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Accueil > Composants Électroniques > Transistors > Transistors bipolaires
Utsource
TO-220
International Rectifier
04+/11+
Description: N-Channel Power MOSFET Package Type: TO-220 Manufacturer: IR (Infineon Technologies) Features: Low On-Resistance Low Gate Charge Fast Switching Avalanche Rated RoHS Compli
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TO-92
Fsc/on
19+
Description: The LM336Z-5.0 is a three-terminal adjustable shunt voltage regulator with a fixed output voltage of 5.0V. It is designed to provide a very precise reference voltage for use in a variety
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DIP
LD
Description: The LD7575PN is a high-performance, low-cost, low-power, single-chip pulse width modulation (PWM) controller. Features: Low-cost, low-power PWM controller High-performance PWM control
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TO-220F
Fuji Electric
15+
Parameter Symbol Value Unit Notes Drain-Source Voltage VDS 90 V Maximum Gate-Source Voltage VGS ±20 V Maximum Continuous Drain Current (TC = 25°C) ID 11 A Maximum Continuous Drain Current
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TO-252
Sanyo
09+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Collector-Emitter Voltage VCE - - 45 V Emitter-Base Voltage VEB - - 6 V (Reverse) Collector Current IC - 150 - mA Base Current IB - 15 - mA
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TO-247
Vishay Siliconix
Parameter Description Value Unit Part Number Full part number VS-60EPS08PBF - Type Device type Power Supply - Input Voltage Range Range of input voltages 100 to 240 VAC Output Voltage Nom
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TO-247
Infineon Technologies AG
17+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Drain-Source Voltage VDS - - 1100 V Maximum voltage between drain and source with the gate open Gate-Source Voltage VGS -15 - 20 V Maximum voltag
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TO-220F
Magnachip Semiconductor
12+
Parameter MDF12N50F MDF12N50FTH Type MOSFET MOSFET Package TO-220 TO-220 VDS (Max) 500V 500V VGS (Max) ±20V ±20V ID (Max) 12A 12A RDS(on) 0.8Ω @ VGS=10V 0.8Ω @ VGS=10V Power Dissipa
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TO-220F-4
KEC
18+
Parameter KIA278R15PI KIA278R15PI-U/P Type Resistor Resistor Resistance (Ω) 1500 1500 Tolerance (%) ±1 ±1 Power Rating (W) 0.25 0.25 Operating Temperature -55°C to +155°C -55°C to +155°
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T0-263
International Rectifier
Parameter Description Part Number 30ETH06STRPBF Type Schottky Rectifier Package SOT-23 Forward Voltage 0.45V (Typical @ IF = 1A, TJ = 25°C) Reverse Voltage 60V (Maximum) Forward Curre
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to-220f
KEC
16+
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Drain-Source On-State Resistance RDS(on) VGS = 10V, ID = 8A - 22 - mΩ Gate Charge Qg VGS = 10V - 4.5 - nC Input Capacitance Ciss VDS = 16V - 730
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TO-220F
Sanyo
09+
Description: The 2SB1274 is a PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor manufactured by Sanyo. Features: * High breakdown voltage * Low collector saturation voltage * High transition frequency Applica
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TO-3PL
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Supply Voltage VDD 2.7 - 5.5 V Operating Temperature TOPR -40 - 85 °C Storage Temperature TSTG -65 - 150 °C Input Voltage Range VIN 0 - VDD V Outpu
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TO-220F
UTC
11+
Parameter Description Value Unit Part Number Device Identifier UT108N03L - Type Component Type MOSFET - VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage ±20 V ID Continuous Drain C
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TO-3P
IXYS
10+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Collector-Emitter Voltage V CES - - 700 V Emitter-Collector Voltage V ECS - - 700 V Collector Current I C - - 25 A Tc = 25°C Continuous Coll
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TO-220F
08+
Parameter Description Value Part Number Component Identifier K4111 Type Component Type Diode Function Primary Function Rectification, Protection Forward Voltage (Vf) Voltage drop across d
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TO-220
WG
Parameter Symbol Value Unit Description Maximum Drain Current ID 12 A Continuous at Tc = 25°C Peak Pulse Drain Current Ipp 75 A t = 10 μs, Repetition Rate = 1/s Drain-Source Breakdown Volta
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TO-220
HY
Parameter Value Unit Package TO-220 - Maximum Drain Voltage (VDS) 60 V Continuous Drain Current (ID) 120 A Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V Gate Charge (QG) 140 nC Total Power Dissipat
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TO-220F
12+
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Collector-Emitter Voltage V(BR)CEO IC = 0.5mA 80 V Collector-Base Voltage V(BR)CBO IC = 0 90 V Emitter-Base Voltage V(BR)EBO IE = 5mA 6 V
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