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Inicio > Componentes Electrónicos > Transistores > Transistores bipolares
Utsource
to-220
HY
19+
Description: HY3306P is a high-performance, low-cost, high-current, low-voltage, three-terminal, N-channel MOSFET. It is designed for use in power switching applications such as DC-DC converters, moto
domestic
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220
HY
19+
Description: The HY1607P is a TO-220 encapsulated power transistor designed for high voltage and high power applications. It is capable of withstanding up to 70V and can handle up to 80A of current.
domestic
Depósito:10000
Mínimo:8
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220
STMicroelectronics
14+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Drain-Source Voltage VDS - - 60 V - Gate-Source Voltage VGS -10 - 20 V - Continuous Drain Current ID - 16 - A TC = 25°C Pulse Drain Current ID
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220
STMicroelectronics
10+
Parameter BTA20-600CWRG BTA20-600CW Type Triac Triac Rated RMS Voltage (Vrms) 600 V 600 V Rated RMS Current (Irms) at 25°C 20 A 20 A Maximum Non-Repetitive Peak Off-State Voltage (Vdrm) 8
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220
HY
19+
Description: The HY3003P is a three-terminal adjustable linear regulator with a maximum output current of 100A. It is designed to provide a constant output voltage of 30V and is suitable for a wide r
domestic
Depósito:10000
Mínimo:10
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-263
HY
19+
Description: The HY3210B is a 100V120A TO-263 replaceable SUM110N10-09 IRFS4310Z (TO-263，HY) MOSFET. It is designed for use in high-power switching applications such as motor control, DC-DC converter
domestic
Depósito:10000
Mínimo:6
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220
HY
19+
Parameter Value Part Number HY3906P Package Type TO-220 Voltage Rating (Vds) 60V Current Rating (Id) 190A Replacement For FDP038AN06AO Max Power Dissipation (Ptot) 350W Max Junction
domestic
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-263
HY
19+
Description: The HY3704B is a TO-263 package, 40V176A replaceable, IRL1004S, IRF4104S, and IRF140 power MOSFET. It is designed for use in high-power switching applications such as DC-DC converters, m
domestic
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220
HY
19+
Parameter Value Component HY3215P Encapsulation TO-220 Voltage Rating (Vds) 150V Current Rating (Id) 120A Replaces FDP075N15A Package Type Through-Hole Operating Temperature -55°C t
domestic
Depósito:10000
Mínimo:1
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO126
NEC
13+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Collector-Emitter Voltage VCEO - - 600 V IC = 0.1 mA, IB = 0 Emitter-Collector Voltage VECS - - 600 V IC = 0.1 mA, IB = 0 Base-Emitter Voltage (
Depósito:10000
Mínimo:10
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-263
HY
19+
domestic
Depósito:10000
Mínimo:3
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220
HY
19+
Parameter Value Part Number HY3410P Package Type TO-220 Voltage Rating (Vds) 100V Current Rating (Id) 140A Power Dissipation 150W Rds(on) @ Vgs=10V 2.5mΩ Gate Charge (Qg) 110nC Th
domestic
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
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TO-220
HY
19+
Parameter Value Unit Encapsulation TO-220 - Voltage Rating (Vds) 80 V Current Rating (Id) 100 A Power Dissipation (Pd) 150 W Rds(on) 4.5 mΩ Gate Charge (Qg) 110 nC Junction Temperat
domestic
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
to-263
HY
19+
Description: HY4306B is a high-performance N-channel MOSFET with a low on-resistance of 230A and a maximum drain-source voltage of 60V. It is designed for use in high-efficiency power management appli
domestic
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220
HY
19+
Description: The HY3210P 100V120A is a high-performance, high-efficiency, and low-cost power MOSFET. It is designed for use in a wide range of applications, including power supplies, motor control, a
domestic
Depósito:10000
Mínimo:5
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
to-263
HY
19+
Description: The HY3906B is a 60V190A replaceable IRFS3306 TO-263 package MOSFET from Infineon Technologies. It is a N-channel MOSFET with an RDS(on) of 0.0045 Ohm and a gate charge of 5.8nC. It is de
domestic
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-263
HY
19+
Parameter Value Part Number HY1908B Package Type TO-263 (D2PAK) Maximum Drain Voltage 80V Continuous Drain Current 90A (at Tc = 25°C) Pulse Drain Current 180A (t = 10ms, Tc = 25°C) Ga
domestic
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220
On Semiconductor
13+
Parameter Symbol Min Typ Max Unit Input Voltage VIN 8 - 30 V Output Voltage VOUT 12 12 12 V Output Current IOUT - 1 1.5 A Quiescent Current IQ - 5 10 mA Dropout Voltage VDROP - 1.3 1.7
Depósito:10000
Mínimo:11
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-220
Ruichips
19+
RU75N08R is a N-channel enhancement mode power MOSFET produced by RUICHIPS. Features: - Low on-resistance - High speed switching - Low gate charge - High current capability - Low threshold voltage A
Depósito:10000
Mínimo:2
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
TO-263
HY
19+
Description: The HY3210B is a 100V120A TO-263 replaceable SUM90N10-8M2P IRF3610S MOSFET. It is designed to provide high performance and low on-state resistance for power switching applications. It ha
domestic
Depósito:10000
Mínimo:6
Entrega estándar
Expreso: Llegada estimada {0}
Entrega estándar: Llegada estimada {0}
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