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INFINEON
あなたの検索：17N80C3，関連製品数：55个
Utsource
TO-247
Infineon Technologies AG
N-Channel MOSFETs >500V…900V; Package: PG-TO220-3; VDS max: 800.0 V; Package: TO-220 FullPAK; RDSON @ TJ=25°C VGS=10: 290.0 mOhm; IDmax @ TC=25°C: 17.0 A; IDpuls max: 51.0 A;
Description: The 17N80C3 is an N-channel MOSFET transistor manufactured by Infineon Technologies. It is designed for high-speed switching applications. Features: High-speed switching Low on-state r
在庫:10000
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在庫:1965
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TO-247
Infineon Technologies AG
17+
N-Channel MOSFETs >500V…900V; Package: PG-TO220-3; VDS max: 800.0 V; Package: TO-220 FullPAK; RDSON @ TJ=25°C VGS=10: 290.0 mOhm; IDmax @ TC=25°C: 17.0 A; IDpuls max: 51.0 A;
在庫:10000
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在庫:4
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在庫:15
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在庫:8000
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在庫:13000
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Description: The SPP17N80C3 is a N-channel MOSFET from Infineon Technologies. It is a high-voltage, high-speed power MOSFET with an integrated Schottky diode. Features: Low on-state resistance
在庫:214
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Description: The SPW17N80C3 is an N-channel MOSFET from Infineon Technologies. This device is designed for use in high-side switching applications. It features a low on-resistance of 17 mΩ and a maxim
在庫:377
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TO220F
Infineon Technologies AG
N-Channel MOSFETs >500V…900V; Package: PG-TO220-3; VDS max: 800.0 V; Package: TO-220 FullPAK; RDSON @ TJ=25°C VGS=10: 290.0 mOhm; IDmax @ TC=25°C: 17.0 A; IDpuls max: 51.0 A;
Description: N-Channel MOSFET Transistor Features: - Low gate charge - Low on-resistance - Low input and output capacitance - Fast switching - RoHS Compliant Applications: - DC/DC converters - Motor
在庫:10000
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TO-220
Infineon Technologies AG
N-Channel MOSFETs >500V?900V; Package: PG-TO220-3; VDS max: 800.0 V; Package: TO-220; RDSON @ TJ=25°C VGS=10: 290.0 mOhm; IDmax @ TC=25°C: 17.0 A; IDpuls max: 51.0 A;
DESCRIPTION: SPP17N80C3 is a N-channel power MOSFET produced by Infineon, with a package type of TO-220. FEATURES: Low gate charge Low On-Resistance Improved Power Loss High Avalanche Ruggednes
在庫:10000
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Description: The SPB17N80C3 is a N-channel MOSFET from Infineon Technologies. It is a high-performance, low-on-resistance, and low-gate charge device designed for use in high-efficiency switching a
在庫:10000
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TO-247
Infineon Technologies AG
05+
N-Channel MOSFETs >500V…900V; Package: PG-TO220-3; VDS max: 800.0 V; Package: TO-220 FullPAK; RDSON @ TJ=25°C VGS=10: 290.0 mOhm; IDmax @ TC=25°C: 17.0 A; IDpuls max: 51.0 A;
Description: The SPW17N80C3 is a N-channel MOSFET from Infineon Technologies. Features: * 800V drain-source voltage * 17A continuous drain current * Low gate charge * Low on-resistance * Avalanche-ra
在庫:10000
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在庫:1241
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在庫:167
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在庫:3000
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在庫:899
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在庫:13008
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在庫:5590
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