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1. Utsource는 외관 검사 (외관에 심각한 손상이 없음)를 포함하여 물품을 검사하고 자격을 갖춘 정직한 공급 업체를 선택하며 98 % 자격을 보장합니다.
2. 일부 부품은 기계로 테스트됩니다.
3. Utsource 인증 부품은 60 일 이내에 무조건 반환 및 환불 할 수 있습니다.
제품서술
Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD100HHF1 Remarks RoHS : Restriction of the use of certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment
이 사이트에 사용 된 모든 제품 이름, 상표, 브랜드 및 로고는 해당 소유자의 재산입니다. 이러한 이름, 상표, 브랜드 및 로고가있는 제품의 묘사, 설명 또는 판매는 식별 목적으로 만 사용되며 권리 보유자와의 관계 또는 승인을 나타 내기위한 것이 아닙니다.
이 제품의 파라미터 및 성능 지표는 인터넷에서 가져온 것입니다. 오차가 있을 경우 제조업체의 기술 사양을 참조하십시오.！
| Parameter | RD100HHF1 | RD100HHF1-101 |
|---|---|---|
| Type | MOSFET | MOSFET |
| Package | TO-247 | TO-247 |
| VDS (Max) (V) | 100 | 100 |
| VGS (Max) (V) | ±20 | ±20 |
| ID (Continuous) (A) | 36 at 25°C, 28 at 75°C | 36 at 25°C, 28 at 75°C |
| RDS(on) (mΩ) | 4.5 at VGS = 10V | 4.5 at VGS = 10V |
| Power Dissipation (W) | 115 (at 25°C) | 115 (at 25°C) |
| Operating Temperature (°C) | -55 to 150 | -55 to 150 |
| Storage Temperature (°C) | -55 to 150 | -55 to 150 |
| Gate Charge (nC) | 105 | 105 |
| Input Capacitance (pF) | 1350 at VDS = 0V | 1350 at VDS = 0V |
| Output Capacitance (pF) | 290 at VDS = 100V | 290 at VDS = 100V |
| Reverse Transfer Capacitance (pF) | 35 at VDS = 100V | 35 at VDS = 100V |
| Total Device Dissipation (W) | 115 (at 25°C) | 115 (at 25°C) |
Mounting and Handling:
Electrical Connections:
Thermal Management:
Operation:
Storage:
Testing:
Safety:
| QUANTITY | UNIT PRICE | PLUS UNIT PRICE | TOTAL PRICE |
|---|
대체 제품
| Product Name | Description |
|---|---|
| RD100HHF2 | High-speed, high-frequency diode designed for applications requiring fast switching and low forward voltage drop. |
| RD100HHF3 | Enhanced version of the RD100HHF series with improved thermal performance and higher current ratings. |
| RD100HHF4 | Diode with optimized reverse recovery characteristics, suitable for high-frequency switching applications. |
| RD100HHF5 | High-reliability diode with robust construction for harsh environments, featuring low leakage current. |
제품 사용
The RD100HHF1 and RD100HHF1-101 are high-performance silicon carbide (SiC) MOSFETs designed for high-voltage, high-power applications. These components are often used in circuits that require efficient switching at high frequencies and voltages. Here are some common applications where these MOSFETs might be found:
Power Supplies:
Motor Drives:
Renewable Energy Systems:
Electric Vehicles (EVs):
Uninterruptible Power Supplies (UPS):
Aerospace and Military Applications:
Industrial Automation:
These SiC MOSFETs are chosen for their ability to handle high voltages (up to 1200V), high currents, and operate at high frequencies with low switching losses, making them ideal for demanding power electronics applications.
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| 국기 | 국가 | 예상 배송 시간 | 최소 초중량 비용 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 택배 | 표준 배송 | 택배 (0.5kg) | 표준 배송 (0.05kg) | ||
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RD100HHF1,RD100HHF1-101
RD100HHF1,RD100HHF1-101에는 지역적 차이 또는 인수로 인해 RD100HHF1,RD100HHF1-101의 대체 이름이있을 수있는 여러 브랜드가 있습니다. RD100HHF1,RD100HHF1-101은 (는) 다음 이름으로도 알려져 있습니다.
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