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Inicio > Componentes Electrónicos > Transistores > Transistores bipolares
Utsource
TO-3P
Renesas
18+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Drain-Source Voltage V(DS) - - 150 V Gate-Source Voltage V(GS) -10 - 10 V Drain Current I(D) - 4 8 A Gate Threshold Voltage V(GSth) 1.5 2.5 3.5 V Trans
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-220
International Rectifier
18+
Description: N-Channel Power MOSFET Features: Low On-Resistance Fast Switching Low Gate Charge Low Input Capacitance 100% Avalanche Tested RoHS Compliant Applications: DC-DC Conve
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
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TO-220
International Rectifier
Description: This is a N-Channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier. It is a TO-220 package with an insulated tab. Features: Low on-resistance Low gate charge Low input cap
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
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TO-220F
MIT
05+
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Notes Input Voltage VIN 4.5 - 36 V Output Voltage VOUT - 5 - V Fixed Output Current IOUT - 800 - mA Continuous Quiescent Current IQ - 2.5 - mA Shutd
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-252
STMicroelectronics
12+15+
Parameter Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCEO 650 V Collector-Base Voltage VCBO 700 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Continuous Collector Current IC 11 A Continuous Collecto
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
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TO-220
Vishay Siliconix
18+19+
Description: The IRF520PBF is a single N-channel enhancement mode power MOSFET. It is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. Features: Low On-Resistance Fast
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
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TO-220F
TSC
14+
Parameter Value Unit Device Type Schottky Rectifier Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) 200 V Maximum Average Forward Rectified Current (IF(AV)) 20 A Peak Forward Surge Curren
Depósito:10000
Mínimo:3
Entrega estándar
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TO220F
09+
Description: 2SD2241 is a NPN silicon power transistor with a maximum collector current of 5A and a maximum collector-emitter voltage of 80V. Features: High current gain Low collector-emitter
Depósito:10000
Mínimo:3
Entrega estándar
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TO-220F
Infineon Technologies AG
10+
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Conditions On-State Resistance RDS(on) - 7.0 - mΩ VGS = 10V, ID = 2.5A Continuous Drain Current ID - - 5.7 A TC = 25°C Pulse Drain Current ID(p) - - 14
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
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TO-220F
Alpha & Omega Semiconductor
18+
Parameter Description Value Unit Part Number Full part number TF29S50 - Type Device type MOSFET - Configuration Channel configuration N-Channel - VDS (Max) Drain-source voltage 50 V RDS
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-247
International Rectifier
18+
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Drain-Source Voltage VDS - 500 - V Gate-Source Voltage VGS -15 - 15 V Continuous Drain Current ID - 26.3 - A (TC=25°C) Power Dissipation PTOT - - 190
Depósito:2000
Mínimo:1
Entrega estándar
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TO126F
12+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Collector-Emitter Voltage VCEO - - 80 V Maximum voltage between collector and emitter with base open. Base-Emitter Voltage VBE - - 6.5 V Maximum
Depósito:10000
Mínimo:10
Entrega estándar
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On Semiconductor
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Condition Average Rectified Output Current (Non-Repetitive) IF(AV) - 2.0 - A TA = 25°C, f = 50/60 Hz, CL = 10 μF Peak Repetitive Reverse Voltage VRSM - - 100
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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TO-3P
Fairchild
Parameter Symbol Min Typical Max Unit Collector-Emitter Voltage VCEO - 250 - V Collector-Base Voltage VCBO - 250 - V Emitter-Base Voltage VEBO - 7 - V Continuous Collector Current IC - 10
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
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TO-220F
Alpha&omega
13+
Parameter Value Description Part Number AOTF10N90 - Type N-Channel MOSFET - VDS (Max) 100V Maximum Drain-to-Source Voltage VGS (Max) ±20V Maximum Gate-to-Source Voltage RDS(on) (Typical
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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SOT-23
16＋
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Input Voltage VIN Continuous operation 2.7 - 5.5 V Output Voltage VOUT Fixed output voltage - 5.0 - V Output Current IOUT Continuous operation -
Depósito:10000
Mínimo:8
Entrega estándar
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TO-247
Shindengen
06+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Drain-Source Voltage VDS -500 - -1000 V Gate-Source Voltage VGS -20 - +20 V Continuous Drain Current ID - 8 15 A Pulse Drain Current IDP - 30 - A Power
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
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TO-220F
Parameter Value Unit Type N-Channel MOSFET - Part Number 2SK2700 - Drain Source Voltage (Vds) 500 V Gate Source Voltage (Vgs) ±20 V Continuous Drain Current (Id) 14 A Pulse Drain Curr
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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SOP8
16＋
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Description Input Voltage VIN 4.5 - 5.5 V Operating input voltage range Output Voltage VOUT 3.3 - 5.0 V Adjustable output voltage Output Current IOUT - 500
Depósito:10000
Mínimo:11
Entrega estándar
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TO-220
International Rectifier
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Drain-Source On-Resistance RDS(on) - 0.017 - Ω VGS = 10V, ID = 47A Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 1.0 - 2.0 V ID = 250μA Continuous Drain
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
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