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Utsource
TO-3P
Infineon Technologies AG
19+
Description: Infineon IKW40N120H3 is a N-channel 1200V CoolMOS C3 Power Transistor with TO-3P package. Features: Low gate charge Low on-state resistance High avalanche ruggedness High peak current
Depósito:5000
Mínimo:1
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-3P
Fairchild/on
17+
Parameter Value Unit Device Type MOSFET - Package DPAK (TO-252) - Maximum Drain Voltage 600 V Continuous Drain Current 18.5 A Peak Pulse Drain Current 94 A RDS(on) at 10V 0.18 Ω Gat
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
DO-15
Vishay Mas
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Reverse Standoff Voltage VRWM - 91 - V Maximum Clamping Voltage VC - 145 - V @ Ipp = 1A Peak Pulse Current Ipp - - 20 A @ tP = 8.3/400μs Maximum R
TVS Diode
Depósito:30000
Mínimo:122
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-264
Fairchild
17+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Collector-Emitter Voltage VCE - 1200 - V Gate-Source Voltage VGS -20 - 20 V Continuous Collector Current IC - 35 - A Pulse Collector Current IC(rms) - 70
Depósito:5000
Mínimo:5
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
DO214AC(SMA)
Vishay Mas
Description: BYG23M-E3/TR is a surface mount, fast switching, low-voltage, low-power Schottky rectifier diode manufactured by Vishay. Features: Low forward voltage drop Low power loss High s
Super quick restore diode
Depósito:30000
Mínimo:110
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
MODULE
LS
13+
Description: The IKCM30F60GA is a 600V, 30A, 3-phase IGBT module from Infineon Technologies. Features: Low switching losses Low EMI High short circuit capability Low gate charge High current cap
Depósito:5000
Mínimo:5
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-247
IXYS
11+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Drain-Source Voltage VDS - 600 - V Gate-Source Voltage VGS -20 - 20 V Continuous Drain Current ID - 48 - A @ TC = 25°C Pulse Drain Current ID(p)
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-247
Infineon Technologies AG
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Drain-Source Voltage VDS - 1200 - V Gate-Source Voltage VGS -20 0 20 V Continuous Drain Current ID - 20 - A @ TC = 25°C Power Dissipation PTOT -
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220
Fairchild
2017
Description: N-Channel MOSFET Feature: - Low Gate Charge - Low On-Resistance - Fast Switching - Ease of Paralleling - Simple Drive Requirements Application: - Switch Mode Power Supplies - DC-DC Conver
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
Depósito:10000
Mínimo:4
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
SOT23-6
Fairchild
14+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Supply Voltage VDD 2.0 - 5.5 V Operating supply voltage range Gate-Source Voltage VGS -18 - 18 V Maximum gate-source voltage Drain-Source Volta
Depósito:10000
Mínimo:10
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-247
International Rectifier
Description: This is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) module manufactured by International Rectifier (IR). It is a TO-247 packaged device. Features: Low VCE(sat) High speed switching Lo
Depósito:5000
Mínimo:5
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
DO-15
Vishay Mas
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Forward Voltage VF - 1.0 1.3 V @ IF = 20mA Reverse Breakdown Voltage VR - 50 100 V @ IR = 1μA Forward Current (Continuous) IF - - 100 mA @ TA = 25°
Super quick restore diode
Depósito:30000
Mínimo:122
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-246
Fairchild
2016+
Manufacturer: Fairchild Description: This is a N-Channel MOSFET with a maximum drain source voltage of 600V, a drain current of 50A, and a maximum power dissipation of 590W. Features: Low Gate Cha
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-247
Fairchild/on
2017+
Parameter Symbol Value Unit Description Maximum Drain-Source Voltage VDS(max) 600 V Maximum voltage that can be applied between drain and source. Maximum Gate-Source Voltage VGS(max) ±20 V Ma
Depósito:2000
Mínimo:1
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
QFP48
E-Coms
15+
Parameter Description Value Part Number Full Part Number AS19-F Type Component Type Switch - Tactile Actuator Actuator Style Dome Contact Form Contact Configuration SPST-NO (Single Pole,
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
DO-214AC（SMA）
Vishay Mas
Description: The SMAJ60CA is a 600W unidirectional Transient Voltage Suppressor (TVS) diode designed to protect voltage sensitive components from high voltage, high energy transients. Features: - 600
TVS Diode
Depósito:30000
Mínimo:61
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-247
Infineon Technologies AG
2019+
Description: IKW50N60T is a 600V N-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Features: Low on-state resistance Fast switching Low gate charge Avalanche energy rated High current capab
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220
Fairchild
2003+
Parameter Symbol Conditions Min Typical Max Unit Input Voltage VI Continuous 14 - 30 V Output Voltage VO 12 12 12 V Output Current IO Continuous - 1.5 1.5 A Line Regulation ΔVO/ΔVI 14V t
Depósito:10000
Mínimo:8
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
SOP8
Fairchild
14+
Description: N-Channel PowerTrench MOSFET Features: Low On-Resistance Low Gate Charge Fast Switching 100% UIL Tested RoHS Compliant Halogen Free Applications: Load Switch Battery Management D
Depósito:10000
Mínimo:10
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
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