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Utsource
3000
SK
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM - - - 40 V Maximum DC Blocking Voltage VR - - - 40 V Maximum Average Rectified Forward Current (Tam
Depósito:30000
Mínimo:37
Entrega estándar
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TO-220
To-220
Parameter Symbol Value Unit Maximum Drain Voltage VDSS 500 V Maximum Gate-Source Voltage VGS ±20 V Maximum Drain Current (Pulsed) ID(PULSE) 100 A Maximum Drain Current (Continuous) ID(CON
Depósito:10000
Mínimo:10
Entrega estándar
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DO-41
MIC
Parameter Value Component Type Diode Part Number 1N4007 Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) 1000V Maximum RMS Voltage 707V Maximum Average Forward Rectified Current (IF(AV))
Depósito:30000
Mínimo:44
Entrega estándar
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TO-4PL
Hsdq
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Rated RMS On-State Current IT(RMS) - 60 - A Peak On-State Current (10 ms) ITSM - 300 - A On-State Voltage Drop at 25°C VTM 1.1 1.5 2.0 V Holding Curr
Depósito:10000
Mínimo:10
Entrega estándar
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Depósito:2000
Mínimo:1
Entrega estándar
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TO-247
Cree
Description: The C3D20060D is a high-voltage, high-current, N-channel MOSFET from Cree. It is designed for use in high-power switching applications. Features: High-voltage rating of 600V High-c
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
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DO-41
STMicroelectronics
1N4750A is a 1W Zener diode with a voltage of 12V. It is a DO-41 package with a glass passivated junction. Description: The 1N4750A is a 12V 1W Zener diode with a glass passivated junction. It has a
Depósito:30000
Mínimo:22
Entrega estándar
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TO-220
Philips
01+
Description: NPN Silicon Power Transistor Features: High voltage Low saturation voltage High switching speed High current gain Applications: High voltage switching Motor control
Depósito:10000
Mínimo:6
Entrega estándar
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TO-252
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Collector-Emitter Voltage Vceo - - 50 V Collector-Base Voltage Vcbo - - 60 V Emitter-Base Voltage Vebo - - 6 V Collector Current Ic - - 150 mA Base Cur
Depósito:10000
Mínimo:10
Entrega estándar
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DO-41
STMicroelectronics
Parameter Symbol Value Unit Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage V_RRM 360 V Maximum DC Blocking Voltage (Reverse) V_R 360 V Maximum Average Forward Rectified Current (T_A = 25°C) I_F(AV
Depósito:30000
Mínimo:22
Entrega estándar
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TO-92
Cj/长电
Description: NPN Transistor Features: Low collector-emitter saturation voltage Low noise High current gain High switching speed Applications: Audio amplifiers Switching circuits Motor contr
B 100-200 TO-92
Depósito:2000
Mínimo:1
Entrega estándar
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TO-220
Magnachip Semiconductor
15+
Parameter Value Unit Part Number 60R580P - Package TO-220 - Resistance 0.580 Ω Power Rating 60 W Operating Voltage 60 V Tolerance ±5% - Temperature Range -55 to +150 °C Thermal Re
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
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TO-247
Orientalsem
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Input Voltage V_IN 4.5 - 32 V Output Voltage V_OUT - 6.9 - V Output Current I_OUT - 0.65 - A Efficiency η - 85 - % Operating Temperature T_OP -40 -
Depósito:10000
Mínimo:10
Entrega estándar
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DO-41
Do-41
1N4007 is a popular 1A general-purpose silicon rectifier diode with a peak repetitive reverse voltage of 1000V. It is typically used for power supply applications, such as rectifying AC to DC, and for
Depósito:30000
Mínimo:1000
Entrega estándar
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TO-3P
On Semiconductor
Package Type: TO-3P Manufacturer: ON Semiconductor Description: The NJW21193G is a high speed, high current, N-channel MOSFET transistor from ON Semiconductor. It is designed for use in high power sw
Depósito:5000
Mínimo:1
Entrega estándar
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DO-41
STMicroelectronics
1N4753A is a 1.5A, 400V, axial leaded, glass passivated, single-phase silicon rectifier diode. Description: The 1N4753A is a high-reliability, single-phase, 400V, 1.5A silicon rectifier diode. It is
Depósito:30000
Mínimo:22
Entrega estándar
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TO-3P
HIT
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Drain-source on-resistance Rds(on) Vgs = 10V, Id = 10A - 0.025 - Ω Gate threshold voltage Vth Id = 1mA 2.0 3.0 4.0 V Input capacitance Ciss Vds
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-220F
11+
Parameter Description Value Part Number Component Identifier GT20J321, 20J321 Type Device Type Phototransistor Output Optocoupler Input Current (IF) Forward Current 5mA to 20mA Input Volt
Depósito:10000
Mínimo:5
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TO-252
Alpha & Omega Semiconductor
11+
Parameter AOD403 (D403) Type N-Channel MOSFET Vds (V) 60 Id (A) 15 Rds(on) (mΩ) 8.5 Pd (W) 29.5 Vgs(th) (V) 2.0 to 4.0 Qg (nC) 44 Package TO-220 Operating Temp -55°C to +150°C
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-247
Parameter Symbol Value Unit Notes Drain-Source Voltage (Max) VDSS 600 V Maximum drain-to-source voltage Continuous Drain Current (Max) at TC = 25°C ID 38.8 A Maximum continuous drain current
Depósito:5000
Mínimo:1
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