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Utsource
TO-220
On Semiconductor
07+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Drain-Source Voltage VDS - 50 - V Gate-Source Voltage VGS -15 - 15 V Continuous Drain Current ID - 75 - A TC = 25°C Pulse Drain Current ID p
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220F
Fairchild/on
18+
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Input Voltage VIN 4.5 - 28 V Output Voltage VOUT 1.8 - 5.5 V Output Current IOUT - 20 - A Efficiency η - 92 - % Switching Frequency fsw 200 - 600 k
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-247
On Semiconductor
19+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Drain-Source Voltage VDS - 600 - V Gate-Source Voltage VGS -20 - 20 V Continuous Drain Current ID - 40 - A TC = 25°C Continuous Drain Curren
Depósito:5000
Mínimo:1
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-3P
Fuji Electric
107250
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Collector-Emitter Voltage VCE - - 80 V Emitter-Base Voltage VEB -5 - 5 V Collector Current IC - 1 1.5 A Base Current IB - - 0.15 A Power Diss
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220
Fairchild
16+
Parameter KA7812 KA7812ETU Output Voltage 12V 12V Input Voltage Range 7V to 25V 7V to 25V Output Current 1A (max) 1A (max) Package Type TO-220 TO-220 Operating Temperature -40°C to 125°
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220F
Hitachi
00+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Drain-Source Voltage VDS - - 300 V Maximum drain-to-source voltage Gate-Source Voltage VGS -10 - 10 V Maximum gate-to-source voltage Continuous
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220
STMicroelectronics
17+
Parameter TYN412RG TYN412 Type Silicon Rectifier Diode Silicon Rectifier Diode Package SOD-323 (SC-89) TO-220AC Max Reverse Voltage (VRSM) 400 V 400 V Max Average Forward Current (IF(AV))
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-247
IXYS
17+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Maximum Drain-to-Source Voltage VDS(max) - - 650 V - Maximum Gate-to-Source Voltage VGS(max) -20 - 20 V - Continuous Drain Current (Tc = 25°C) ID - 4
Depósito:2000
Mínimo:5
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-247
International Rectifier
15+
Below is the parameter table and instructions for the G4PH40KD component: Parameter Table Parameter Symbol Min Typ Max Unit Condition Input Voltage Vin 3.3 - 5.5 V Output Voltage Vout 3.3 -
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-247
International Rectifier
13+
Description: The IRGP50B60PD1 is an insulated gate bipolar transistor (IGBT) module manufactured by International Rectifier (IR). It is a TO-247 package with a voltage rating of 600V and a current rat
Depósito:5000
Mínimo:1
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220F
11+
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Conditions Collector-Emitter Voltage VCEO - - 800 V IC = 5 mA, Tj = 25°C Emitter-Collector Voltage VECS - - 800 V IC = 5 mA, Tj = 25°C Base-Emitter Vol
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220F
Infineon Technologies AG
09+
Description: N-Channel MOSFET Transistor Features: - Low On-Resistance - Low Gate Charge - Low Input Capacitance - High Speed Switching - Avalanche Rated - RoHS Compliant Applications: - Motor Control
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-247
Infineon Technologies AG
16+
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Condition Collector-Emitter Voltage VCES - - 1200 V IC = 0, Tj = 25°C Collector Current IC - 25 - A Tj = 25°C Collector Current (Pulse) ICM - 50 - A Pu
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220F
Shindengen
04+
Description: Shindengen 5A, 200V Dual N-Channel MOSFET Features: Low on-resistance Low gate charge Low input capacitance High speed switching RoHS compliant Halogen free Lead-free
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-247
FSC
17+
Parameter Description Value Part Number Component Identifier RURG8060 Type Component Type Rectifier Diode Package Encapsulation DO-214AC (SMA) Max Reverse Voltage Maximum Reverse Voltage
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
DIP
International Rectifier
07+
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Notes Supply Voltage (High Side) VHB -0.3 - 20.0 V Supply Voltage (Low Side) VSB -0.3 - 7.5 V Floating Supply Voltage VBS 4.5 - 20.0 V Gate Drive
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-3P
Sanken Electric
04+
Package: TO-3P Manufacturer: SANKEN Description: The FML33S is a NPN power transistor manufactured by Sanken. It is designed for use in high-power switching applications. Features: High breakdown
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220F
International Rectifier
01+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Condition Drain-Source Voltage V(DS) - - 55 V Gate-Source Voltage V(GS) -15 - 20 V Continuous Drain Current I(D) - 33 - A Tc = 25°C Pulse Drain Current
Depósito:10000
Mínimo:6
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-247
International Rectifier
19+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Collector-Emitter Voltage V CES - - 600 V Maximum rating, collector to emitter Gate-Source Voltage V GS -15 - 15 V Maximum rating, gate to source
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-247
International Rectifier
13+
Parameter IRGP50B60PDPBF IRGP50B60PD Type Power MOSFET Power MOSFET Package TO-247 TO-220 VDSS (V) 600 600 ID (A) 50 50 RDS(on) (Ω) 1.65 @ VGS=10V, ID=25A 1.65 @ VGS=10V, ID=25A QG (n
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
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