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Utsource certified used parts
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1. Utsource prüft die Waren, einschließlich der Prüfung des Aussehens (keine ernsthaften Schäden am Aussehen), wählt qualifizierte und ehrliche Lieferanten aus und stellt eine Qualifikationsrate von 98% sicher.
2. Einige Teile werden maschinell geprüft.
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G30T60 IGBT Description
This IGBT is combined by isolated gate Field Effect Transistor and Bipolar Junction Transistor in a single package. It comes in TSOP package.
G30T60 Features
● It contains following features
● It has very low collector to emitter voltage typically 1.5 volts
● It has maximum junction temperature typically 175℃
● It comes with short circuit and over voltage protection
● It has very tight parameter distribution
● It has very high switching speed
● It has low electromagnetic interface
● It has very high switching speed
● It comes with low gate charge
● It has collector emitter voltage typically 600 volts maximum
● It has DC collector current typically 60 Amperes at 25℃ and 30 Amperes at 100℃
● It has pulsed collector current typically 90 Amperes
● It has turn off safe operating area typically 90 Amperes
● It has gate emitter voltage typically 20 volts
● It has short circuit withstand time typically 5 micro seconds
● It has power dissipation typically 187 watts
● It has storage temperature typically -40 to 175℃
● It has pulsed collector current typically 90 Amperes
● It has short circuit withstand time typically 5 micro seconds
● It has collector emitter breakdown voltage typically 600 volts with collector current 0.2 Amperes
● It has gate emitter threshold voltage typically 4.1 volts
● It has zero gate voltage collector current typically 40 micro Amperes
● It has gate emitter leakage current typically 100 nano Amperes
● It has transconductance typically 16.7 Siemens
● It has input capacitance typically 1630 pico Farads with collector emitter voltage 25 volts and 1 Mega Hertz frequency
● It has output capacitance typically 108 pico Farads with collector emitter voltage 25 volts and 1 Mega Hertz frequency
● It has short circuit collector current typically 275 Amperes
● It has internal emitter inductance typically ranging from 7 to 13 nano Henry
● It has turn on delay time typically 23 nano seconds
● It has rise time typically 21 nano seconds
● It has turn off delay time typically 254 nano seconds
● It has turn on energy typically 0.69 milli Joules
● It has turn off energy typically 0.77 milli Joules
● It has total switching energy typically 1.46 milli Joules
Pin Description
G30T60 Applications
It is used in following applications
Frequency Converters
Uninterruptible Power Supply
The alternative of G30T60 is IGP30N60T
The equivalent of G30T60 is 40N60NPFD
Conclusion: It is used in switching applications as the system needs to drive heavy loads.
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275 Käuferbewertungen von Germany
Jason Potts
Length of registration:9 years
The service attitude of the merchant is very good, and any questions are answered in time. The delivery is fast, the packaging is tight, and it is as good as the introduction.
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11/08/2022
Paulo Reitz
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01/08/2020
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G30T60
G30T60 hat mehrere Marken auf der ganzen Welt, die aufgrund von regionalen Unterschieden oder Akquisitionen alternative Namen für G30T60 haben können. G30T60 kann auch unter den folgenden Namen bekannt sein:
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