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Inicio > Componentes Electrónicos > Transistores > Transistores bipolares
Utsource
TO-220F
Fuji Electric
18+
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Notes Drain-Source Voltage VDS - 600 V Gate-Source Voltage VGS -20 20 V Continuous Drain Current ID - 20 20 A @ TC = 25°C Pulse Drain Current ID(
Depósito:2000
Mínimo:5
Entrega estándar
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TO-220
CMP
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Drain-Source Voltage VDS - 100 - V Gate-Source Voltage VGS -10 - 10 V Continuous Drain Current ID - 40 - A Power Dissipation PTOT - - 150 W Junctio
Depósito:10000
Mínimo:10
Entrega estándar
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SOT23
Texas Instruments
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Supply Voltage VCC 2.7 - 36 V Quiescent Current IQ - 550 - μA Input Bias Current IB 1 10 100 nA Input Offset Voltage VOS - 100 400 μV Common-Mode Input
Depósito:5000
Mínimo:10
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220
St/chn
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Repetitive Peak Off-State Voltage VDRM - 600 - V Tj = 25°C Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM - 600 - V Tj = 25°C On-State Current (rms) IT(RM
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-220
Airpax
Parameter Description Value Unit Part Number Unique identifier for the component 67F090 - Operating Voltage Range of voltage at which the device can operate 2.7 to 5.5 V Operating Current M
Depósito:10000
Mínimo:10
Entrega estándar
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SOP8
ESM
1514+
Package: SOP8 Description: SEM3051 is a high performance, low power consumption, low voltage, single-chip CMOS microcontroller. Features: High-performance 8-bit CPU 16K bytes of Flash memory
Depósito:10000
Mínimo:10
Entrega estándar
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TO-220F
16+
Parameter TK10A60W5 K10A60W5 Type Triac Triac Package TO-220 TO-220 Maximum RMS Voltage (Vrms) 600 V 600 V Maximum RMS Current (Irms) 10 A 10 A Peak Repetitive Off-State Voltage (Vdrm)
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
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TO-247
IXYS
Parameter Value Unit Input Voltage 100 - 240 VAC Output Voltage 12 VDC Output Current 13.3 A Efficiency Up to 88% % Power Factor 0.95 No Load Power 0.5 W Operating Temp -20 to +70
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
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Entrega estándar: Llegada estimada {0}
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
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TO-220F
Thomson
18+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Rated Voltage UR - 50 - VDC Maximum continuous operating voltage Capacitance C 12 - - μF Nominal capacitance Tolerance ΔC - - ±10 % Capacitance
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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SOT23-6
通嘉
1535+
Description：The LD5530RGL is a high-performance, low-dropout (LDO) linear regulator with a low quiescent current. It is designed to provide a regulated output voltage with a wide input voltage range.
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
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TO-220
STMicroelectronics
07+
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Condition Drain-Source Voltage VDS -55 - 55 V Continuous Gate-Source Voltage VGS -20 - 20 V Continuous Continuous Drain Current ID - 80 - A @ TC = 25°C
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
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TO-220F
NCE
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Rated Voltage VBR(DSS) - 650 - V Continuous Drain Current ID(AV) - 11.5 - A @ TC = 25°C, VGS = 10V Peak Pulse Current IDM(AV) - 46 - A @ TC = 25°C,
Depósito:10000
Mínimo:10
Entrega estándar
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TO-220
IXYS
11+
Description: IXYS IXTP56N15T is a N-channel enhancement-mode MOSFET with a TO-220 package. Features: Low on-resistance Low gate charge Low input capacitance High current capability High speed swi
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
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SOIC-8
On Semiconductor
18+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Input Voltage VIN 4.5 - 26 V Operating input voltage range Output Voltage VOUT - 3.3 - V Fixed output voltage Output Current IOUT - 1.5 - A Max
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
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SOT23
CJ
最新
2SC2712 is a NPN epitaxial planar silicon transistor manufactured by Toshiba. It is housed in a SOT23-CJ package and is designed for use in low-frequency amplifier applications. Description: The 2SC
Depósito:10000
Mínimo:17
Entrega estándar
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TO-126F
05+
Below is the parameter table and instructions for the 2SC3790E, 2SA1480E, A1480, and C3790 transistors. Note that some of these designations may overlap or refer to similar models from different manuf
Depósito:10000
Mínimo:3
Entrega estándar
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TP-3P
Sanken Electric
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Notes Collector-Emitter Voltage VCEO - - 400 V - Collector-Base Voltage VCBO - - 450 V - Emitter-Base Voltage (Reverse) VEBO - - 5 V - Collector Current
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
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TO-3P
Sanken Electric
11+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Input Voltage V_IN 4.5 - 20 V Output Voltage V_OUT 0.8 - 5.5 V Output Current I_OUT - 2.0 3.0 A Quiescent Current I_Q - 60 120 μA Efficiency η - 92 - %
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-220F
05+
Description: 2SB1018 is a PNP silicon transistor with a TO-220F package. Features: - High current gain - Low collector-emitter saturation voltage - High breakdown voltage Applications: - General pur
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
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