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MG25Q6ES42 GTR Module Silicon N Channel IGBT

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MG25Q6ES42

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2. Alcune parti sono testate dalla macchina.

3. Le parti certificate Utsource possono essere restituite e rimborsate incondizionatamente entro 60 giorni.

La descrizione del prodotto

GTR Module Silicon N Channel IGBT

ECAD Module
Manufacturer Part Number: MG25Q6ES42
Marca: Toshiba
Data codice: N/A
Pacchetto / caso: MODULE
Categoria: Discrete Semiconductor
Warranty: 100% Perfect Functions

Tutti i nomi di prodotti, marchi, marchi e loghi utilizzati in questo sito sono di proprietà dei rispettivi proprietari. La rappresentazione, la descrizione o la vendita di prodotti con questi nomi, marchi, marchi e loghi è solo a scopo identificativo e non intende indicare alcuna affiliazione o autorizzazione da parte di alcun titolare dei diritti.

ECAD Module

Caratteristiche del prodotto

Description: Toshiba MG25Q6ES42 is a 25A, 600V, N-channel IGBT module. Feature: Low on-state voltage drop High speed switching Low gate charge Low power loss High surge current capability High reliability Low noise High temperature operation Application: Motor control Uninterruptible power supply Inverters Welding machines Switching power supplies Solar inverters (For reference only)
The MG25Q6ES42 is a 25A, 600V, three-phase bridge rectifier module from Toshiba. Features: \r\n Low forward voltage drop \r\n High surge current capability \r\n High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s at terminals \r\n Low reverse leakage current \r\n High reliability \r\n High surge capability \r\n Low power loss, high efficiency \r\n High current capability \r\n Low thermal resistance \r\n High temperature operation Application: The MG25Q6ES42 is suitable for use in AC/DC converters, DC/DC converters, DC/AC inverters, motor drives, and other power supply applications. (For reference only)

Introduction:

These devices are widely used as switches, for example frequency converter and cutting applications, diode switches are very important, because when the IGBT switch is NOT present, the load cut-off is present, which makes sense in most cases. When the transistor is turned on again, the current flowing in the material is initially acting as a short circuit. The voltage can be turned off by removing the stored voltage. This looks like a new addition to the current load called the diode current return 'Irr'.

Core Parameters:

● Six IGBT in one module

● Low Saturation voltage

● Enhancement mode

● High switching speed

Circuit Diagram:

SupplierFile/202007/08/f_d409a3f74557495bbba7e1b39d0ea132.png

Working:

In the IGBT (insulated gate bipolar transistor), there is no /p current as the gate terminal is separated from the main current carrier. Thus, the gain of the transistor field acting in parallel with the gain of FET is equal to the rate of current change of o/p in the i/pv transition, after which IGBT can be treated as a viable BJT and the current basis of this transistor is provided by IGBT. The IGBT is mainly used in small amplifier circuits such as BJT or MOSFET When the transistor combines low layer loss of BJT and MOSFET, then there is a strong state-of-the-art circuit switching for various electronic circuits. "OFF" by activating and disabling its Gateway device. The standard Ve voltage i/p signal across 'G' and E.

SupplierFile/202007/08/f_932bb2f5773d44d2bffca4c25f8cba7a.png

Applications:

● High power switching modules

● Motor application

● AC & DC motor controls

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Recensioni del prodotto

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513 recensioni di acquirenti da Italy

Kimberly Wood

MG25Q6ES42

United States

Length of registration:7 years

I recently tested the MG25Q6ES42 integrated circuit from Utsource and was very pleased with the performance. The circuit was easy to install and worked perfectly. It was also very reliable and had no issues during testing. I would definitely recommend this product to anyone looking for a reliable integrated circuit.

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03/17/2023

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MG25Q6ES42 ha diversi marchi in tutto il mondo che possono avere nomi alternativi per MG25Q6ES42 a causa di differenze regionali o acquisizioni. MG25Q6ES42 può anche essere noto come i seguenti nomi:

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