≥{{item.MinNumber}}:
{{pro.LadderPrices[num].viewPrice}}
{{item.viewPrice}}
Utsource sitesine girmek için Buraya Tıklayın
Merhaba! Oturum aç veya Şimdi kaydolun
APP Veri sayfası 380K likes UtsourceOturum aç
Satın Al(0)
Sorgulama(0)
Dear customers, due to the implementation of the GDPR policy in Europe, UTSOURCE has also made adjustment accordingly to meet the policy requirements. Please read the new privacy policy carefully and this window will no longer pop up after you accept it.
Delivery Address
+ Adres Ekle
Yeni Gönderi Adresi
* Takip bilgilerini zamanında alabileceğinizden emin olmak için lütfen cep telefonu numarasını doğru bir şekilde doldurun.
Ülke Kodu
Favori
Utsource certified original
Utsource sertifikalı orijinal parçalar aşağıdaki garantileri sağlar
1. Utsource %100 orijinal olduğunu garanti eder.
2. Utsource sertifikalı orijinal parçalar 90 gün içinde koşulsuz olarak iade edilebilir ve iade edilebilir.
Açıklama
High Voltage Rectifer Diodes
Bu sitede kullanılan tüm ürün adları, ticari markalar, markalar ve logolar ilgili sahiplerinin mülkiyetindedir. Bu adları, ticari markaları, markaları ve logoları içeren ürünlerin tasviri, açıklaması veya satışı yalnızca tanımlama amaçlıdır ve herhangi bir hak sahibi ile herhangi bir ilişkiyi veya yetkiyi göstermeyi amaçlamaz.
Below is the parameter table and instructions for the BSM50GX120DN2, a high-performance IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) from Infineon Technologies.
Parameter | Symbol | Min | Typ | Max | Unit | Conditions |
---|---|---|---|---|---|---|
Collector-Emitter Voltage | VCE(max) | - | - | 1200 | V | Tj = 25°C |
Gate-Emitter Voltage | VGE(max) | - | - | ±20 | V | |
Continuous Collector Current | IC(max) | - | - | 50 | A | Tcase = 25°C, Tj = 150°C |
Pulse Collector Current | IC(max, pulse) | - | - | 200 | A | tp = 10 μs, IC/IC(max) ≤ 2 |
Total Power Dissipation | PTOT(max) | - | - | 400 | W | Tcase = 25°C, Rth(j-c) = 0.6 K/W |
Junction Temperature | Tj(op) | -100 | - | 150 | °C | |
Storage Temperature | Tstg | -55 | - | 150 | °C | |
Thermal Resistance, Junction to Case | Rth(j-c) | - | 0.6 | - | K/W | |
Turn-On Time | ton | - | 1.2 | 1.8 | μs | IC = 50 A, VGE = 15 V, VCE = 600 V |
Turn-Off Time | toff | - | 1.5 | 2.2 | μs | IC = 50 A, VGE = -15 V, VCE = 600 V |
Saturation Voltage | VCE(sat) | - | 2.0 | 2.5 | V | IC = 50 A, VGE = 15 V, Tj = 25°C |
Gate Charge | QG | - | 100 | 130 | nC | IC = 50 A, VGE = 15 V, VCE = 600 V |
Handling and Storage:
Mounting:
Electrical Connections:
Operating Conditions:
Testing:
Safety Precautions:
By following these parameters and instructions, you can ensure reliable and efficient operation of the BSM50GX120DN2 in your application.
(For reference only)Introduce this module:
The BSM50GX120DN2 is a general purpose IGBT, that can fit to many applications in an electrical system. Combining both the advantages of Biploar Junction Transistors and MOSFET, it can give you an added advantage over conventional transistor in the field of Power electronics and circuits. At the same time it can also provide good switching advantage that cannot be achieved by BJT or a MOSFET
Some Core parameters of the module
● Peak reverse voltage : 1600V
● RMS forward current per chip : 40A
● DC forward current: 500A
● Surge forward current : 1250A
● Collector – Emitter Voltage: 1200V
● DC Collector Current; 80A
● Repetitive peak collector current: 100A
● Total power dissipation: 360W
● Gate emitter peak voltage: + - 20V
● DC forward current : 50A
● Repetitive peak forward current: 100A
How it use in the work(machine, daily life),
As a Rectifier
As a Chopper Circuit
QUANTITY | UNIT PRICE | PLUS UNIT PRICE | TOTAL PRICE |
---|---|---|---|
≥1: | US $91.80600 | US $86.29764 | US $86.29764 |
≥2: | US $91.80600 | US $86.29764 | US $172.59528 |
≥5: | US $85.68560 | US $80.54446 | US $402.72230 |
≥10: | US $85.68560 | US $80.54446 | US $805.44460 |
≥20: | US $85.68560 | US $80.54446 | US $1610.88920 |
≥30: | US $85.68560 | US $80.54446 | US $2416.33380 |
≥50: | US $85.68560 | US $80.54446 | US $4027.22300 |
≥100: | US $85.07356 | US $79.96915 | US $7996.91500 |
≥500: | US $84.46152 | US $79.39383 | US $39696.91500 |
Yedek Ürün
Product Name | Description |
---|---|
BSM50GD120DN2 | 1200V, 50A, N-Channel MOSFET, TO-247-3L |
BSM50GD120DN1 | 1200V, 50A, N-Channel MOSFET, TO-247-3L |
IPW50R120C6 | 1200V, 50A, N-Channel MOSFET, TO-247-3L |
FFSP50120W | 1200V, 50A, N-Channel MOSFET, TO-247-3L |
Ürün Kullanımı
The BSM50GX120DN2 is a high-performance IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module designed for various power electronics applications. It is particularly suited for high-power and high-frequency switching operations due to its low on-state voltage drop, high current handling capability, and robust thermal performance. Here are some common circuits and applications where the BSM50GX120DN2 might be used:
Motor Drives:
Power Supplies:
Renewable Energy Systems:
Uninterruptible Power Supplies (UPS):
Welding Machines:
Induction Heating:
Electric Vehicle (EV) Chargers:
Plasma Cutting and Welding:
A common application of the BSM50GX120DN2 is in a three-phase inverter circuit, which is essential in motor drives and renewable energy systems. Here’s a simplified diagram of a three-phase inverter using IGBTs:
+-------------------+
| |
| DC Power Supply |
| |
+-------------------+
|
V
+-------------------+
| |
| IGBT Driver |
| (e.g., IR2110) |
| |
+-------------------+
|
V
+-------------------+ +-------------------+ +-------------------+
| | | | | |
| BSM50GX120DN2 | | BSM50GX120DN2 | | BSM50GX120DN2 |
| (IGBT Module) | | (IGBT Module) | | (IGBT Module) |
| | | | | |
+-------------------+ +-------------------+ +-------------------+
| | |
V V V
+-------------------+ +-------------------+ +-------------------+
| | | | | |
| Motor Winding A | | Motor Winding B | | Motor Winding C |
| | | | | |
+-------------------+ +-------------------+ +-------------------+
This setup allows for efficient and precise control of the three-phase motor or other three-phase loads.
If you have a specific application or circuit in mind, feel free to provide more details, and I can offer more tailored advice!
Küresel Lojistik Ülke Listesi
Bayrak | Ülke | Tahmini Teslimat Süresi | Minimum İlk Ağırlık Maliyeti | ||
---|---|---|---|---|---|
Ekspres | Standart Kargo | Ekspres (0.5kg) | Standart Kargo (0.05kg) |
Sipariş
Ödeme
Sevkiyatta
Hediye Kuponu/Plus hizmeti
İade
İadeler normalde paketin teslim tarihinden itibaren 90 gün içinde tamamlandığında kabul edilir.
Kusurlu (Lütfen uygun olmayan ürünlerin üçüncü taraf kalite raporunu sağlayın)
İade Navlun ücretleri önceden ödenmelidir; COD gönderilerini kabul etmeyeceğiz.
Garanti
Tüm UTSOURCE satın alımlarında 90 gün para iade politikası ve ayrıca herhangi bir üretim hatasına karşı 100 gün UTSOURCE garantisi vardır Bu garanti, hataların yanlış müşteri montajı, müşterinin talimatlara uymaması, ürün modifikasyonu, ihmalkar veya yanlış kullanımdan kaynaklandığı herhangi bir ürün için geçerli olmayacaktır.
BSM50GX120DN2
BSM50GX120DN2 dünya çapında bölgesel farklılıklar veya satın alma nedeniyle BSM50GX120DN2 için alternatif adlara sahip olabilecek çeşitli markalara sahiptir. BSM50GX120DN2 aşağıdaki isimlerle de biliniyor olabilir
SATIN ALMA SEÇENEKLERİ
Stok Durumu: 5000
Asgari: 1
Toplam Fiyat:
US $300.00 üzerindeki siparişlerde ilk 0,5 kg için ücretsiz kargo(Amerika Birleşik Devletleri hariç)
Ekspres: Tahmini varış {0}
Standart teslimat: Tahmini varış {0}
Ülke:
United States
Express
Utsource Original Store
Toplam ürünler18363Toplam satışlar155586
{{pro.Parameter.Brand}}
{{pro.encapsulation}}
{{pro.Parameter.DateCode}}
{{pro.brief}}
Asgari:{{pro.BuyQuantity}}
Standart teslimat
Ekspres: Tahmini varış {0}
Standart teslimat: Tahmini varış {0}
Üretimi durdurma uzmanları, bakım şirketini kolaylaştırmak için üretimi durdurulmuş ve bulunması zor olan çok sayıda elektronik bileşen sağlayabiliriz
Reply to
submit