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Utsource
SOT-23-6
Etasoluti
16+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Input Voltage VIN 2.7 - 5.5 V Operating input voltage range Output Voltage VOUT - 3.3 - V Fixed output voltage Output Current IOUT - 1.1 - A Ma
Depósito:10000
Mínimo:3000
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TO-92(TO-92-3)
STMicroelectronics
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Supply Voltage VDD 2.7 - 5.5 V Output Voltage (No Current) VOUT0 - 2.5 - V Sensitivity S 100 - 110 mV/A Bandwidth BW - 80 - kHz Response Time tR - 2 -
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-251
13+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Collector-Emitter Voltage VCEO 80 V Maximum collector-emitter voltage Collector-Base Voltage VCBO 80 V Maximum collector-base voltage Emitt
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-247
Magnachip Semiconductor
14+
Parameter Description Value Unit Part Number Component Identifier 40T65FDSC B - Type Component Type MOSFET - VDS Drain-Source Voltage 650 V VGS Gate-Source Voltage ±20 V ID Continuous D
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
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TO-220F
NEC
Parameter Value Unit Type P-channel MOSFET - Drain-Source Voltage (VDS) 500 V Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V Continuous Drain Current (ID) 1.0 A Pulse Drain Current (IDM) 4.0 A Input
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-247
International Rectifier
Parameter Value Unit Device IRGP50B60PD1PBF Package TO-247 Maximum Drain Current 50 A Maximum Gate Source Voltage ±20 V Maximum Drain Source Voltage 600 V RDS(on) (Max) @ VGS = 10V
Depósito:5000
Mínimo:1
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TO-264
Fairchild/on
19+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Collector-Emitter Voltage V CES - - 1000 V Gate-Emitter Voltage V GES -20 - 20 V Continuous Collector Current I C - 60 - A Pulse Collector Current I CM -
Depósito:10000
Mínimo:2
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TO-252
Fairchild
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Drain-Source Voltage VDSS - - 1000 V Maximum drain-to-source voltage Gate-Source Voltage VGS -20 - 20 V Maximum gate-to-source voltage Continuo
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-220(TO-220-3)
STMicroelectronics
Description: The BTA16-800BRG is a TRIAC, a three-terminal semiconductor device for controlling current. It is designed for use in AC switching and phase control applications. Features: 800V blocki
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
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TO-220F-3
WG
18+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Input Voltage VIN 4.5 20 V Operating voltage range Output Voltage VOUT 3.3 V Regulated output voltage Quiescent Current IQ 1 μA Supply cur
Depósito:10000
Mínimo:2
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TO-220(TO-220-3)
STMicroelectronics
The STMicroelectronics BDX53C is a NPN medium power silicon transistor in a TO-220-3 package. It is designed for use in general purpose amplifier and switching applications. Features: Collector-Emit
Depósito:10000
Mínimo:2
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TO-220F
UTC
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Forward Voltage VF - 2.0 2.4 V @ 20mA Forward voltage at 20mA Reverse Breakdown Voltage VBR 100 - - V Minimum reverse breakdown voltage Continu
Depósito:10000
Mínimo:2
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TO-3P
Fairchild/0n
17+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Drain-Source Voltage VDS -30 - 30 V Maximum continuous drain-source voltage Gate-Source Voltage VGS -12 - 12 V Maximum gate-source voltage Cont
Depósito:5000
Mínimo:1
Entrega estándar
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TOP3
STMicroelectronics
Description: BTA41-800BRG is a Triac Thyristor manufactured by STMicroelectronics. It is a three-terminal, bidirectional, gate-controlled switch designed for AC switching applications. Features:
Depósito:5000
Mínimo:1
Entrega estándar
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TO-247
STMicroelectronics
11+
Parameter GW38IH130D STGW38IH130D Type IGBT IGBT Collector-Emitter Voltage (Vce) [V] 1300 1300 Collector Current (Ic) [A] 38 38 Gate-Emitter Voltage (Vge) [V] ±20 ±20 Power Dissipation
Depósito:10000
Mínimo:1
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Depósito:10000
Mínimo:1
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SMC(DO-214AB)
On Semiconductor
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Average Rectified Current IO(AV) T_a = 25°C - 1.0 - A Peak Repetitive Reverse Voltage V_RRM I_rr = 0 - 30 - V Forward Voltage V_F I_F = 1.0A, T_
Depósito:10000
Mínimo:26
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TO-3P
Sanyo
Parameter 2SC5669 (NPN) 2SA2031 (PNP) Type NPN Bipolar Transistor PNP Bipolar Transistor Collector-Emitter Voltage (Vce) 80 V 80 V Emitter-Base Voltage (Veb) 5.5 V 5.5 V Collector Current
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
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Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-247
STMicroelectronics
Description: The STMicroelectronics TIP2955 is a high power NPN silicon epitaxial transistor designed for use in power linear and switching applications. Features: High DC current gain Low coll
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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