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Utsource
MODULE
NXP Semiconductors
1335+
The JN5168-001-M05,534 is a ZigBee module from NXP. It is a low-power, low-cost, 2.4 GHz IEEE 802.15.4 compliant radio module. It is designed for applications such as home and building automation, ind
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TO-247
IXYS
05+
Description: IXKR40N60C is a high voltage MOSFET produced by IXYS. It is a TO-247 package with a drain-source voltage of 600V and a drain current of 40A. Features: Low gate charge Low on-state resi
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Omron
18+
Parameter Value Product Type Relay Model G6K-2P-DC12V Coil Voltage 12V DC Coil Power Consumption 0.375W Coil Resistance 380Ω Contact Form SPDT (Single Pole Double Throw) Contact Mat
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MODULE
International Rectifier
0045+
SINGLE PHASE BRIDGE Power Modules
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MODULE
Mitsubishi
15+
Parameter Value Unit Part Number CM200DX-24S Type MOSFET Package TO-247 Maximum Drain Current 200 A Maximum Gate Source Voltage ±20 V Continuous Drain Current 150 A Power Dissipa
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DIP
Benchmarq
Description: BQ4287MT is a low-power, low-dropout (LDO) voltage regulator with a maximum output current of 1A. Features: - Low quiescent current: 10 μA - Low dropout voltage: 0.3 V - Output voltage a
Avalanche Bridge Rectifiers
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DIP4
SEP
Parameter Symbol Value Unit Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 600 V Maximum Average Forward Rectified Output Current (Tc=45°C) IF(AV) 3 A Maximum RMS Current (Tc=75°C) IRMS 4.2 A
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MODULE
Mitsubishi
05+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Supply Voltage VCC 2.4 - 5.5 V - Operating Temperature Ta -40 - 85 °C - Storage Temperature Tstg -55 - 125 °C - Input Voltage (Digital) Vin(D)
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Mínimo:1
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H57
Mitsubishi
2018+
Parameter RA33H1516M1 RA33H1516M1-501 Capacitance 150 μF 150 μF Voltage Rating (DC) 35 V 35 V Ripple Current (Max) 2.7 A @ 100 kHz, 85°C 2.7 A @ 100 kHz, 85°C ESR (Max) @ 100 kHz 9 mΩ 9 m
Estoque:2000
Mínimo:1
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MODULE
Mitsubishi
17+
Parameter Description Value Unit Type Surface Mount Inductor Part Number CM75RL-24NF DC Resistance (DCR) Maximum DCR 0.12 Ω Inductance Nominal Inductance 24 μH Current Rating Satura
Estoque:2000
Mínimo:1
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MODULE
Vishay Siliconix
NA
Description: The KBU8J-E4/51 is a single-phase bridge rectifier module from Vishay. It has a maximum forward voltage of 8 V and a maximum reverse voltage of 50 V. It has an average forward current of
Bridge Rectifier 8A 600V KBU
Estoque:10000
Mínimo:2
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Estoque:10000
Mínimo:1
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MODULE
IXYS
15+
Parameter Value Unit Part Number MDD255-20N1 Type MOSFET Voltage Rating (Vds) 200 V Current Rating (Ids) 55 A Rds(on) 0.028 Ω Package Type TO-220 Operating Temperature -55 to +15
Estoque:2000
Mínimo:1
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MODULE
Tyco
10+
P089A08 is a Tyco Electronics module. It is a surface mount, low profile, high current, single row, right angle, female header. It is designed for use in high density applications. It is suitable for
Estoque:2000
Mínimo:1
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MODULE
Texas Instruments
1127
1.5 AMP POSITIVE STEP-DOWN INTEGRATED SWITCHING REGULATOR
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MODULE
Cosel
08+
Description: Cosel ZS1R50505 is a DC-DC converter module with a wide input voltage range of 9-18V and a single output voltage of 5V. Features: Wide input voltage range of 9-18V Single output voltag
Transient Voltage Suppressor Diodes
Estoque:2000
Mínimo:1
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MODULE
Mitsubishi
10+
Parameter Description Value Part Number Part number of the device PS21962-4N Type Type of component Power Switch Package Type Package type of the component SOIC-8 Input Voltage (Min) Mini
Estoque:2000
Mínimo:1
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MODULE
Mitsubishi
89A
M57719L is a module manufactured by Mitsubishi. It is a power module with a maximum output of 600V/30A. It is used in power supplies, inverters, motor control systems, and other applications. It featu
135-145MHz 12.5V,14W,FM MOBILE RADIO
Estoque:2000
Mínimo:1
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MODULE
International Rectifier
07+
The IRAMS10UP60B-S is an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module manufactured by Infineon Technologies. It is a 600V, 10A, single-phase, half-bridge module. It is designed for use in motor con
Estoque:2000
Mínimo:1
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Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Breakdown Voltage V(BR)DSS - 600 - V Forward Voltage VF - 1.8 - V @ IF = 5 A Reverse Recovery Time trr - 45 - ns @ IF = 5 A, dIT/dt = 100 A/μs
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Mínimo:1
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