≥{{item.MinNumber}}:
{{pro.LadderPrices[num].viewPrice}}
{{item.viewPrice}}
คลิกที่นี่เพื่อเข้าสู่เว็บไซต์ Utsource
สวัสดี! เข้าสู่ระบบ หรือ ลงทะเบียนตอนนี้
APP แผ่นข้อมูล 380K likes Utsourceซื้อ(0)
การสอบถาม(0)
Dear customers, due to the implementation of the GDPR policy in Europe, UTSOURCE has also made adjustment accordingly to meet the policy requirements. Please read the new privacy policy carefully and this window will no longer pop up after you accept it.
Delivery Address
+ เพิ่มที่อยู่
ที่อยู่จัดส่งใหม่
* กรุณากรอกหมายเลขโทรศัพท์มือถือให้ถูกต้องเพื่อให้แน่ใจว่าคุณจะได้รับข้อมูลการติดตามตรงเวลา.
รหัสประเทศ
โปรด
Utsource certified original
ชิ้นส่วนของแท้ที่ได้รับการรับรองจาก Utsource ให้การรับประกันดังต่อไปนี้:
1. Utsource รับประกัน 100% ของแท้.
2. ชิ้นส่วนของแท้ที่ได้รับการรับรองจาก Utsource สามารถคืนและขอเงินคืนได้โดยไม่มีเงื่อนไขภายใน 90 วัน.
คำอธิบาย
High Voltage Rectifer Diodes
ชื่อผลิตภัณฑ์ทั้งหมด เครื่องหมายการค้า แบรนด์ และโลโก้ที่ใช้ในเว็บไซต์นี้เป็นทรัพย์สินของเจ้าของที่เกี่ยวข้อง การแสดงภาพ คำอธิบาย หรือการขายผลิตภัณฑ์ที่มีชื่อเหล่านี้ เครื่องหมายการค้า แบรนด์ และโลโก้มีวัตถุประสงค์เพื่อการระบุเท่านั้นและไม่ได้มีวัตถุประสงค์เพื่อบ่งชี้ความสัมพันธ์หรือการอนุญาตจากเจ้าของสิทธิใด ๆ.
Below is the parameter table and instructions for the BSM50GX120DN2, a high-performance IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) from Infineon Technologies.
Parameter | Symbol | Min | Typ | Max | Unit | Conditions |
---|---|---|---|---|---|---|
Collector-Emitter Voltage | VCE(max) | - | - | 1200 | V | Tj = 25°C |
Gate-Emitter Voltage | VGE(max) | - | - | ±20 | V | |
Continuous Collector Current | IC(max) | - | - | 50 | A | Tcase = 25°C, Tj = 150°C |
Pulse Collector Current | IC(max, pulse) | - | - | 200 | A | tp = 10 μs, IC/IC(max) ≤ 2 |
Total Power Dissipation | PTOT(max) | - | - | 400 | W | Tcase = 25°C, Rth(j-c) = 0.6 K/W |
Junction Temperature | Tj(op) | -100 | - | 150 | °C | |
Storage Temperature | Tstg | -55 | - | 150 | °C | |
Thermal Resistance, Junction to Case | Rth(j-c) | - | 0.6 | - | K/W | |
Turn-On Time | ton | - | 1.2 | 1.8 | μs | IC = 50 A, VGE = 15 V, VCE = 600 V |
Turn-Off Time | toff | - | 1.5 | 2.2 | μs | IC = 50 A, VGE = -15 V, VCE = 600 V |
Saturation Voltage | VCE(sat) | - | 2.0 | 2.5 | V | IC = 50 A, VGE = 15 V, Tj = 25°C |
Gate Charge | QG | - | 100 | 130 | nC | IC = 50 A, VGE = 15 V, VCE = 600 V |
Handling and Storage:
Mounting:
Electrical Connections:
Operating Conditions:
Testing:
Safety Precautions:
By following these parameters and instructions, you can ensure reliable and efficient operation of the BSM50GX120DN2 in your application.
(For reference only)Introduce this module:
The BSM50GX120DN2 is a general purpose IGBT, that can fit to many applications in an electrical system. Combining both the advantages of Biploar Junction Transistors and MOSFET, it can give you an added advantage over conventional transistor in the field of Power electronics and circuits. At the same time it can also provide good switching advantage that cannot be achieved by BJT or a MOSFET
Some Core parameters of the module
● Peak reverse voltage : 1600V
● RMS forward current per chip : 40A
● DC forward current: 500A
● Surge forward current : 1250A
● Collector – Emitter Voltage: 1200V
● DC Collector Current; 80A
● Repetitive peak collector current: 100A
● Total power dissipation: 360W
● Gate emitter peak voltage: + - 20V
● DC forward current : 50A
● Repetitive peak forward current: 100A
How it use in the work(machine, daily life),
As a Rectifier
As a Chopper Circuit
ตัวอย่าง 3 หน้แรกของแผ่นข้อมูล
QUANTITY | UNIT PRICE | PLUS UNIT PRICE | TOTAL PRICE |
---|---|---|---|
≥1: | US $91.80600 | US $86.29764 | US $86.29764 |
≥2: | US $91.80600 | US $86.29764 | US $172.59528 |
≥5: | US $85.68560 | US $80.54446 | US $402.72230 |
≥10: | US $85.68560 | US $80.54446 | US $805.44460 |
≥20: | US $85.68560 | US $80.54446 | US $1610.88920 |
≥30: | US $85.68560 | US $80.54446 | US $2416.33380 |
≥50: | US $85.68560 | US $80.54446 | US $4027.22300 |
≥100: | US $85.07356 | US $79.96915 | US $7996.91500 |
≥500: | US $84.46152 | US $79.39383 | US $39696.91500 |
ผลิตภัณฑ์ทดแทน
Product Name | Description |
---|---|
BSM50GD120DN2 | 1200V, 50A, N-Channel MOSFET, TO-247-3L |
BSM50GD120DN1 | 1200V, 50A, N-Channel MOSFET, TO-247-3L |
IPW50R120C6 | 1200V, 50A, N-Channel MOSFET, TO-247-3L |
FFSP50120W | 1200V, 50A, N-Channel MOSFET, TO-247-3L |
การใช้งานผลิตภัณฑ์
The BSM50GX120DN2 is a high-performance IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module designed for various power electronics applications. It is particularly suited for high-power and high-frequency switching operations due to its low on-state voltage drop, high current handling capability, and robust thermal performance. Here are some common circuits and applications where the BSM50GX120DN2 might be used:
Motor Drives:
Power Supplies:
Renewable Energy Systems:
Uninterruptible Power Supplies (UPS):
Welding Machines:
Induction Heating:
Electric Vehicle (EV) Chargers:
Plasma Cutting and Welding:
A common application of the BSM50GX120DN2 is in a three-phase inverter circuit, which is essential in motor drives and renewable energy systems. Here’s a simplified diagram of a three-phase inverter using IGBTs:
+-------------------+
| |
| DC Power Supply |
| |
+-------------------+
|
V
+-------------------+
| |
| IGBT Driver |
| (e.g., IR2110) |
| |
+-------------------+
|
V
+-------------------+ +-------------------+ +-------------------+
| | | | | |
| BSM50GX120DN2 | | BSM50GX120DN2 | | BSM50GX120DN2 |
| (IGBT Module) | | (IGBT Module) | | (IGBT Module) |
| | | | | |
+-------------------+ +-------------------+ +-------------------+
| | |
V V V
+-------------------+ +-------------------+ +-------------------+
| | | | | |
| Motor Winding A | | Motor Winding B | | Motor Winding C |
| | | | | |
+-------------------+ +-------------------+ +-------------------+
This setup allows for efficient and precise control of the three-phase motor or other three-phase loads.
If you have a specific application or circuit in mind, feel free to provide more details, and I can offer more tailored advice!
รายชื่อประเทศด้านโลจิสติกส์ทั่วโลก
ธง | ประเทศ | เวลาจัดส่งโดยประมาณ | ค่าใช้จ่ายขั้นต่ำสำหรับน้ำหนักแรก | ||
---|---|---|---|---|---|
ด่วน | การจัดส่งมาตรฐาน | ด่วน (0.5kg) | การจัดส่งมาตรฐาน (0.05kg) |
คำสั่งซื้อ
การชำระเงิน
การจัดส่ง
คูปองของขวัญ/บริการพลัส
การคืนสินค้า
การคืนสินค้าจะได้รับการยอมรับเมื่อเสร็จสิ้นภายใน 90 วันนับจากวันที่พัสดุจัดส่ง
มีข้อบกพร่อง (กรุณาให้รายงานคุณภาพจากบุคคลที่สามสำหรับผลิตภัณฑ์ที่ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด)
ค่าขนส่งคืนต้องชำระล่วงหน้า; เราจะไม่รับการจัดส่งแบบ COD
การรับประกัน
การซื้อทั้งหมดของ UTSOURCE มีนโยบายการคืนเงินภายใน 90 วัน พร้อมการรับประกัน UTSOURCE 100 วันสำหรับข้อบกพร่องในการผลิต การรับประกันนี้จะไม่ใช้กับสินค้าที่มีข้อบกพร่องที่เกิดจากการประกอบที่ไม่ถูกต้องของลูกค้า ความล้มเหลวของลูกค้าในการปฏิบัติตามคำแนะนำ การดัดแปลงผลิตภัณฑ์ การดำเนินการที่ประมาทหรือไม่เหมาะสม
BSM50GX120DN2
BSM50GX120DN2 มีหลายแบรนด์ทั่วโลกที่อาจมีชื่อทางเลือกสำหรับ BSM50GX120DN2 เนื่องจากความแตกต่างทางภูมิศาสตร์หรือการเข้าซื้อกิจการ BSM50GX120DN2 อาจรู้จักในชื่อดังต่อไปนี้:
ตัวเลือกการซื้อ
สถานะสต็อก: 5000
ขั้นต่ำ: 1
ราคารวม:
จัดส่งฟรีสำหรับน้ำหนัก 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า US $300.00(ยกเว้นสหรัฐอเมริกา)
ด่วน: ประมาณการมาถึง {0}
การจัดส่งมาตรฐาน: ประมาณการมาถึง {0}
ประเทศ:
United States
จัดส่งด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)จัดส่งฟรีสำหรับน้ำหนักแรก 0.5 กก. สำหรับคำสั่งซื้อที่มากกว่า 300$, น้ำหนักเกินจะมีการคิดค่าบริการแยกต่างหาก(ยกเว้นสหรัฐอเมริกา)
Utsource Original Store
จำนวนสินค้าทั้งหมด: 2404032ยอดขายรวม: 13979091
{{pro.Parameter.Brand}}
{{pro.encapsulation}}
{{pro.Parameter.DateCode}}
{{pro.brief}}
ขั้นต่ำ:{{pro.BuyQuantity}}
การจัดส่งมาตรฐาน
ด่วน: ประมาณการมาถึง {0}
การจัดส่งมาตรฐาน: ประมาณการมาถึง {0}
ผู้เชี่ยวชาญด้านการหยุดการผลิต, เราสามารถจัดหาชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์จำนวนมากที่หยุดการผลิตและหายาก, เพื่ออำนวยความสะดวกให้กับบริษัทซ่อมบำรุง
Reply to
submit