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High Voltage Rectifer Diodes
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Ecco la tabella dei parametri e le istruzioni per il BSM50GX120DN2, un transistor IGBT di alta prestazione da Infineon Technologies.
Parametro | Simbolo | Min | Tip | Massimo | Unità | Condizioni |
---|---|---|---|---|---|---|
Tensore-Collettore Voltaggio | V CE (max) | - | - | 1200 | V | T j 25°C |
Voltaggio Emettitore-Ingresso | V GE (max) | - | - | ±20 | V | |
Corrente di raccolta continua | Io C (max) | - | - | 50 | A | T caso 25°C, T j 150°C |
Collettore di Corrente del Pulsante | Io C (max, pulsazione) | - | - | duecento | A | t p 10 μs, io C /IO/ C (max) ≤ 2 |
Dissipazione di Potenza Totale | P TOT (max) | - | - | 400 | W | T caso 25°C, R th(j-c) 0,6 K/W |
Temperatura di Giunzione | T j (op) | -100 | - | 150 | °C | |
Temperatura di immagazzinamento | T stg | -55 | - | 150 | °C | |
Resistenza Termica, Giunzione a Casing | R th(j-c) | - | 0,6 | - | K/W | |
Tempo di Accensione | t su | - | 1,2 | 1,8 | µs | Io C 50 A, V GE 15 V, V CE 600 V |
Tempo di Spegnimento | t spento | - | 1,5 | 2.2 | μs | Io C 50 A, V GE -15 V, V CE 600 V |
Tensione di Saturazione | V CE(sat) | - | 2.0 | 2,5 | V | Io C 50 A, V GE 15 V, T j 25°C |
Carica alla Porta | Q G | - | 100 | 130 | <nC></nC> | Io C 50 A, V GE 15 V, V CE 600 V |
Manutenzione e immagazzinamento:
Montaggio:
Connessioni elettriche:
Condizioni di funzionamento:
Test:
Precauzioni di sicurezza:
Attraverso l'osservanza di questi parametri e istruzioni, è possibile garantire un'operazione affidabile ed efficiente del BSM50GX120DN2 nella vostra applicazione.
(Per riferimento solo)Introduce this module:
The BSM50GX120DN2 is a general purpose IGBT, that can fit to many applications in an electrical system. Combining both the advantages of Biploar Junction Transistors and MOSFET, it can give you an added advantage over conventional transistor in the field of Power electronics and circuits. At the same time it can also provide good switching advantage that cannot be achieved by BJT or a MOSFET
Some Core parameters of the module
● Peak reverse voltage : 1600V
● RMS forward current per chip : 40A
● DC forward current: 500A
● Surge forward current : 1250A
● Collector – Emitter Voltage: 1200V
● DC Collector Current; 80A
● Repetitive peak collector current: 100A
● Total power dissipation: 360W
● Gate emitter peak voltage: + - 20V
● DC forward current : 50A
● Repetitive peak forward current: 100A
How it use in the work(machine, daily life),
As a Rectifier
As a Chopper Circuit
QUANTITY | UNIT PRICE | PLUS UNIT PRICE | TOTAL PRICE |
---|---|---|---|
≥1: | US $91.80600 | US $86.29764 | US $86.29764 |
≥2: | US $91.80600 | US $86.29764 | US $172.59528 |
≥5: | US $85.68560 | US $80.54446 | US $402.72230 |
≥10: | US $85.68560 | US $80.54446 | US $805.44460 |
≥20: | US $85.68560 | US $80.54446 | US $1610.88920 |
≥30: | US $85.68560 | US $80.54446 | US $2416.33380 |
≥50: | US $85.68560 | US $80.54446 | US $4027.22300 |
≥100: | US $85.07356 | US $79.96915 | US $7996.91500 |
≥500: | US $84.46152 | US $79.39383 | US $39696.91500 |
Prodotto Sostitutivo
Product Name | Description |
---|---|
BSM50GD120DN2 | 1200V, 50A, N-Channel MOSFET, TO-247-3L |
BSM50GD120DN1 | 1200V, 50A, N-Channel MOSFET, TO-247-3L |
IPW50R120C6 | 1200V, 50A, N-Channel MOSFET, TO-247-3L |
FFSP50120W | 1200V, 50A, N-Channel MOSFET, TO-247-3L |
Utilizzo del Prodotto
The BSM50GX120DN2 is a high-performance IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module designed for various power electronics applications. It is particularly suited for high-power and high-frequency switching operations due to its low on-state voltage drop, high current handling capability, and robust thermal performance. Here are some common circuits and applications where the BSM50GX120DN2 might be used:
Motor Drives:
Power Supplies:
Renewable Energy Systems:
Uninterruptible Power Supplies (UPS):
Welding Machines:
Induction Heating:
Electric Vehicle (EV) Chargers:
Plasma Cutting and Welding:
A common application of the BSM50GX120DN2 is in a three-phase inverter circuit, which is essential in motor drives and renewable energy systems. Here’s a simplified diagram of a three-phase inverter using IGBTs:
+-------------------+
| |
| DC Power Supply |
| |
+-------------------+
|
V
+-------------------+
| |
| IGBT Driver |
| (e.g., IR2110) |
| |
+-------------------+
|
V
+-------------------+ +-------------------+ +-------------------+
| | | | | |
| BSM50GX120DN2 | | BSM50GX120DN2 | | BSM50GX120DN2 |
| (IGBT Module) | | (IGBT Module) | | (IGBT Module) |
| | | | | |
+-------------------+ +-------------------+ +-------------------+
| | |
V V V
+-------------------+ +-------------------+ +-------------------+
| | | | | |
| Motor Winding A | | Motor Winding B | | Motor Winding C |
| | | | | |
+-------------------+ +-------------------+ +-------------------+
This setup allows for efficient and precise control of the three-phase motor or other three-phase loads.
If you have a specific application or circuit in mind, feel free to provide more details, and I can offer more tailored advice!
Elenco dei paesi per la logistica globale
Bandiera | Nazione | Tempo di consegna stimato | Costo minimo del primo peso | ||
---|---|---|---|---|---|
Corriere | Spedizione standard | Corriere (0.5kg) | Spedizione standard (0.05kg) |
Ordine
Pagamento
Trasporto merci
Buono regalo / servizio Plus
Reso
I resi sono accettati se completati entro 90 giorni dalla data di consegna del pacco.
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BSM50GX120DN2
BSM50GX120DN2 ha diversi marchi in tutto il mondo che possono avere nomi alternativi per BSM50GX120DN2 a causa di differenze regionali o acquisizioni. BSM50GX120DN2 può anche essere noto come i seguenti nomi:
OPZIONI DI ACQUISTO
Stato di inventario: 5000
Minimo: 1
Prezzo totale:
Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori ai US $300.00(Tranne gli Stati Uniti)
Corriere: Arrivo previsto {0}
Consegna standard: Arrivo previsto {0}
Paese:
United States
Expresso: (FEDEX, UPS, DHL,TNT)Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori ai 300$,in caso di peso superiore è previsto un costo ulteriore(Tranne gli Stati Uniti)
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Prodotti totali: 18363Vendite totali: 155586
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