V Output Current 1.5A Package Type TO-220 Operating Temperature -
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