≥1:
US $469.46250
Nhấp vào đây để truy cập trang web Utsource
Xin chào! Đăng nhập hoặc Đăng ký ngay bây giờ
APP Bảng dữliệu 380K likes UtsourceDear customers, due to the implementation of the GDPR policy in Europe, UTSOURCE has also made adjustment accordingly to meet the policy requirements. Please read the new privacy policy carefully and this window will no longer pop up after you accept it.
Delivery Address
+ Thêm địa chỉ
Địa chỉ giao hàng mới
* Vui lòng điền chính xác số điện thoại di động để đảm bảo rằng bạn có thể nhận được thông tin theo dõi kịp thời.
Mã quốc giaBộ lọc kết quả tìm kiếm:
Trang chủ > linh kiện điện tử > mô-đun > IGBT
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Collector-Emitter Voltage VCE - - 1200 V Maximum voltage between collector and emitter Collector Current IC - - 25 A Maximum current through the
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Semikron
21+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Supply Voltage VDD 2.7 - 5.5 V Output Current IOUT - 300 500 mA Continuous Operating Temperature TOPR -40 - 85 °C Storage Temperature TSTG -55 -
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Blocking Voltage V(BR)DSS - 1200 - V Drain-Source Breakdown Voltage Continuous Drain Current ID - - 75 A Continuous Drain Current at Tc=25°C Po
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Fuji Electric
18+
2MBI200U2A-060-50 is a 200A/600V IGBT module manufactured by Fuji Electric. It features a low saturation voltage, high speed switching, and high reliability. This module is suitable for use in motor c
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Vincotech
2019
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Supply Voltage Vcc 4.5 5.0 5.5 V Operating supply voltage Output Current Iout - 100 200 mA Maximum continuous output current Quiescent Current
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Mitsubishi
05
Parameter Description Part Number CM100TU-24F Type Thyristor Triac Mounting Type Through Hole Package / Case TO-220-3 On-State Current (IT RMS) 100A (rms) Repetitive Peak Off-State Vo
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
IGBT
Fuji Electric
19+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Rated Voltage VDS - 1200 - V Continuous Drain Current (Tc=25°C) ID - 75 - A Continuous Drain Current (Tc=100°C) ID - 50 - A Pulse Drain Current
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
TO-247
International Rectifier
Parameter Value Unit Part Number IRG4PC40W - Package TO-247 - Maximum Drain-to-Source Voltage (VDS(max)) 600 V Continuous Drain Current (ID) at 25°C 27 A Pulsed Drain Current (IDM) at 2
Có hàng:5000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Mitsubishi
14+
Parameter Description Value Part Number Component Identifier CM15MD-24H Type Device Type Relay Coil Voltage Operating Voltage for the Coil 24V DC Contact Form Configuration of Relay Conta
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Fuji Electric
23+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Blocking Voltage V_B - 600 - V Maximum repetitive peak off-state voltage On-State Voltage V_T 1.7 - 2.0 V On-state forward drop at specified curr
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
DIP25
STMicroelectronics
134
Parameter Description Value Part Number Unique identifier for the component GIPS10K60T Type Type of device IGBT Voltage Rating Maximum voltage the device can handle 600V Current Rating Ma
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
TO-247
Infineon Technologies AG
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Collector-Emitter Voltage VCEO - 600 - V Maximum voltage between collector and emitter with the base open. Collector-Base Voltage VCBO - 650 - V
Có hàng:10000
Tối thiểu:10
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Infineon Technologies AG
18+
Below is the parameter table and instructions for the FZ750R65KE3, which is a 650V IGBT module. Parameter Table Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Collector-Emitter Voltage VCEO
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
TO-264
FSC
n/a
Parameter G60N90 G60N90DG3 Type N-channel MOSFET N-channel MOSFET Voltage (Vds) 600 V 600 V Current (Ids) 90 A 90 A Power Dissipation (Ptot) - - Rds(on) - - Gate Charge (Qg) - - Pac
Có hàng:10000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Semikron
2020+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Rated Current IF - 330 - A Peak Surge Current IFSM - 800 - A Forward Voltage Drop VF 1.5 2.2 3.0 V Reverse Blocking Voltage VBR 16 - - V Junction Tempe
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
TO-220
Infineon Technologies AG
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Description Breakdown Voltage V(BR)DSS - 600 - V Drain-to-Source Breakdown Voltage Drain Current ID - 15 - A Continuous Drain Current at Tc = 25°C Puls
Có hàng:10000
Tối thiểu:10
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Infineon Technologies AG
2023+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Rated Voltage VRRM - 1200 - V Rated RMS Current IC - 300 - A Reverse Recovery Time trr - 80 - ns Forward Voltage Drop VF - 1.7 - V @ 300A Jun
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Eupec
Below is the parameter table and instructions for the BSM50GX120DN2, a high-performance IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) from Infineon Technologies. BSM50GX120DN2 Parameter Table Parameter
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
MODULE
Semikron
2012+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Collector-Emitter Voltage V CES - - 1200 V Emitter-Collector Voltage V ECS - - 1200 V Gate-Emitter Voltage V GES -30 - 30 V Continuous Coll
Có hàng:2000
Tối thiểu:1
Giao hàng tiêu chuẩn
Hoả tốc: Dự kiến đến {0}
Giao hàng tiêu chuẩn: Dự kiến đến {0}
Chuyên gia ngừng sản xuất, chúng tôi có thể cung cấp một số lượng lớn linh kiện điện tử đã ngừng sản xuất và rất khó tìm kiếm, tạo điều kiện cho công ty bảo trì