IGBT | Page 13 | Utsource

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RJP30Y2ADPP RJP30Y2A TO-220F

TO-220F

Renesas

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≥1:

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US $1.21110

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Mínimo:2

Entrega padrão Entrega expressa: Chegada estimada {0}
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CM600DU-24FA

MODULE

MIT

The CM600DU-24FA is a 600V, 24A, IGBT Module manufactured by Mitsubishi. It is designed for use in power conversion applications such as motor control, UPS, and inverters. Features: 600V, 24A IGBT

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≥1:

US $208.98000

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Mínimo:1

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TF-331-AC(P12) new

ZIP

0601

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BSM50GD120DN2E322

MODULE

Eupec

04+

Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Blocking Voltage V(BR)DSS - 1200 - V Continuous Drain Current ID - 50 - A Tc = 25°C, Pulse width ≤ 10 μs Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 4.0

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≥1:

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HAT15-05H12-NFCI

MODLE

Harvest

16+

NEW

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MCC95-08io1B

Parameter Description Part Number MCC95-08IO1B Type Relay Module Channels 8 Channels Load Voltage DC 30V / AC 250V Load Current 5A per channel Input Voltage 5V DC (TTL Level) Isolat

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Description: The FP20R06KL4 is an Eupec power module with a maximum current rating of 20A. It is designed for use in applications such as motor drives, power supplies, and uninterruptible power suppli

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US $25.64100

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CM150DY24A

MODULE

Mitsubi

00+

Parameter Description Value Part Number Component Identifier CM150DY24A Type Device Type Diode Forward Voltage (Vf) Voltage drop across the diode when conducting forward current 0.7V Reve

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FPAL20SM60

MODULE

Fairchi

00+

Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Input Voltage VIN 2.7 5.5 V Operating input voltage range Output Voltage VOUT 3.3 V Regulated output voltage Quiescent Current IQ 1.0 μA S

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BSM200GA120DN2C

MODULE

Eupec

Description: BSM200GA120DN2C is an insulated gate bipolar transistor (IGBT) module manufactured by EUPEC. Features: Maximum collector-emitter voltage of 1200V Maximum collector current of 200A Max

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SKM310B020

MODULE

00+

Parameter Description Value Part Number Full part number SKM310B020 Type Type of component MOSFET Polarity Polarity type N-Channel VDS (Max Voltage) Drain to Source Voltage 650 V RDS(on

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US $82.20000

US $77.26800

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US $82.20000

US $77.26800

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GT30J122 30J122 IGBT TO-247

TO-247

Parameter Symbol Test Conditions Min Typical Max Unit Collector-Emitter Voltage V CES I C = 0, T J = 25°C - - 1200 V Gate-Emitter Voltage V GE I G = 1 mA, T J = 25°C -20 - 20 V Continuous C

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US $1.36524

US $1.28333

≥50:

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SK25GH063

MODULE

Semikro

15+

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US $51.38000

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Mínimo:1

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MCC95-14io1B

Parameter Description Value/Range Part Number Full part identification MCC95-14IO1B Type Device type Solid State Relay Input Voltage Range Voltage range for input control 3 to 32 VDC Outp

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US $11.09000

US $10.42460

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IXTQ82N25P IXYS MOS 82A 250V

TO-3P

IXYS

Description: The IXTQ82N25P is a high voltage MOSFET from IXYS Corporation. It is a three-pin, N-channel device with a maximum drain-source voltage of 250V and a maximum drain current of 82A. It is d

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US $3.88800

US $3.65472

≥10:

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CM150DXD-24A

MODULE

Mitsubi

Parameter Description Value Part Number Full part identifier CM150DXD-24A Type Device type Capacitor Voltage Rating (V) Maximum voltage the capacitor can withstand 24V Capacitance Amount

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US $102.75000

US $96.58500

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US $96.58500

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FP50R12KT4-B11

MODULE

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US $112.50000

US $105.75000

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MCC95-12io8B

MODULE

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US $22.53900

US $21.18666

≥2:

US $22.53900

US $21.18666

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US $21.03640

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GT50JR22 50JR22 IGBT

TO-3P

Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Collector-Emitter Voltage VCE(off) - 1200 - V IC = 0, Tj = 25°C Gate-Emitter Voltage VGE(off) - ±20 - V IC = 0, Tj = 25°C Continuous Collector C

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US $2.59200

US $2.43648

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Estoque:10000

Mínimo:2

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MCD501-16io2

MODULE

The MCD501-16io2 is a digital input/output module manufactured by the company MCD Automation. It is designed to provide 16 digital inputs and two digital outputs for use in industrial automation syste

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US $147.00000

US $138.18000

From: US $147.00000

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Mínimo:1

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