RF 모듈

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DP15F1200TO101910

MODULE

19+

YUCHANGWEIYETechnology Co.,Ltd.

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BGY888

SOT115

NXP Semiconductors

15+

Ai Li Da Electronics Co.,Ltd.

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RFP1227

TO-59

22+

Yue Hong Fa Electronics Co.,Ltd.

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RA07H4047M is a power transistor manufactured by Mitsubishi. It is a NPN type transistor with a maximum collector current of 7A and a maximum collector-emitter voltage of 400V. It is used in power amp

Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA07H4047M Remarks RoHS : Restriction of the use of certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

Utsource

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