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QM20DX-H Transistor Module Medium Power Switching Use Insulated Type

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QM20DX-H

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Descripción de producto

Transistor Module Medium Power Switching Use Insulated Type

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Título

Modules

ECAD Module
Manufacturer Part Number: QM20DX-H
Marca: Mitsubishi
Paquete / caja: MODULE
Categoría: Discrete Semiconductor
Warranty: 100% Perfect Functions

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ECAD Module

Atributos del producto

The Mitsubishi QM20DX-H is a high-performance, low-power, digital input module. It is designed for use in industrial automation applications. The module features 16 digital inputs, each with a maximum input voltage of 24V DC. It also has a built-in LED indicator for each input, which allows for easy monitoring of the input status. The module is capable of detecting both high and low levels, as well as pulse widths. It is also equipped with a built-in surge protection circuit, which helps protect the module from voltage spikes. The module is compatible with Mitsubishi PLCs and can be used in a variety of automation applications, such as process control, machine control, and data acquisition. (For reference only)

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2SC3678 : Amplifier. Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor. Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage Switching Transistor) sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C) Symbol VCBO VCEO VEBO PC Tj Tstg to +150 Unit °C Symbol ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) VBE(sat) fT COB Conditions 6typ 50typ B =5) Collector-Emitter Saturation Voltage C E (sa (V ) Base-Emitter Saturation Voltage E (s at) (V) 1 Without.

2SD1236 : . Applications Large current switching of relay drivers, high-speed inverters, converters. Low collector-to-emitter saturation voltage : VCE(sat)=-0.5V (PNP), 0.4V (NPN) max. Large current capacity. s Parameter Collector-to-Base Voltage Collector-to-Emitter Voltage Emitter-to-Base Voltage Collector Current Collector Current (Pulse) Collector Dissipation.

2SK3305-ZJ : Switching N-channel Power MOSFET Industrial Use. The 2SK3305 is N-Channel DMOS FET device that a low gate charge and excellent switching characteristics, and designed for high voltage applications such as switching power supply, AC adapter. Low gate charge: 13 nC TYP. (VDD 400 V, VGS = 5.0 A) Gate voltage rating: ±30 V Low on-state resistance RDS(on) = 1.5 MAX. (VGS = 2.5 A) Avalanche capability ratings.

BC856BWT1 : General Purpose Transistors , Package: SC-70 (SOT-323), Pins=3. These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT323/SC70 which is designed for low power surface mount applications. Device Marking: = 3K Rating CollectorEmitter Voltage CollectorBase Voltage EmitterBase Voltage Collector Current Continuous Symbol VCEO VCBO VEBO BC857 BC858 Unit V mAdc See Device.

C10T03QL-11A : Device = SBD ;; Ripetitive Peak Reverse Voltage(V) = 30 ;; Average Rectified Current(A) = 10 ;; Condition(cace or Ambient Temperature) = Tc=116 ;; Surge Forward Current(A) = 120 ;; Maximam Operating Junction Temperature( C ) = 150 ;; Storage Temperature( C ) = -40 to 150 ;; Peak Forward Voltage(V) = 0.47 ;; Peak Forward Current(A) = 5 ;; Peak Reverse.

FE6A : Glass Passivated. Glass Passivated Fast Efficient Rectifier Reverse Voltage - 50 to 200volts Forward Current - 6.0 Amperes.

HER306 : High efficiency rectifier diodes. High Efficiency Rectifier Diodes.

KN2907 : = General Purpose Transistor ;; Package = TO-92.

OM400L60CMC : 600V 400A Chopper Hi-rel Cermod Igbt Power Module. OM400L60CMC (Tc= 25° C unless otherwise specified) Symbol Min. Typ. Max Unit OFF CHARACTERISTICS Collector Emitter Breakdown Voltage, VCE=0V Zero Gate Voltage Drain Current, VGE=0, VCE =600V Gate Emitter Leakage Current, VCE=0V ON CHARACTERISTICS Gate Threshold Voltage, VCE=VGE, IC=6mA Collector Emitter Saturation Voltage, VGE=15V, IC=400A DYNAMIC CHARACTERISTICS.

SML30EUZ03K : Screening Options Available = ;; Package = D2PAK (TO263AB) ;; Type = C3 Enhanced Ultrafast Diode ;; Voltage (V) = 300V ;; Current (A) = 30A ;; VF(cont) = 1.8V ;; Trr(typ) = 35ns.

B4S-E3 : 0.5 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, TO-269AA. s: Diode Type: BRIDGE RECTIFIER DIODE ; Diode Applications: Rectifier ; IF: 30000 mA ; RoHS Compliant: RoHS ; Package: LEAD FREE, MINIATURE, PLASTIC, MBS, 4 PIN ; Pin Count: 4 ; Number of Diodes: 4.

EVU : RESISTOR, POTENTIOMETER, 1 TURN(S), 0.05 W, 1000 ohm - 2000000 ohm. s: Potentiometer Type: Standard Potentiometer ; Mounting / Packaging: ThroughHole ; Operating Temperature: 0 to 70 C (32 to 158 F).

UMN11TN : 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE. s: Arrangement: Common Catode ; Diode Type: General Purpose ; IF: 100 mA ; RoHS Compliant: RoHS ; Pin Count: 6 ; Number of Diodes: 4.

1SS304-A : 0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE. s: Arrangement: Common Catode ; Diode Type: General Purpose ; IF: 100 mA ; RoHS Compliant: RoHS ; Pin Count: 3 ; Number of Diodes: 2.

6.3NW72220FA5X7 : CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, NON-POLARIZED, 6.3 V, 22 uF, THROUGH HOLE MOUNT. s: Configuration / Form Factor: Leaded Capacitor ; Capacitance Range: 22 microF ; Capacitance Tolerance: 20 (+/- %) ; WVDC: 6.3 volts ; Leakage Current: 10 microamps ; Mounting Style: Through Hole ; Operating Temperature: -40 to 85 C (-40 to 185 F).

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2011 reseñas de compradores de Spain

Brian Evans

QM20DX-H

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I am very pleased with the quality of the QM20DX-H electronic component that I purchased from Utsource. The component is well-made and performs as expected. Thank you for providing such a great product.

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03/17/2023

Heriberto Hohlke

QM20DX-H

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11/08/2016

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Modelo Nombre del Vendedor Depósito Marca Sello y embalaje Lote No. Descripción de producto Precio

Nombres

QM20DX-H

QM20DX-H tiene varias marcas en todo el mundo que pueden tener nombres alternativos para QM20DX-H debido a diferencias o adquisiciones regionales. QM20DX-H también se conoce con los siguientes nombres: