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MG360V1US41 VRRM = 1700 <br/><br/> Io (amps) = 0.5 <br/><br/> Vces (volts) = 1700 <br/><br/> Ic (amps) = 360 <br/><br/> Vce (sat) Max = 4.5 <br/><br/> Additional Information =

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MG360V1US41

USED

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Description du produit

VRRM = 1700

Io (amps) = 0.5

Vces (volts) = 1700

Ic (amps) = 360

Vce (sat) Max = 4.5

Additional Information =

Titre

1700V IGBT Modules

ECAD Module
Manufacturer Part Number: MG360V1US41
Marque: Toshiba
Paquet / Cas: MODULE
Catégorie: Discrete Semiconductor
Warranty: 100% Perfect Functions

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ECAD Module

Attributs du produit

Description: The MG360V1US41 is a Toshiba IGBT module designed for use in motor control applications. It features a 600V IGBT with a maximum collector current of 360A. Features: - 600V IGBT - Maximum collector current of 360A - Low switching loss - High speed switching - Low noise - High reliability Applications: The MG360V1US41 is designed for use in motor control applications such as AC servo motors, AC induction motors, and brushless DC motors. It is also suitable for use in power supplies, UPS systems, and other power conversion applications. (For reference only)

Certains numéros de pièce de la même fabrication

Some Part number from the same manufacture Toshiba America Electronic Components, Inc.

MG400J1US51 Vces (volts) = 600 ;; Ic (amps) = 400 ;; Vce (sat) Max = 2.7 ;; Ton (usec) = 0.8 ;; Toff (usec) = 1 ;; Additional Information = More Info

MG400J2YS50

MG400Q1US41 Vces (volts) = 1200 ;; Ic (amps) = 400 ;; Vce (sat) Max = 4 ;; Ton (usec) = 0.8 ;; Toff (usec) = 1.5 ;; Additional Information = More Info

MG400Q1US51 Vces (volts) = 1200 ;; Ic (amps) = 400 ;; Vce (sat) Max = 3.6 ;; Ton (usec) = 0.2 ;; Toff (usec) = 0.6

MG400V2YS60A

MG500Q1US1 Silicon N-channel Igbt GTR Module For High Power Switching, Motor Control Applications

MG500Q1US41 Vces (volts) = 1200 ;; Ic (amps) = 500 ;; Vce (sat) Max = 4 ;; Ton (usec) = 0.8 ;; Toff (usec) = 1.5 ;; Additional Information = More Info

MG50J1BS11 Vces (volts) = 600 ;; Ic (amps) = 50 ;; Vce (sat) Max = 2.7 ;; Ton (usec) = 0.8 ;; Toff (usec) = 1.6

MG50J1ZS40 Vces (volts) = 600 ;; Ic (amps) = 50 ;; Vce (sat) Max = 3.5 ;; Ton (usec) = 0.6 ;; Toff (usec) = 1

MG50J1ZS50 Vces (volts) = 600 ;; Ic (amps) = 50 ;; Vce (sat) Max = 2.7 ;; Ton (usec) = .80 ;; Toff (usec) = 1.0

MG50J2YS50 Vces (volts) = 600 ;; Ic (amps) = 50 ;; Vce (sat) Max = 2.7 ;; Ton (usec) = 0.8 ;; Toff (usec) = 1 ;; Additional Information = More Info

MG50J6ES50

MG50JES50 GTR Module Silicon N Channel Igbt

MG50Q1BS11 Vces (volts) = 1200 ;; Ic (amps) = 50 ;; Vce (sat) Max = 2.7 ;; Ton (usec) = 0.8 ;; Toff (usec) = 1.8

MG50Q1ZS50

MG50Q2YS40 Vces (volts) = 1200 ;; Ic (amps) = 50 ;; Vce (sat) Max = 4 ;; Ton (usec) = 0.8 ;; Toff (usec) = 1.5 ;; Additional Information = More Info

MG50Q2YS50 Vces (volts) = 1200 ;; Ic (amps) = 50 ;; Vce (sat) Max = 3.6 ;; Ton (usec) = 0.2 ;; Toff (usec) = 0.6

MG50Q2YS50A

MG50Q6ES40 Vces (volts) = 1200 ;; Ic (amps) = 50 ;; Vce (sat) Max = 4 ;; Ton (usec) = 0.8 ;; Toff (usec) = 1.5 ;; Additional Information = More Info

MG50Q6ES51 Vces (volts) = 1200 ;; Ic (amps) = 50 ;; Vce (sat) Max = 3.6 ;; Ton (usec) = 0.2 ;; Toff (usec) = 0.6

MG50Q6ES51A

015A3.6 : Diode Silicon Epitaxial Planar Type

2SC3421 : NPN Epitaxial Type ( Audio Frequency Power Amplifier Applications )

SD-M6403BX : SD Card Capacity = 64MB ;; Package Size (LxWxH) = 32mm X 24mm X 2.1mm

TC35273 : MPEG-4 CODEC MPEG-4 Audiovisual Lsi

TC74LCX163245FT : 16-bit Dual Supply Boltage Interface Bus Transceiver

TC74VHC02F : CMOS/BiCMOS->VHC/VHCT/74V1 Family->Low Voltage Quad 2-input NOR GATE

TC75W51FK : Dual Operational Amplifier

TC7MAR2245FK : VCX Equivalent Function = Low-voltage Octal Bus Transceiver With 3.6 V Tolerant Inputs And Outputs ;; Features = 26 Ohm Series Resistors on Outputs. VCC = 1.8~3.6 : TPD = 4.4 NS (max)

TPD1030F : Function = Protect-mos ;; Main Characteristics = 40V, 0.6 Ohm ;; Package = SOP-8 ;; Main Application = Motor, Solenoid, Lamp Driver ;; Feature = Protection

U30GWJ2C48C : Schottky Barrier Diodes (SBDs) VRRM (V) = 40 ;; Vfm(max) (V) = 0.55 ;; If(av) (Amps) = 30 ;; Package = TO-220FL ;; Feature =

TD62083 : 8ch Darlington Sink Driver

Même catégorie

Same catergory

2SC3872 : NPN. Silicon NPN Triple Diffusion Planar Type ( For High Breakdown Voltage High-speed Switching ).

BUL63A : Screening Options Available = ;; Polarity = NPN ;; Package = TO251 ;; Vceo = 300V ;; IC(cont) = 10A ;; HFE(min) = 25 ;; HFE(max) = - ;; @ Vce/ic = 5V / 1A ;; FT = 20MHz ;; PD = 25W.

CM400HA-12H : 400 Amp Igbt Module For High Power Switching Use Insulated Type. : Mitsubishi IGBT Modules are designed for use in switching applications. Each module consists of one IGBT in a single configuration with a reverse-connected super-fast recovery free-wheel diode. All components and interconnects are isolated from the heat sinking baseplate, offering simplified system assembly and thermal management. : Low Drive Power.

IRFE9110 : -100V Single P-channel Hi-rel MOSFET in a 18-pin LCC Package. The leadless chip carrier (LCC) package represents the logical next step in the continual evolution of surface mount technology. Desinged be a close replacement for the TO-39 package, the LCC will give designers the extra flexibility they need to increase circuit board density. International Rectifier has engineered the LCC package to meet the specific.

MMBTA42 : NPN High Voltage Amplifier. This device is designed for application as a video output to drive color CRT and other high voltage applications. Sourced from Process 48. VCES VCBO VEBO IC TJ, Tstg Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current - Continuous Collector-Emitter Voltage *These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor.

NTE6084 : Silicon Rectifier Schottky Barrier. Peak Repetitive Reverse Voltage 45V. Average Rectified Forward Current 30A..

SD10100YT : Schottky Barrier Rectifier ( Voltage - 20 to 100 Volts Current - 10.0 Amperes ).

IRFHS9351TRPBF : -30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET In A PQFN 2mm X 2mm Package -30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 2mm x 2mm package.

APTC90SKM60CT1G : 59 A, 900 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET. s: Polarity: N-Channel ; MOSFET Operating Mode: Enhancement ; V(BR)DSS: 900 volts ; rDS(on): 0.0600 ohms ; Package Type: ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN ; Number of units in IC: 1.

BT234X-600D : 600 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB. s: Thyristor Type: Triac, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC ; Package Type: TO-220, PLASTIC, TO-220F, FULLPACK-3 ; Pin Count: 3 ; VDRM: 600 volts ; IT(RMS): 4 amps.

JANHC1N6391 : 25 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE. s: Rectifier Configuration / Technology: Schottky ; Package: DIE-2 ; Number of Diodes: 1 ; VRRM: 45 volts ; IF: 25000 mA.

MC2D118K050S : CAPACITOR, TANTALUM, NON SOLID, POLARIZED, 50 V, 1100 uF, CHASSIS MOUNT. s: General : Polarized ; Capacitance Range: 1100 microF ; Capacitance Tolerance: 10 (+/- %) ; WVDC: 50 volts ; Leakage Current: 15 microamps ; Mounting Style: CHASSIS MOUNT ; Operating Temperature: -55 to 85 C (-67 to 185 F).

NTCDP40203LG202HC : RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 20000 ohm, THROUGH HOLE MOUNT. s: Category / Application: General Use ; Mounting / Packaging: ThroughHole ; Resistance Range: 20000 ohms ; Operating Temperature: -40 to 165 C (-40 to 329 F).

WBCR : RESISTOR, THIN FILM, 0.25 W, 0.1 - 10 %, 25; 50; 100; 250 ppm, 10 ohm - 1000000 ohm, SURFACE MOUNT. s: Category / Application: General Use ; Technology / Construction: Thin Film (Chip) ; Mounting / Packaging: Surface Mount Technology (SMT / SMD), CHIP ; Operating DC Voltage: 75 volts ; Operating Temperature: -55 to 175 C (-67 to 347 F).

1330LEMAA05MAN0110 : CAP,AL2O3,33UF,35VDC,20% -TOL,20% +TOL.

22DGQ045D : 26 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE. s: Diode Type: General Purpose, RECTIFIER DIODE ; Diode Applications: Rectifier ; IF: 26000 mA ; Package: HERMETIC SEALED PACKAGE-3 ; Pin Count: 3 ; Number of Diodes: 2.

2SK3480-S-AZ : 50 A, 100 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA. s: Polarity: N-Channel ; MOSFET Operating Mode: Enhancement ; V(BR)DSS: 100 volts ; rDS(on): 0.0360 ohms ; PD: 1500 milliwatts ; Package Type: FIN CUT, MP-25, 3 PIN ; Number of units in IC: 1.

933641020127 : 9 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC. s: Package: PLASTIC PACKAGE-2 ; Number of Diodes: 1 ; VRRM: 400 volts ; IF: 9000 mA ; trr: 0.0600 ns ; RoHS Compliant: RoHS.

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433 avis d'acheteurs de France

Karen Scott

MG360V1US41

United States

Length of registration:7 years

This integrated circuit is great! It is very easy to install and it works perfectly. I have had no issues with it and it has been reliable and consistent. Highly recommend this product!

Réponse0

03/17/2023

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MG360V1US41 equivalent
MG360V1US41 Composant élèctronique
MG360V1US41 VRRM = 1700

Io (amps) = 0.5

Vces (volts) = 1700

Ic (amps) = 360

Vce (sat) Max = 4.5

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Modèle Nom du vendeur En stock Marque Encapsulation Numéro de lot Description du produit prix

Autres noms

MG360V1US41

MG360V1US41 possède plusieurs marques dans le monde entier qui peuvent avoir des noms alternatifs pour MG360V1US41 en raison de différences régionales ou d'acquisitions. MG360V1US41 peut également être connu sous les noms suivants