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Utsource
SOT-23
14＋
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Operating Voltage V_RH 2.5 - 36 V Cathode-to-Anode Voltage V_CA 2.0 - 36 V Output Current I_O 1.0 - 100 mA Reference Voltage V_REF 1.24 - 1.28 V
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SMA
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Forward Voltage Vf - 0.3 0.6 V Reverse Recovery Time trr - 45 - ns Peak Forward Current Ifsm - - 30 A Average Forward Current If(AV) - - 1 A Maximum Re
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TO-220F
04+
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Collector-Emitter Voltage VCE - - 80 V Collector-Base Voltage VCB - - 80 V Emitter-Base Voltage (Reverse) VEBO - - 5 V Collector Current (Continuous)
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SOT23-5
14＋
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Input Voltage VIN 2.7 - 5.5 V Output Voltage VOUT 3.0 3.3 3.6 V Output Current (Max) IOUT - 1.5 2.0 A Quiescent Current IQ - 2.0 - μA Dropout Volta
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TO-3PF
06+
Below is the parameter table and instructions for the C5411, which is a digital signal processor (DSP) from Texas Instruments. C5411 Parameter Table Parameter Symbol Min Typ Max Unit Supply Vol
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LL-34
STMicroelectronics
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Reverse Voltage VR - 20 - V Forward Current (Max) IFM - 1.0 - A Peak Forward Surge Current IFSM - 20.0 - A Forward Voltage (IF=10mA) VF - 1.2 - V Rever
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TO-3P
Sanken Electric
10+
2SC4140 is a NPN silicon epitaxial transistor manufactured by Sanken Electric Co., Ltd. It is designed for use in audio frequency power amplifier applications. Description: The 2SC4140 is a NPN silic
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SOT23-6
MPS
Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Input Voltage VIN - 2.5 - 5.5 V Output Voltage VOUT - 0.8 - 5.0 V Output Current IOUT - - 1.5 2.0 A Switching Frequency fSW - 1.0 1.2 1.5
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SOT23-8
11＋
Parameter Description Value Part Number Full part number of the device UP7501M8 Function Primary function of the device Power Management IC Input Voltage Range of input voltage that the dev
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TO-220
International Rectifier
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Drain-Source Voltage VDS - 100 - V Gate-Source Voltage VGS -20 - 0 V Continuous Drain Current (TC = 25°C) ID - 9 - A Continuous Drain Current (TC = 75°C)
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SOT23-6
Silergy
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Input Voltage VIN 2.7 - 5.5 V Output Voltage VOUT - 1.2 - V Fixed Output Current IOUT - 200 300 mA Continuous Quiescent Current IQ - 30 50 μA Shut
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TO-3P
Renesas
17+
Description: The 2SK1317 is a N-channel MOSFET transistor manufactured by Renesas. It is a high-speed switching device with low on-resistance and low gate-source capacitance. Features: Low on-resist
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TO-220
International Rectifier
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Drain-Source Voltage VDS -100 - - V Gate-Source Voltage VGS -20 - 0 V Continuous Drain Current ID - - -8 A Pulse Drain Current (tp = 10 μs, IG = 2 A) ID(
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TO-220F
07+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Collector-Emitter Voltage VCEO - - 1000 V IC = 10 mA, TC = 25°C Emitter-Collector Voltage VECS - - 1000 V IC = 10 mA, TC = 25°C Base-Emitter Vol
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TO-220F
NEC
04+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Collector-Emitter Voltage VCE - - 600 V Emitter-Base Voltage VEB -6 - 6 V Collector Current IC - - 15 A Base Current IB - - 3 A Power Dissipa
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KEC
To-247
18+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Breakdown Voltage BVdss - - 1200 V Continuous Drain Current Id - 25 - A @ Tc = 25°C Pulse Drain Current Ipp - 100 - A @ Tc = 25°C, t = 10 μs, Duty C
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SOT-223
1141
Description: The ITS4140N is a P-channel enhancement-mode MOSFET. Features: - Low On-Resistance - Low Gate Threshold Voltage - Fast Switching Speed - High Input Impedance - High Avalanche Energy App
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SOT-89
14＋
Parameter Value Unit Type Zener Diode - Zener Voltage (Vz) 4.7 V Maximum Zener Current (Izmax) 5.0 mA Power Dissipation (Pz) 200 mW Operating Temperature (Tamb) -65 to +150 °C Storage
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TO-220
NEC
95+
Parameter Description Value Part Number D401A Type Diode Function General Purpose Rectifier Max Forward Current (IF) Continuous Forward Current 1A Peak Reverse Voltage (VRM) Maximum
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TO-220
International Rectifier
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Drain-Source Voltage VDS - - 100 V Gate-Source Voltage VGS -20 - 20 V Continuous Drain Current ID - 33 50 A Pulse Drain Current ID(p) - 100 - A Pow
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