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1. Utsource ispezionerà le merci, compresa l'ispezione dell'aspetto (nessun danno grave all'aspetto), selezionerà fornitori qualificati e onesti e garantirà un tasso di qualificazione del 98%.
2. Alcune parti sono testate dalla macchina.
3. Le parti certificate Utsource possono essere restituite e rimborsate incondizionatamente entro 60 giorni.
La descrizione del prodotto
IGBT Modules up to 1200V SixPACK
Tutti i nomi di prodotti, marchi, marchi e loghi utilizzati in questo sito sono di proprietà dei rispettivi proprietari. La rappresentazione, la descrizione o la vendita di prodotti con questi nomi, marchi, marchi e loghi è solo a scopo identificativo e non intende indicare alcuna affiliazione o autorizzazione da parte di alcun titolare dei diritti.
Introduce this module:
The BSM25GD120DN2E3224 is power module IGBT that can easily be used in the applications which needs the requirements of power electronics. With free wheel diode structure you do not have to worry about the over voltage or short circuit problems. Thanks to free-wheel diode structure this module will give you protection from these types of problems
Some Core parameters of the module.
● Collector-emitter voltage : VCE 1200V
● Collector-gate voltage: (RGE = 20kΩ): 1200
● Gate-emitter voltage VGE : ± 20V
● DC collector current (Ic) TC = 25℃ : 35A
● DC collector current (Ic) TC = 80℃ : 25A
● Pulsed collector current, (tp = 1ms TC = 25℃) : 70A
● Pulsed collector current, (tp = 1ms TC = 80℃) : 50A
● Power dissipation per IGBT (TC = 25℃) = 200Watt
● Thermal resistance, chip case : ≤ 0.6KW
● Diode thermal resistance, chip case : RthJCD ≤ 1kW
● Gate Threshold Voltage (VGE = VCE, IC = 1mA) : 4.5V to 6.5V
● Collector-emitter saturation voltage
○ VGE = 15 V, IC = 25A, Tj = 25℃ : 2.5V to 3V
○ VGE = 15 V, IC = 25A, Tj = 125℃ : 3.1 to 3.7V
● Zero gate voltage collector current
○ VCE = 1200 V, VGE = 0V, Tj = 25℃ : 0.5mA to 0.8mA
○ VCE = 1200 V, VGE = 0V, Tj = 125℃ : 2.0mA
● Gate-emitter leakage current (VGE = 20V, VCE = 0V) : 180nA
● Transconductance (VCE = 20V, IC = 25A) : 10S
● Input capacitance (VCE = 25V, VGE = 0V, f = 1 MHz) : 1650pF
● Output capacitance (VCE = 25V, VGE = 0V, f = 1 MHz) : 250pF
● Reverse Transfer capacitance (VCE = 25V, VGE = 0V, f = 1MHz) : 110pF
● Turn ON delay time (VCC = 600V, VGE = 15V, IC = 25A RGon = 47Ω) : 75nS to 150nS
● Rise time (VCC = 600 V, VGE = 15V, IC = 25A RGon = 47Ω) : 65nS to 130nS
● Turn-off delay time (VCC = 600V, VGE = -15V, IC = 25A RGon = 47Ω) : 400nS to 600nS
● Fall time (VCC = 600V, VGE = -15V, IC = 25A RGon = 47Ω) : 50nS to 100nS
How it use:
Three phase motor controller using IGBT
DC Motor driver using Chopper Circuit using IGBT
Anteprima delle prime 3 pagine della scheda tecnica
Alcuni numeri di parte della stessa produzione
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513 recensioni di acquirenti da Italy
Nicole Nelson
Length of registration:7 years
This integrated circuit is great! It has a high power rating and is very reliable. It is also easy to install and use. The customer service is also excellent. Highly recommend this product!
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03/17/2023
Henry F. Webb
Length of registration:1 years
Excellent seller. This component arrives in time and well protected. I recommend this business for future purchases
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08/20/2016
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BSM25GD120DN2
BSM25GD120DN2 ha diversi marchi in tutto il mondo che possono avere nomi alternativi per BSM25GD120DN2 a causa di differenze regionali o acquisizioni. BSM25GD120DN2 può anche essere noto come i seguenti nomi:
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