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LändercodeINTERNATIONAL RECTIFIER
Ihre Such: G4PC50W, Menge der betroffenen Produkte: 18
Description: This is a N-Channel Power MOSFET Transistor with a TO-247 package. Features: Low on-resistance Low gate charge Low input capacitance Low threshold voltage High speed switching High
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Description: The G4PC50W is a N-channel enhancement mode MOSFET produced by International Rectifier. Features: Maximum Drain Source Voltage: 500V Maximum Drain Current: 50A RDS(on) max: 0.07Ω Gat
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Description: The G4PC50W is a N-channel enhancement mode power MOSFET from International Rectifier. Features: Low on-resistance Fast switching Low gate charge High current capability H
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Description: The G4PC50W is a N-channel enhancement mode power MOSFET from International Rectifier. Features: Low on-resistance Fast switching Low gate charge High current capability H
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Description: This is an insulated gate bipolar transistor (IGBT) manufactured by International Rectifier. It is a four-pin device with a TO-247 package. Features: - High speed switching - Low on-stat
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Description: This is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) manufactured by International Rectifier. It is a four-pin device with a TO-247 package. Features: High speed switching Low gate char
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