≥1:
US $41.73000
Nhấp vào đây để truy cập trang web Utsource
Xin chào! Đăng nhập hoặc Đăng ký ngay bây giờ
APP Bảng dữliệu 380K likes UtsourceDear customers, due to the implementation of the GDPR policy in Europe, UTSOURCE has also made adjustment accordingly to meet the policy requirements. Please read the new privacy policy carefully and this window will no longer pop up after you accept it.
Delivery Address
+ Thêm địa chỉ
Địa chỉ giao hàng mới
* Vui lòng điền chính xác số điện thoại di động để đảm bảo rằng bạn có thể nhận được thông tin theo dõi kịp thời.
Mã quốc giaBộ lọc kết quả tìm kiếm:
Trang chủ > linh kiện điện tử > mô-đun > IGBT
MODULE
Mitsubishi
15+
The PSS30S71F6 is a module manufactured by Mitsubishi. It is a power supply module designed for use in industrial automation systems. Features of the PSS30S71F6 include: Input voltage range of 100-
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Semikron
15+
SKKH570/16E is a module manufactured by Semikron. It is a three-phase bridge rectifier module with a voltage rating of 600V and a current rating of 570A. It has a low forward voltage drop and low powe
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
TO-3P
Description: The GT50JR22 50JR22 is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) module with a TO-3P package. It is designed for use in medium-power switching applications. Features: Low on-state v
Có hàng:10000
Tối thiểu:2
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
Module
Mitsubishi
12+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Input Voltage VIN -0.3 - 60 V Operating input voltage range Continuous Output Current IOUT - 30 - A Maximum continuous output current Peak Outp
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
IGBT
Fuji Electric
11+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions/Notes Forward Voltage Drop V_F - 1.8 - V @ IF = 75A, T_j = 25°C Reverse Recovery Time t_rr - 60 - ns @ IF = 75A, IR = 10mA, T_j = 25°C Reverse R
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Infineon Technologies AG
2016+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Blocking Voltage V_RR 700 V Repetitive Peak Reverse Voltage Continuous Current I_C 300 A RMS Value of Fundamental Frequency Total Loss P_TO
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Semikron
18+
SKIIP39ANB16V1 is a module manufactured by Semikron. It is an insulated gate bipolar transistor (IGBT) module with a voltage rating of 1600V and a current rating of 39A. It is designed for use in moto
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
IGBT
Fuji Electric
19+
Parameter Description Value Unit Part Number Component Identifier 7MBP75RA120-55 - Type Device Type IGBT Module - VCEO Collector-Emitter Voltage (Max) 1200 V VGE Gate-Emitter Voltage (Max
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Semikron
18+
Parameter Description Part Number SKKT253/16E Type Thyristor Mounting Type Through Hole Package / Case TO-220-3 Operating Temperature -40°C to +125°C Maximum Repetitive Peak Off-State
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
IGBT
Infineon Technologies AG
22+
Parameter Symbol Value Unit Conditions/Notes Rated Voltage VRRM 1200 V Maximum repetitive peak reverse voltage Rated Current ITAV 300 A RMS value of the fundamental frequency Forward Voltag
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
IGBT
IXYS
22+
Parameter Symbol Value Unit Notes Maximum Drain Voltage VDSS 800 V Maximum Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current ID 44 A TC = 25°C Pulse Drain Current IDM 176 A tp = 10
Có hàng:5000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Semikron
18+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Rated Voltage (DC) VDC - 1200 - V Rated Current (RMS) IC(rms) - 25 - A Peak Non-Repetitive Current ICM - 300 - A t = 10 μs Power Dissipation PD -
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Infineon Technologies AG
2018+
The BSM25GP120 is an IGBT module manufactured by Infineon Technologies. It is a 1200V/25A NPT IGBT module with a maximum junction temperature of 175°C. Description: The BSM25GP120 is a high performa
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Semikron
15+
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Notes Rated Voltage VDRM - 1600 - V Blocking voltage in reverse direction Rated Current ITSM - 1600 - A Non-repetitive peak on-state current On-State V
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
IGBT
Fairchild
18+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Forward Voltage VF - 2.0 - V @ IF = 15 A, Tj = 25°C Reverse Recovery Time trr - 80 - ns @ IF = 15 A, di/dt = 200 A/μs Reverse Recovery Charge Qr
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Infineon Technologies AG
21+
Description: Infineon FF450R12KE4 is a three-phase inverter module with a maximum current rating of 450A. Features: Low switching losses Low EMI High efficiency Low thermal resistance High power
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Semikron
15+
Parameter Value Unit Device Type IGBT Module Package Type 62mm x 140mm Max Collector-Emitter Voltage (Vce) 1200 V Max Collector Current (Ic) 800 A Max Gate-Emitter Voltage (Vge) ±20 V
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Semikron
2012+
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Condition Collector-Emitter Voltage Vceo - - 1200 V Collector-Base Voltage Vcbo - - 1200 V Emitter-Base Voltage Vebo - - 7 V Continuous Collector
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
Parameter Description Value Unit Supply Voltage The range of supply voltage the device can operate within 2.7 to 5.5 V Output Current Maximum output current 300 mA Operating Temperature Ran
Có hàng:5000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
TO-3P
IXYS
Description: The IXTQ82N25P is a high voltage MOSFET from IXYS Corporation. It is a three-pin, N-channel device with a maximum drain-source voltage of 250V and a maximum drain current of 82A. It is d
Có hàng:10000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
Chuyên gia ngừng sản xuất, chúng tôi có thể cung cấp một số lượng lớn linh kiện điện tử đã ngừng sản xuất và rất khó tìm kiếm, tạo điều kiện cho công ty bảo trì